三星上半年量产首代3纳米GAA技术制程,第二代制程研发中

发布时间:2022-02-10  

韩国三星发表最新财报时也宣布,计划2022下半年商业化生产全球首创的闸极全环晶体管(Gate-All-Around,GAA)技术芯片。新制程技术与代工龙头台积电5纳米节点鳍式场效晶体管(FinFET)技术相比,有晶体管密度的优势。

三星代工市场战略团队负责人MoonsooKang表示,2022上半年第一代GAA技术,就是3GAAE制程技术将量产,到了下半年开始商业化生产。三星将继续照计划开发第二代GAA技术,也就是3GAAP(3nm Gate-All-Around Plus),时间点与三星2021年6月宣布的时程大致相同。

三星3纳米工艺技术预计有两种型号3GAAE和3GAAP,基于纳米片结构设计,鳍中有多个横向带状线。此纳米片设计被研究机构IMEC当成FinFET后续产品而有大量讨论,并由IBM与三星和格罗方德(Globalfoundries)合作研究。三星执行副总裁兼代工销售和营销主管Charlie Bae表示,将GAA结构用于三星下一代工艺节点,使三星率先打开新智能网络世界,也加强三星技术领先地位。

照技术人员的观点,GAA技术芯片,在电晶体能提供比FinFET技术有更好静电特性,满足某些栅极宽度的需求,这主要表现在增强同等芯片尺寸结构下GAA沟道控制能力,让芯片尺寸有更微缩的可能性。对比传统FinFET沟道仅三面被栅极包围,GAA以纳米线沟道设计使沟道整个外轮廓都被栅极完全包覆,代表栅极对沟道的控制性能更好。

三星研究人员将全环栅(GAA)晶体管设计的3nm CMOS技术称为多桥通道(MBC)架构,纳米片(nanosheets)水平层制成的沟道完全被栅极结构包围。三星表示技术有高度可制造性,因利用三星现有约90%的FinFET制造技术,只需少量修改过的光罩。此技术有出色的栅极可控性,比同样三星FinFET技术高31%,且因纳米片通道宽度可透过直接图像化改变,让设计有更高灵活性。

面对三星3纳米制程抢先采用GAA技术,台积电Gate-all-around FETs(GAAFET)研发仍是发展蓝图的一部分。台积电先前传出预计“后N3”制程技术也就是可能N2制程节点使用。有市场人士认为,台积电处于下一代材料和制程技术的发展阶段,新材料和制程技术会在未来多年使用。

台积电曾指出,对先进CMOS逻辑,3纳米和2纳米CMOS制程节点顺利进行。台积电还加强前瞻性研发,重点放在2纳米以外节点及3D电晶体、新内存和low-Rinterconnect等领域,有望为许多技术平台奠定发展基础。值得注意的是,台积电正在扩大Fab12研发营运能力,研究开发N3、N2和更高端制程节点。

封面图片来源:拍信网

文章来源于:全球半导体观察    原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

我们与500+贴片厂合作,完美满足客户的定制需求。为品牌提供定制化的推广方案、专属产品特色页,多渠道推广,SEM/SEO精准营销以及与公众号的联合推广...详细>>

利用葫芦芯平台的卓越技术服务和新产品推广能力,原厂代理能轻松打入消费物联网(IOT)、信息与通信(ICT)、汽车及新能源汽车、工业自动化及工业物联网、装备及功率电子...详细>>

充分利用其强大的电子元器件采购流量,创新性地为这些物料提供了一个全新的窗口。我们的高效数字营销技术,不仅可以助你轻松识别与连接到需求方,更能够极大地提高“闲置物料”的处理能力,通过葫芦芯平台...详细>>

我们的目标很明确:构建一个全方位的半导体产业生态系统。成为一家全球领先的半导体互联网生态公司。目前,我们已成功打造了智能汽车、智能家居、大健康医疗、机器人和材料等五大生态领域。更为重要的是...详细>>

我们深知加工与定制类服务商的价值和重要性,因此,我们倾力为您提供最顶尖的营销资源。在我们的平台上,您可以直接接触到100万的研发工程师和采购工程师,以及10万的活跃客户群体...详细>>

凭借我们强大的专业流量和尖端的互联网数字营销技术,我们承诺为原厂提供免费的产品资料推广服务。无论是最新的资讯、技术动态还是创新产品,都可以通过我们的平台迅速传达给目标客户...详细>>

我们不止于将线索转化为潜在客户。葫芦芯平台致力于形成业务闭环,从引流、宣传到最终销售,全程跟进,确保每一个potential lead都得到妥善处理,从而大幅提高转化率。不仅如此...详细>>