资讯
三星3nm芯片被证实，GAA 技术已投入商业量产(2023-07-20)
三星3nm芯片被证实，GAA 技术已投入商业量产;
7月19日消息，在3nm工艺量产上，台积电与可谓一时瑜亮，苹果iPhone
15系列今年用的A17被认为是首个3nm，但三星去年6月份......
三星宣布与Arm联合优化下一代基于GAA的Cortex-X CPU(2024-02-21)
三星宣布与Arm联合优化下一代基于GAA的Cortex-X CPU;三星电子日前宣布，将与Arm合作，提供基于三星代工厂最新的全环栅极(GAA)工艺技术开发的优化下一代Arm Cortex-X......
三星公布新工艺节点，2nm工艺SF2Z将于2027年大规模生产(2024-06-18)
），该工艺计划于2025年量产。
目前，三星对SF1.4（1.4nm）的准备工作进展顺利，正在按计划达成性能和量产目标，预计该工艺将于2027年量产。
在技术路线上，三星重点介绍了全环绕栅极（GAA......
半导体工艺变局在即｜3nm以下工艺举步维艰，纳米片浮出水面(2023-01-11)
半导体工艺变局在即｜3nm以下工艺举步维艰，纳米片浮出水面;
没有一种技术能够满足所有的需求。FinFET几乎走到了尽头，接棒的GAA-FET在制造方面的挑战屡见不鲜，而且......
曝台积电明年量产2nm工艺：苹果首发(2024-05-29)
曝台积电明年量产2nm工艺：苹果首发;5月29日消息，据媒体报道，台积电将在明年量产2nm工艺，苹果将率先使用这项先进工艺。
据爆料，台积电2nm首次应用了GAA技术，GAA全称Gate-All......
三星向外界公布 GAA MBCFET 技术最新进展(2023-06-27)
2017年开始开发适用于3纳米级工艺的GAA晶体管。随后，在2022年开始使用世界上首个3纳米GAA MBCFET™工艺进行大规模生产。
三星表示，相较 FinFET，MBCFET 提供......
三星：3nm良率翻3倍却仍逊台积电(2024-03-25)
三星：3nm良率翻3倍却仍逊台积电;
【导读】三星致力提高3nm GAA工艺良率，消息人士称，其良率提高到原来的三倍，即3nm工艺从之前10%~20%的良率提升至30%~60%之间，但仍......
三星3nm GAA工艺遭遇难产：良率仅50%(2023-10-08)
三星3nm GAA工艺遭遇难产：良率仅50%;
5nm时代，从台积电手中抢走过不少订单，比如骁龙888和骁龙8。而在3nm时代，三星遇到了不少麻烦，其星3nm GAA工艺至今尚未量产。
据悉......
或采用第二代 3nm GAA 晶圆技术，三星正为 Galaxy S25 开发新款(2023-02-02)
果它想击败可能依赖台积电的高通等竞争对手，三星需要专注于其第二代 3nm GAA 工艺。
据一位不愿透露姓名的三星高管称，新处理器的首次亮相日期仍未确定，但 Galaxy S25 的开发工作已经开始。
报道......
5nm手机芯片功耗过高，先进制程只是噱头?(2021-02-10)
带来更大的挑战。由于难以保障工艺的稳定性，漏电现象会愈发明显，功耗也会变大。
也有声音称，此次5nm芯片出现功耗问题，意味着FinFET工艺结构将不再适用于5nm芯片制程。用于3nm工艺节点的GAA工艺......
消息称美国要对中国进口的显卡、主板等恢复征收关税！(2024-05-29)
消息称美国要对中国进口的显卡、主板等恢复征收关税！;
5月29日消息，据媒体报道，台积电将在明年量产2nm工艺，苹果将率先使用这项先进工艺。
据爆料，台积电2nm首次应用了GAA技术......
三星目标 5 年内超越台积电，承认 4nm 工艺目前落后两年(2023-05-05)
可能在未来五年内跑赢台积电的想法，源于三星打算从 3nm 制造工艺开始使用 Gate All Around（GAA）技术。相比之下，台积电在达到 200 万产量之前不会使用 GAA。
GAA 是一种生产工艺，可以使三星生产出比台积电目前使用的工艺......
