英诺赛科推出高性价比120W氮化镓方案，采用TO封装，效率达94.6%
【导读】随着终端产品对氮化镓的加速应用，氮化镓市场规模进一步扩大。相较于硅，氮化镓高频率、小体积的优势不言而喻，但价格却仍然让许多方案厂商犹豫不决。英诺赛科坐拥全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造基地，规模化量产使氮化镓成本在行业中具备较强的竞争优势。
随着终端产品对氮化镓的加速应用，氮化镓市场规模进一步扩大。相较于硅，氮化镓高频率、小体积的优势不言而喻，但价格却仍然让许多方案厂商犹豫不决。英诺赛科坐拥全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造基地，规模化量产使氮化镓成本在行业中具备较强的竞争优势。
近期还推出了采用TO252 / TO220封装的氮化镓新品，并将其应用在120W 双面板适配器方案中，将高效率、高功率密度和高性价比三项特性发挥到极致。
01 主要参数
尺寸
56mm*46mm*20mm
效率
94.6%@230Vac（without NTC）
功率密度
38W/in^3
InnGaN
INN700TK240A（TO252）
INN700TJ240A（TO220F）
02 拓扑结构
Flyback （CCM @90Vac / QR）
03 封装优势
借助于InnoGaN平面结构的特点，TO252 封装散热PAD 可连接大面积散热铜箔，TO 220 封装散热片加装更加简单；
相比Si MOS，TO 封装的GaN 能够使 Cpe 减小5/6，共模噪音减小5/6；
InnoGaN TO封装的驱动回路G-S与功率回路D-S天然解耦，能将layout设计达到更优。
04 温升对比
在相同功率方案的测试对比下，采用 TO 封装的 INN700TJ240A 温升表现比 Si MOS 更优，最大温度收益可达到18℃。
05 方案优势
1.无PFC架构，输入低压器件损耗大，充分利用GaN Source接散热PAD结构及优化系统设计，使得Demo功率密度和效率达到业界最优，输入90Vac带满载6分钟工况下温升问题也得以解决；
2.开拓了E-mode GaN TO封装参考设计，将效率和功率密度发挥到极致，为客户提供了应用指导。
06 应用领域
采用TO封装的氮化镓120W大功率方案为手机充电厂商提供了高效率、小体积、高性价比的参考设计，是手机、平板、笔记本电脑等消费类电子产品快充的绝佳选择。
英诺赛科 TO 封装产品列表
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