近日,据《路透社》旗下IFR报道,英诺赛科正计划最早于今年内,在香港进行IPO,融资规模约3亿美元。
据悉,英诺赛科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业。
产能方面,英诺赛科采用IDM全产业链模式,现拥有两座8英寸硅基氮化镓生产基地,产能达到每月15000片,并将在未来逐渐扩大至每月70000片以上。
近年,得益于新能源汽车等应用强劲发展,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体迎来发展机遇,并深受资本市场青睐。
除英诺赛科外,据不完全统计,国内还有晶亦精微、瀚天天成、纳设智能、芯三代等相关厂商积极瞄准IPO,有的已经进入上市辅导阶段,有的则已经获得受理。
封面图片来源:拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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