传三星削减成熟制程以支援3nm生产(2023-02-07)
传三星削减成熟制程以支援3nm生产;
【导读】此前，三星电子宣布三星第二代3nm GAA工艺将于2024年如期量产。据韩国网站Sammobile报道，三星电子在3nm制程芯片人力短缺，没有......
三星芯片还没完？新一代Exynos芯片开发中：S25能用上(2023-02-01)
%-80%良率相比。但三星半导体透露，已经通过新工艺提升了GAA技术的良率，至于表现到底如何，还得从量产产品的实测表现才能得知。
同为代工厂，三星与台积电之间的较量从未停止过，而三......
5nm手机芯片功耗过高 先进制程只是噱头？(2021-02-03)
着FinFET工艺结构将不再适用于5nm芯片制程。用于3nm工艺节点的GAA工艺结构，有望提前被用在5nm芯片中。
自英特尔于2011年首次推出基于FinFET结构的22nm工艺以来，FinFET工艺......
安卓阵营开启3nm时代！三星宣布3nm芯片成功流片(2024-05-08)
对整个芯片制造过程进行微调，从而最大限度提升芯片良率。
这是三星第一款3nm芯片，它采用Gate All Around(GAA)工艺，三星GAA设计被称为MCBFET，即多信道桥式FET。
三星......
三星上半年量产首代3纳米GAA技术制程，第二代制程研发中(2022-02-10)
星和格罗方德（Globalfoundries）合作研究。三星执行副总裁兼代工销售和营销主管Charlie Bae表示，将GAA结构用于三星下一代工艺节点，使三星率先打开新智能网络世界，也加......
三星良率不高，台积电将独家代工四代骁龙8(2023-12-06)
三星良率不高，台积电将独家代工四代骁龙8;
近日，有业内消息称3nm GAA制程工艺的晶圆良率仍未达到预期，高通公司将骁龙8 Gen 4处理器取消了之前的、三星双代工战略，改由......
豪赌先进制程，三星快台积电一步？(2022-06-29)
进制程领域赶超晶圆代工龙头企业台积电。与当前的FinFET（鳍式场效应晶体管）工艺相比，GAA工艺可让芯片面积减少45%的同时提升30%的性能，功耗降低50%。
稍早之前，台积......
2023年？2024年？三星第二代3纳米芯片量产时间成谜(2022-08-04)
台积电计划开始制造采用FinFET技术的3纳米芯片，并在2025年生产采用GAA技术的2纳米芯片。
资料显示，三星于今年6月底开始生产第一代3纳米GAA工艺芯片，首先将应用于高性能、低功......
Intel制程和封装4大突破：封装吞吐量提升100倍(2024-12-09)
封装、全环绕栅极(GAA)等领域。
目前，Intel正在持续推进四年五个工艺节点的计划，计划到2030年在单个上封装1万亿个晶体管，因此先进的晶体管技术、缩微技术、互连技术、封装......
良率0%？消息称三星3nm GAA工艺试产失败 Exynos 2500芯片被打上问号(2024-02-04)
良率0%？消息称三星3nm GAA工艺试产失败 Exynos 2500芯片被打上问号;根据韩媒 DealSite+ 报道，三星的 3nm GAA 生产工艺存在问题，尝试生产适用于 Galaxy......
淘汰FinFET 升级革命性GAA晶体管：台积电重申2025量产2nm(2023-01-13)
年量产。本文引用地址：与3nm工艺相比，工艺会有重大技术改进， 放弃FinFET晶体管，改用GAA晶体管， 后者是面向甚至1nm节点的关键，可以进一步缩小尺寸。
相比3nm工艺，在相同功耗下， 2nm......
三星7nm工艺揭秘，摩尔定律还能继续(2017-03-13)
现在产业界正在紧盯的7nm工艺，三星认为它会在2018年到来，因为沟道变窄了，那就要求在在设计制备的时候需要从架构、沟道材料和工艺制备上进行创新，而GAA、三五族沟道材料和EUV光刻......
2nm之战，英特尔能否抢占先机？(2022-11-16)
计划，2nm工艺上将采用GAA结构，以取代目前主流的鳍式场效应晶体管（FinFET）结构。但在今年6月份，三星方面官方宣布，基于GAA结构的3nm制程芯片已开始初步生产。在今年上半年试产使用GAA结构的新工艺......
