三星目标 5 年内超越台积电,承认 4nm 工艺目前落后两年

发布时间:2023-05-05  

5 月 4 日消息,据 Hankyung 报道,三星半导体今天早些时候在 KAIST(韩国科学技术院)举行了一场演讲,三星设备解决方案部门总裁 Kye Hyun Kyung 提出了三星半导体将赶上竞争对手台积电的未来愿景。


Kye Hyun Kyung 承认三星的代工技术“落后于台积电”。他解释说,三星的 4nm 技术比台积电落后大约两年,而其 3nm 工艺则比台积电落后大约一年。


不过,Kye Hyun Kyung 也表示,但等到 2nm 就会发生变化,并大胆预测:“我们可以在五年内超越台积电。”

三星可能在未来五年内跑赢台积电的想法,源于三星打算从 3nm 制造工艺开始使用 Gate All Around(GAA)技术。相比之下,台积电在达到 200 万产量之前不会使用 GAA。


GAA 是一种生产工艺,可以使三星生产出比台积电目前使用的工艺更小(45%)、能耗更低(50%)的芯片。Kye Hyun Kyung 称“客户对三星电子的 3nm GAA 工艺的反映很好”。


Kye Hyun Kyung 还表示,三星预计存储半导体在开发 AI 服务器方面将变得更加重要,并超过英伟达 GPU,并称三星将“确保以存储器半导体为中心的超级计算机能够在 2028 年问世”。


近期三星称,其 4nm 芯片制程良率已改善、接近 5nm 的水准,下一代 4nm 制程将提供更高的良率。


业内消息人士透露,美国芯片巨头 AMD 公司已经选择了三星电子作为其 4nm 处理器的合作伙伴。此外,谷歌公司也将委托三星电子生产其 Pixel 8 智能手机的 Tensor 3 芯片,采用三星电子第三代 4nm 工艺节点。


文章来源于:电子工程世界    原文链接
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