8月13日,瑞典企业SweGaN宣布,公司生产碳化硅基氮化镓(GaN on SiC)晶圆的新工厂已开始出货,产品将用于下一代5G先进网络高功率射频应用。
资料显示,SweGaN新工厂位于瑞典林雪平,于2023年3月动工建设,可年产4万片4/6英寸碳化硅基氮化镓外延片。SweGaN表示,旗下新工厂开始出货标志着公司从一家无晶圆厂设计厂商,正式转型为一家半导体制造商。
合作方面,今年上半年,SweGaN与未公开的电信和国防公司签订了三份重要的供货协议,使其订单量翻了一番,达到1700万瑞典克朗(折合人民币约1158万元)。近期,SweGaN还与一家器件制造商完成了首个QuanFINE外延片客户资格认证计划。
SweGaN首席执行官Jr-Tai Chen表示,目前,电信行业正大力推动从5G到5G Advanced的技术升级。SweGaN获得专利的QuanFINE无缓冲区碳化硅基氮化镓材料非常适合满足新技术的苛刻要求,尤其是在器件效率和热管理方面。材料适用于电信新标准5G Advanced,以及满足对国防应用中增强传感能力的迫切需求。
封面图片来源:拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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