近日,晶湛半导体总部大楼建设项目封顶仪式在苏州工业园区纳米城举行,该项目于去年12月2日奠基。
晶湛半导体总部项目位于苏州工业园区纳米城E地块,百川街西,南荡田巷北,总建筑面积23443.27平方米。项目聚焦第三代半导体材料——氮化镓外延片的研发生产,预期项目建成后,将成为国内规模最大的氮化镓电力电子材料和微显示材料生产基地。
据苏州工业园区发布此前消息,晶湛半导体致力于为高端光电、电力电子、微波射频等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案,是园区自主培育的第三代半导体氮化镓外延材料领军企业,申请专利近400项,授权近百项。2014年晶湛半导体在全球发布商用8英寸硅基氮化镓外延片;2021年9月,晶湛半导体全球首发12英寸硅基电力电子氮化镓外延片。
据了解,晶湛半导体拟投资2.8亿元进行异地扩建,在苏州工业园区百川街西、南荡田巷北自购土地建设新厂区,建成后年产氮化镓外延片24万片。其中,6英寸和8英寸氮化镓外延片年产能均为12万片,用于制造微波功率器件和电力电子功率器。项目预计2023年2月完成建筑施工。
封面图片来源:拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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