据吴江工信消息，11月20日，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用，将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地，同时开展大规模量产化工程问题研究，提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。

消息称，本次启用的英诺赛科（苏州）全球研发中心建筑面积3.5万平方米，将围绕“新一代信息功能材料及功率器件”和“战略型新兴产业”需求，重点发展第三代宽禁带半导体氮化镓材料及器件，致力于打造一个国际领先技术水平的技术及产品研发平台，包括芯片设计实验室、氮化镓外延材料实验室、芯片制造实验室、产品开发实验室、产品检测及可靠性分析实验室等等。

同时，现场还举行了英诺赛科8英寸硅基氮化镓芯片生产线建设项目第二阶段产能扩展”项目（即三期银团）贷款签约仪式。

据官网介绍，英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。

英诺赛科的主要产品涵盖从低压到高压（30V-700V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。英诺赛科已在激光雷达、数据中心、5G通讯、高密度高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED 灯照明驱动等方面发布产品方案，并与国内多家应用头部企业开展深度合作，实现量产。

另据TrendForce集邦咨询《2023GaN功率半导体市场分析报告 - Part1》指出，按照2022年的营收来看，GaN功率器件前六大供应商分别是PI、Navitas、英诺赛科、EPC公司、GaN Systems、Transphorm。

GaN功率元件市场的发展主要由消费电子所驱动，核心仍在于快速充电器，其他消费电子场景还包括D类音频、无线充电等。据TrendForce集邦咨询《2023 GaN功率半导体市场分析报告 - Part1》显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。

封面图片来源：拍信网