近期，随着首批3纳米GAA制程芯片正式出货，三星第二代3纳米芯片量产时程也受到外界关注。

最新消息是，行业分析师Sravan Kundojjala近日在Twitter上表示，三星第二代3纳米将于2024年量产，并为此与多位移动客户进行洽谈，意味着三星第二代3纳米芯片可能已吸引手机制造商的注意。

不过，根据韩国媒体《BusinessKorea》此前报道，三星计划在2023年开始生产第二代3纳米芯片，并于接下来的2025年开始生产2纳米芯片。《BusinessKorea》认为，三星想在技术实力上保持领先，尽快赶上台积电，因为台积电计划开始制造采用FinFET技术的3纳米芯片，并在2025年生产采用GAA技术的2纳米芯片。

资料显示，三星于今年6月底开始生产第一代3纳米GAA工艺芯片，首先将应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器领域。

与三星5nm工艺相比，三星第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%。三星此前，表示，未来第二代3nm工艺将使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。

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