11月22日消息，据外媒报导，韩国虽然抢先量产了3nm GAA(Gate-all-around，环绕栅极)芯片，但不代表进展顺利。最新的爆料称，三星3nm GAA制程的良率非常糟，仅为20%，为了解决这困境，三星计划通过与美国公司合作提高良率。

到目前为止，三星虽号称通过整合合作伙伴技术取得积极成果，但实际还需观察几个月。如果三星3nm GAA 制程低良率问题无法解决，客户可能将不愿再下订单，进而转向等待台积电的3nm工艺。

事实上，目前已经宣布量产3nm GAA 技术制程的三星，除了仅供应某家加密货币厂商之外，至今尚未拿下智能手机芯片厂商的订单。不过，消息指出，目前三星已经通过高通的样品认证，有机会在未来进行供货。因此，如果三星能够解决良率不佳的问题，则高通将可以享受到3nm GAA 技术制程带来的性能提高23%，能耗最多降低45% 的好处。

报导最后强调，三星的第二代3nm制程将预计在2024 年量产，号称比第一代3nm制程有更多的进步，这也代表进一步希望从台积电手上抢下更多市占率的企图。

对于此前路透社报道称，台积电计划将其领先的N3(3nm级)制造技术芯片生产带到其美国亚利桑那州晶圆厂的传闻，张忠谋首次给出了肯定的答复。

张忠谋称，台积电目前在美国亚利桑纳州建的是5nm晶圆厂，为美国目前最先进的制程，但台积电在中国台湾的最先进制程是3nm，代表台积电在美国投资的5nm只是“N-1”。现在有一个计划，但是还没有完全敲定，应该说是差不多敲定，那就是在美国亚利桑那州，“3nm是phase 2(第二阶段)，5nm是phase 1(第一阶段)。”

不过张忠谋并未透露美国3nm晶圆厂建厂计划的投资规模，以及会在何时启动。目前台积电亚利桑那州的5nm晶圆厂产能规划是2万片/月，有传闻称，计划中的3nm晶圆厂产能也将是2万片/月。

黄崇仁指出，中国台湾拥有这些条件促成半导体产业的优势，包括台湾的工程师素质高、产业国际化、成本相对低廉、政府支持建厂等条件支撑，若没有这些条件，“不是搬到美国，优势就可以存在”。

据业内人士@手机晶片达人 爆料称，台积电除了在建的亚利桑那州的2万片5nm晶圆产能，还将在美国东岸的弗吉尼亚州建一座新的3nm制程晶圆厂，产能也将为2万片，目前正开始安排人力规划，预计投资规模也将达到120亿美元。这也将是台积电在美国的第三座晶圆厂。除了在建的亚利桑那州晶圆厂之外，台积电在美国华盛顿州的Camas还有一座晶圆十一厂，不过这里仅生产8英寸晶圆，主要面向28nm以上成熟制程。

如果台积电继续在美国进行具有N3功能的晶圆厂计划，该设施可能会在2024年底上线，或者更有可能在2025年初上线。该代工厂计划在2025年下半年开始生产N2(2nm级)工艺技术。

因此，虽然亚利桑那州的工厂可能会获得N3，但台积电在台湾地区的晶圆厂仍将更加先进。但台积电在台湾地区和美国之间的能力差距可能会在未来几年缩小。

针对以上美国媒体报道，台积电昨日晚间回应指出，就目前为止，台积电公司尚未确定亚利桑那州晶圆厂二期的规划。有鉴于客户对台积公司先进制程的强劲需求，我们将就营运效率和成本经济因素来评估未来计划。

台积电此前曾在法说会上提到，3nm将在今年第四季度量产，预期在高性能运算与智能手机应用驱动下，2023年平稳量产，但台积电并未披露3nm月产能细节。

业界认为，今年资本支出下修10%，业界传出先进制程协力厂遭砍单40%至50%，应属少数个案，主要落在再生晶圆、关键耗材、设备等领域。