3纳米芯片之争：三星走到哪一步？(2022-11-28)
际生产良率也难尽人意。
据悉，三星电子3纳米芯片首家客户是来自中国的半导体企业PanSemi（磐矽半导体），后者据称是一家专门生产比特币挖矿机芯片的公司。
三星电子量产3纳米芯片将使用GAA先进工艺......
消息称台积电多家客户修正制程计划，已采用 4/3nm 的客户几乎都有 2nm 投片规划(2023-05-22)
消息称台积电多家客户修正制程计划，已采用 4/3nm 的客户几乎都有 2nm 投片规划;5 月 22 日消息，据电子时报，有半导体设备业者表示，台积电 2 纳米 GAA 工艺表现惊艳，因此......
三星公布第二代 3nm 工艺良率等细节信息(2023-05-09)
由同一单元类型中 MBCFET 器件的各种纳米片宽度实现的，目前尚不清楚这是否意味着原始 SF3E 缺少 GAA
晶体管的一项关键功能。
三星在其论文中展示的一张图片 描绘了金属栅极工艺......
三星3nm取得突破性进展！Exynos 2500样品已达3.20GHz(2024-07-15)
程样品已经实现了3.20GHz的高频运行，这一频率不仅超越了此前的预期，而且比苹果A15 Bionic更省电，效率表现更为出色。
此前，有关三星3nm GAA工艺良率过低的担忧一度影响了市场对Exynos 2500的信心，特别......
应用材料公司以技术助力极紫外光和三维环绕栅极晶体管实现二维微缩(2022-04-22)
化特征，帮助客户解决其他量测技巧可能无法诊断的“边缘布局错误”。应用材料公司2021年电子束系统的营收几乎翻倍，使其跃居电子束技术供应商榜首的位置。
三维环绕式栅极晶体管工艺设计
新兴的GAA晶体......
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代(2024-06-03)
式场效应晶体管）。张晓强指出，CFET预计将被导入下一代的先进逻辑工艺。CFET是2nm工艺采用的纳米片场效应晶体管（NSFET，也称为环栅或 GAA）架构后，下一个全新的晶体管架构。从14nm导入......
三星3纳米芯片客户都有谁？(2022-11-25)
将由台积电代工，不过进入GAA制程后，有可能采取同步下单三星、台积电等多家代工厂的多供应商策略。
今年6月底，三星电子正式官宣量产3纳米GAA制程工艺的芯片，首先将应用于高性能、低功......
三星半导体事业主管：制程技术五年内超越台积电(2023-05-06)
制程将开始全面领先台积电。
去年三星电子率先把环绕闸极电晶体(GAA)架构用于 3nm 制程节点，并表示 3nm GAA 技术相比于上一代制程工艺节点效率提升 30%、能耗减少
50......
消息称台积电正与2nm制程潜在客户商谈，单片晶圆报价2.5万美元(2023-06-28)
消息称台积电正与2nm制程潜在客户商谈，单片晶圆报价2.5万美元;
【导读】据电子时报6月27日消息，台积电正与2nm制程工艺的潜在客户进行商谈。这一制程下的晶体管，采用了GAA全环......
重振芯片制造，欧、日为何青睐2纳米?(2021-04-02)
固态电路大会(ISSCC)上，三星首次公布了3nm制造技术的一些细节——3nm工艺中将使用类似全栅场效应晶体管(GAAFET)结构。
不过有消息爆出，台积电的2nm工艺将采用GAA架构。也就是说，2nm......
晶圆代工大厂公布五年发展规划，1.4纳米芯片量产时间敲定(2022-10-21)
率先启动了基于GAA(全环绕栅极）架构的3nm制程芯片生产。未来三星将继续提升GAA相关技术，并将其导入2nm和1.7nm节点工艺。按照规划，三星将于2025年量产2nm先进制程工艺技术，到2027年量......
三星2nm工艺弯道超车台积电 专家表态：真不行(2023-05-06)
三星希望在5年内超越台积电。
该公司高管表示，在4nm节点，三星落后台积电2年时间，3nm节点大约落后1年，但是三星的2nm工艺得到了客户的认可，后者对他们的GAA晶体管技术很满意，几乎......
