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研发客服据韩媒报道，当地时间6月12日，电子在美国硅谷举办“论坛2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其技术战略。
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活动中，公布了两个新工艺节点，包括和。其中，是2nm工艺，采用背面电源输送网络（BSPDN）技术，通过将电源轨置于晶圆背面，以消除与电源线和信号线有关的互联瓶颈，计划在2027年大规模生产。与第一代2nm技术相比，不仅提高了PPA，还显著降低了电压降（IR drop），从而提高了高性能计算（HPC）的性能。则是4nm工艺变体，通过结合光学缩放技术改进功率、性能和面积（PPA），该工艺计划于2025年量产。
目前，三星对SF1.4（1.4nm）的准备工作进展顺利，正在按计划达成性能和量产目标，预计该工艺将于2027年量产。
在技术路线上，三星重点介绍了全环绕栅极（GAA）工艺技术的进展。三星的GAA工艺已进入量产的第三年，基于GAA技术演进，三星计划在今年下半年量产第二代3nm工艺（SF3），并计划在即将推出的2nm工艺上采用GAA。
三星电子事业部总裁崔思英在演讲中表示：“在所有技术都在围绕AI发生革命性变革的时代，最重要的是能够实现AI的高性能、低功耗半导体，”三星电子将通过针对AI半导体优化的GAA（Gate-All-Around）工艺技术和光学器件技术，提供客户在AI时代所需的一站式AI解决方案，以实现低功耗的高速数据处理。到2027年，该公司计划将光学元件集成到其AI解决方案中。
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