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GaN外延片方面,主要有两种衬底技术,分别是GaN-on-Si(硅基氮化镓)和GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)。此外还有GaN-on-sapphire,以及GaN-on-GaN技术。 从性......
Thomas Caulfield表示:“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频、高压功率开关和控制应用的理想技术,对于6G无线通信、工业物联网和电动汽车非常重要。” 格芯......
。 格芯佛蒙特州半导体制造工厂表示,继续朝着大规模生产用于航空航天和国防、蜂窝通信、工业物联网和汽车的下一代氮化镓芯片迈进。 格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示:“硅基氮化镓是......
siltron 将专注于开发和提供碳化硅基 (SiC) 氮化镓 (GaN) 创新外延片,用于无线通信市场的射频应用,以及硅基氮化镓 (Si)在一系列市场中的电力电子应用,这些氮化镓......
全球首家8英寸硅基氮化镓量产企业诞生!英诺赛科苏州一期产线正式投产;6月5日,英诺赛科(苏州)半导体有限公司(以下简称“英诺赛科”) 8英寸硅基氮化镓芯片量产仪式在江苏汾湖高新区举行。这标......
元,预计到2028年将达到27亿美元,2022年至2028年复合年增长率为12% ;SEDI(住友电工)、Qorvo和Wolfspeed:前三名设备厂商稳步增长,恩智浦电信业务创造高收入;电信领域新机遇为射频硅基氮化镓......
机成功导入8英寸硅基氮化镓量产线举办了庆典。事实上,早在今年年初,英诺赛科就和ASML达成了批量购买高产能i-line和KrF光刻机的协议,用于制造先进的硅基氮化镓功率器件。 英诺......
年产4万片!碳化硅基氮化镓晶圆厂,出货; 【导读】瑞典企业SweGaN宣布,公司生产碳化硅基氮化镓(GaN on SiC)晶圆的新工厂已开始出货,产品将用于下一代5G先进......
中科重仪自研功率型硅基氮化镓生产线投产;近日,苏州中科重仪半导体材料有限公司(以下简称“中科重仪”)自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延......
投入10亿元,用地86亩,达产后年产能24万片。 据悉,镓谷半导体成立于2022年,致力于第三代半导体材料GaN外延的研发与生产,产品包括硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓、蓝宝石基氮化镓,主要......
赛微电子青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目主厂房封顶;5月18日,赛微电子官微表示,公司与潍坊市青州市合作投建的“青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目”主厂房封顶。该项目于去年4月......
司提供6英寸产品为主时,英诺赛科已切入8英寸领域。 早在2017年底,英诺赛科珠海制造工厂建成投产,成为中国首条完整的8英寸硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线,主要产品包括8英寸硅基氮化镓......
ASML/AIXTRON等明星伙伴加持,英诺赛科为何能进入行业前三?;据微信公众号“钛信资本”2月16日消息,近日,国内第三代半导体硅基氮化镓领域知名企业英诺赛科(苏州)科技有限公司(以下简称“苏州......
第三代半导体企业英诺赛科亦与ASML签署了购买协议。 2021年1月21日,英诺赛科和ASML达成批量购买高产能i-line和KrF光刻机的协议,用于制造先进的硅基氮化镓功率器件。 资料显示,英诺......
英诺赛科多款TO封装GaN强势出货,为电源设计提供丰富选择; 【导读】英诺赛科推出多款采用TO252 / TO220 封装的直驱氮化镓芯片,基于先进的8英寸硅基氮化镓技术,耐压从650V......
氮化镓外延厂瑞典企业SweGaN宣布已开始出货;8月13日,瑞典企业SweGaN宣布,公司生产碳化硅基氮化镓(GaN on SiC)晶圆的新工厂已开始出货,产品将用于下一代5G先进......
大幅提高终端产品的功率密度。目前主流的氮化镓是硅基氮化镓,整体相对碳化硅来讲,成本的优势比较大,所以在650V这个等级来看氮化镓相对于碳化硅在性能和成本都具备比较大的优势。 安世......
设计也更简单一些。 对于未来发展模式,就目前来看,硅基氮化镓的成本更低,技术成熟度也高,未来几年扩产的产能平台应该会以硅基氮化镓平台为主。另外,很多氮化镓......
还举行了英诺赛科8英寸硅基氮化镓芯片生产线建设项目第二阶段产能扩展”项目(即三期银团)贷款签约仪式。 据官网介绍,英诺赛科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓......
这家氮化镓相关厂商或将赴港上市;近日,据《路透社》旗下IFR报道,英诺赛科正计划最早于今年内,在香港进行IPO,融资规模约3亿美元。 据悉,英诺赛科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓......
在实际电路和系统设计中可以不断提高开关频率和功率密度; 当前GaN的成本随着大规模量产迅速降低,不仅比碳化硅器件低很多,而且已经接近甚至低于硅器件; 稳定的产能支持。以英诺赛科已经建成的全球最大的8英寸硅基氮化镓产线为例,目前其产能已达到1.5万片/月......
购Nitronex,进入氮化镓(GaN)领域。当然,更重要的,Nitronex是一个拥有大量硅基氮化镓专利的公司。后面我们收购了基于封装技术的公司,主要服务于高可靠性的微波和射频应用,比如军工、航天,而它......
幅度逐年收窄 英诺赛科开创行业先河,成为全球首个实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的企业,并且独一无二地拥有提供全电压谱系硅基氮化镓......
董事长焦平海受访时表示,合晶已走过半导体景气谷底,第二季度运营明显回升,虽然未呈现V型反转,却已重回上升轨道。 在化合物半导体方面,合晶主攻氮化镓外延及基板领域,包括硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓等。合晶......