高通/英伟达/百度上榜？三星3纳米芯片客户曝光(2022-11-24)
进入GAA制程后，有可能采取同步下单三星、台积电等多家代工厂的多供应商策略。
今年6月底，三星电子正式官宣量产3纳米GAA制程工艺的芯片，首先将应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计......
台积电2022年出货增7.7%，计划2025年进入2nm量产(2023-05-06)
该公司比台积电有优势，可以使其在五年内赶上TSMC。
三星可能在未来五年内跑赢台积电的想法，源于三星打算从 3nm 制造工艺开始使用 Gate All Around（GAA）技术。相比之下，台积电在3nm制程......
5nm的晶体管会是什么样子？(2016-11-11)
/16nmFinfet制程的竞争进入了白热化阶段，而下一阶段的10nm和7nm的角逐也进入了预热阶段。与此同时，业界也正在推动工艺制程走向5nm。
TSMC表示，他们希望在2020年推出其5nm的工艺......
2纳米先进制程已近在咫尺！(2024-03-11)
厂，现在考虑要盖第三座2nm晶圆厂。
三星：GAA结构占据先发优势，2nm加速赶超
三星于2022年6月开始量产3纳米工艺，另据行业最新消息，三星已研发出“第二代3纳米”工艺，并将......
2纳米先进制程已近在咫尺！(2024-03-11)
级）工艺性能相比较，两家大厂各执一词。
英特尔首席执行官Pat Gelsinger强调，18A 和 N2都利用GAA晶体管(RibbonFET)，但是1.8
纳米级节点将采用BSPND，一种......
竞争又合作？Intel重回领先地位要靠台积电...(2022-04-26)
三星量产GAA工艺的时程相当。
根据瑞士信贷报告，三星将于2022年初试产GAA工艺于同年底前正式量产；三星并将于2023上半年以GAA工艺生产自家Exynos应用处理器产品。同时......
Google Tensor 2芯片将基于三星4nm工艺 配Exynos 5300 5G模组(2022-10-11)
，Google有望在明年继续与三星合作开发 Pixel 8 系列。
据报道，Google打算使用三星的 3nm GAA 技术来生产 3nm GAA 技术，这种制造工艺具有显着的优势。三星声称，与制......
消息称三星 Exynos 2500 芯片良率目前不足 20%，能否用于 Gala(2024-06-21)
的开发并不顺利：其在今年一季度时良率仍保持在个位数的水平，导致 ES 样品的最初供应被推迟到了二月份。
Exynos 2500 采用三星第二代 GAA 工艺 SF3（IT之家注：3GAP），预计......
消息称英伟达已试水三星3nm GAA工艺，最快2025年量产(2023-09-18)
消息称英伟达已试水三星3nm GAA工艺，最快2025年量产;9 月 18 日消息，根据行业人士 @手机晶片达人 爆料，英伟达已经跟三星就 3nm GAA 工艺制程进行了接洽，如果......
爆三星Exynos 2300衍生版，加入谷歌算法和人工智能(2022-11-26)
使用的gate-all-around(GAA)晶体管技术，使新开发的第一代3nm工艺可以降低45%的功耗，性能提高23%，并减少16%的面积。而三星第二代3nm工艺则使功耗降低50%，性能提升30%，芯片......
2nm 争夺战打响，消息称三星用低价策略挑战台积电地位(2023-12-12)
2nm 争夺战打响，消息称三星用低价策略挑战台积电地位;12 月 12 日消息，台积电和三星都计划 2025 年开始量产 2nm 工艺芯片，双方的早期争夺战已经打响。
根据英国 Financial......
三星3nm GAA制程良率堪忧，这怎么对标台积电？(2022-12-01)
际还需观察几个月。如果三星3nm GAA
制程低良率问题无法解决，客户可能将不愿再下订单，进而转向等待台积电的3nm工艺。
事实上，目前已经宣布量产3nm GAA
技术制程的三星，除了......
客户对2nm期望更高！消息称台积电多家客户修正制程计划(2023-05-23)
世代再重押。
报道称，虽然台积电产能布局可能被打乱，但客户黏着度更高，对于2nm GAA世代相当有信心，已采用4/3nm的客户，几乎皆有2nm投片规划。
从3nm工艺上看，台积电曾表示，更先......
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