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研发客服12月30日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”，股票代码02577.HK）在香港联合交易所主板挂牌上市。
本次英诺赛科向全球发售4536.4万股H股，每股发行价为30.86港元。此次募集资金主要用于扩大氮化镓产能、产品组合以及应用研发等。
据悉，英诺赛科成立于2017年，是一家专注于第三代半导体氮化镓芯片研发与制造的高新技术企业，产品主要包括分立器件、集成电路、晶圆、模组等。
截至2023年末，以折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，市占率高达42.4%。|
氮化镓作为第三代半导体代表材料，与硅及其他半导体材料相比，氮化镓具有高频、电子迁移率高、导通电阻低、无反向恢复损耗等显著优势。氮化镓功率半导体芯片能够有效降低能量损耗，提升能源转换效率，降低系统成本，实现更小的器件尺寸。
在制造方面，氮化镓（GaN）晶体可以在各种衬底上生长，包括蓝宝石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生长氮化镓外延层（GaN-on-Si）可以使用现有的硅半导体设备，而且可采用低成本、大直径的硅晶片。
此外，目前8英寸硅的设备及流程较6英寸硅更为成熟高效，8英寸氮化镓的生产更具竞争优势。在全球其他氮化镓功率半导体公司如EPC、英飞凌、纳微半导体、Power Integrations等公司提供6英寸产品为主时，英诺赛科已切入8英寸领域。
早在2017年底，英诺赛科珠海制造工厂建成投产，成为中国首条完整的8英寸硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，主要产品包括8英寸硅基氮化镓晶圆及100V-650V氮化镓功率器件。
2021年10月，英诺赛科位于苏州的制造厂建成投产，该制造厂是全球最大8英寸硅基氮化镓晶圆制造厂。
在招股说明书中，英诺赛科表示其已成为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业。受益于先进的8英寸工艺，其每片晶圆的晶粒产出数提升80%，单颗芯片成本降低30%，且良率超过95%。
据TrendForce集邦咨询报告显示，2023年全球氮化镓功率元件市场规模约2.71亿美元，至2030年有望上升至43.76亿美元，CAGR高达49%。其中非消费类应用比例预计会从2023年的23%上升至2030年的48%，汽车、数据中心和电机驱动等场景为核心。
2024年上半年，英诺赛科氮化镓晶圆总产能提升至7.3万片。其中，苏州生产基地产能为4.9万片/年，利用率为71.8%；珠海生产基地2.4万片/年，利用率为74.8%。
本次公开募资，资金主要也将用于氮化镓产能扩张，其中约60%用来扩大8英寸氮化镓晶圆产能、购买及升级生产设备及机器以及招聘生产人员。约20%将用于研发及扩大公司的产品组合，以提高氮化镓产品在终端市场（如消费电子产品、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心）的渗透率。
封面突图片来源：拍信网
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