书中,英诺赛科表示,公司是一家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司,亦具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。 英诺赛科的产品包括分立器件(覆盖15V至1,200V)、集成电路、晶圆......
位于马萨诸塞州和北卡罗来纳州的半导体晶圆制造工厂进行全面升级。 具体来看,公司马萨诸塞州工厂将扩建洁净室,升级现有4英寸晶圆(涉及GaAs、GaN、硅和其他III-V材料)生产线,并引入先进的6英寸碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)制造......
位于马萨诸塞州和北卡罗来纳州的半导体晶圆制造工厂进行全面升级。 具体来看,公司马萨诸塞州工厂将扩建洁净室,升级现有4英寸晶圆(涉及GaAs、GaN、硅和其他III-V材料)生产线,并引入先进的6英寸碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)制造......
的射频功率晶体管 一些军事雷达可工作在高频(HF)到超高频(UHF)频率: LDMOS仍是这些系统最佳候选,虽然随着硅基氮化镓器件可以覆盖更广的带宽,可用于提供有竞争力的CW RF射频......
积的优势不言而喻,但价格却仍然让许多方案厂商犹豫不决。英诺赛科坐拥全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造基地,规模化量产使氮化镓成本在行业中具备较强的竞争优势。 随着终端产品对氮化镓......
赛科表示,公司是一家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司,亦具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。英诺赛科的产品包括分立器件(覆盖15V至1,200V)、集成电路、晶圆及模块,应用......
巩固领先优势作为最新一代半导体材料之一,氮化镓技术及其工艺复杂,具备较高的进入壁垒。英诺赛科凭藉在氮化镓核心技术和关键工艺上的突破,在行业内建立了稳固的先发优势。公司是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓......
续加大研发投入,确保产品市场竞争优势,同时推崇合作共赢,助力全球氮化镓产业繁荣发展。 (来源:) 作为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司,目前英诺赛科已经发展成为全球功率半导体革命的领导者,亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓......
材料生产线,可年产150mm氮化镓外延片2万片。 2014年底,晶湛半导体率先在全球首次发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品,经有关下游客户验证,该材料填补了国内氮化镓产业的空白。 2021年9月,晶湛......
产品和高频设备的核心设备。 公开资料显示,氮化镓是第三代半导体材料的代表之一,具备易散热,体积小,损耗小,功率大等诸多优点,被业内寄予厚望。可被应用于光电、功率和射频等多个领域,同时能满足高功率密度、低能耗、高频......
订单交付中。 INN100W135A-Q 产品规格书与仿真模型均可在英诺赛科官网(www.innoscience.com)获取,样品需求请联系销售或后台私信小编。英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业,致力于硅基氮化镓......
有超过30年的共事经历,并共同创造了很多成就。从1978年到2015年,纳微创始团队在半导体、单晶、硅基氮化镓领域实现了一系列首创发明——2002年首个商用功率硅基氮化镓项目、2014年首个商用氮化镓......
规格书与仿真模型均可在英诺赛科官网()获取,样品需求请联系销售。 英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业,致力于硅基氮化镓......
外延材料领军企业,申请专利近400项,授权近百项。2014年率先在全球发布商用8英寸硅基氮化镓外延片;2021年9月,晶湛半导体全球首发12英寸硅基电力电子氮化镓外延片。 此前消息显示,晶湛......
,IEDM2022上,英特尔为打造300毫米硅基氮化镓晶圆开辟了一条可行的路径,从而让世界离超越5G和电源能效问题的解决更进一步。英特尔在这一领域所取得的突破,实现了比行业标准高20倍的增益,并在......
片集成电路。去年,IEDM2022上,英特尔为打造300毫米硅基氮化镓晶圆开辟了一条可行的路径,从而让世界离超越5G和电源能效问题的解决更进一步。英特尔在这一领域所取得的突破,实现了比行业标准高20倍的增益,并在......
股市场带来又一枚稀缺优质标的。英诺赛科是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司,亦是唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司,IPO集资净额达13.02亿港元(绿鞋前)。管理......
威半导体为芯冠科技的第三大股东,持股比例为19.84%。 图片来源:天眼查截图 芯冠科技成立于2016年,公司采用整合设计与制造(IDM)的商业模式,主要从事第三代半导体硅基氮化镓......
钽涂层,与实验晶锭。 聚能创芯&聚能晶源 本次展会上,聚能创芯&聚能晶源联合展示了8英寸硅基氮化镓外延片、GaN功率器件及相应的GaN应用方案,为目前需求旺盛的GaN快充......
湛半导体在全球发布商用8英寸硅基氮化镓外延片;2021年9月,晶湛半导体全球首发12英寸硅基电力电子氮化镓外延片。 据了解,晶湛半导体拟投资2.8亿元进行异地扩建,在苏州工业园区百川街西、南荡......
Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓(GaN)芯片。格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示:“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频、高压功率开关和控制应用的理想技术,对于6G无线......
赛科成立于2017年,是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业,产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、氮化镓集成电路及氮化镓模组等,可广泛应用于消费电子产品、可再......
宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金,以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓(GaN)芯片。格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示:“硅基氮化镓是......
宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金,以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓(GaN)芯片。格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示:“硅基氮化镓是......
导体产业重要的发展方向。 据了解,青峰基金投资了1500万元支持芯生代项目产业化。目前项目已完成6英寸硅基氮化镓外延片试产,制备出的GaN外延片镜面效果优异,覆盖率达100%,良品率60%以上(按面积计算),半峰宽稳定在450......
入试生产阶段,投片40工程批次以上,综合良率90%以上。公司相关人士告诉上证报记者称,公司湖南生产线满产是6万片/年,去年已经实现批量出货,今年4月订单已经破亿元。 英诺赛科建设了全球首家8英寸硅基氮化镓......

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