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研发客服5月18日，赛微电子官微表示，公司与潍坊市青州市合作投建的“青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目”主厂房封顶。该项目于去年4月1日签约。
图片来源：赛微电子
据官微介绍，聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目计划总投资10亿元，规划最终形成总体产能6万片/年，一期产能3万片/年。聚能国际一期产能建设投资5亿元，总规划占地面积40亩，建筑总面积约为1.3万平方米，其中生产净化车间建筑面积约为1万平方米。
聚能国际首席运营官王永海表示，目前已完成基建施工和主体厂房封顶，下一阶段启动建设洁净室机电工程，计划在今年10月开始搬入设备，争取在今年内完成设备的安装与调试。
据了解，赛微电子于2018年7月投资设立聚能创芯，主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓（GaN）功率与微波器件的设计、开发；于2018年6月投资设立聚能晶源，主要从事半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）外延材料的设计、开发、生产。截至目前，作为赛微电子GaN业务一级平台公司，聚能创芯在6-8英寸硅基GaN外延晶圆、GaN功率器件及应用方面已形成系列产品。
赛微电子指出，鉴于GaN（氮化镓）业务市场需求旺盛、自主研制产品性能优异，但却严重受制于外部不可控产能的实际情况，公司与潍坊市青州市政府合作投建此条硅基氮化镓制造产线，有利于赛微电子进一步完善GaN业务的全产业链IDM布局。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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