【导读】英诺赛科推出多款采用TO252 / TO220 封装的直驱氮化镓芯片，基于先进的8英寸硅基氮化镓技术，耐压从650V升级到700V，并迅速量产出货，为终端产品的电源设计提供了丰富选择。

英诺赛科推出多款采用TO252 / TO220 封装的直驱氮化镓芯片，基于先进的8英寸硅基氮化镓技术，耐压从650V升级到700V，并迅速量产出货，为终端产品的电源设计提供了丰富选择。

主要产品介绍

INN700TK140C

INN700TK140C是一颗耐压700V，导阻140mΩ的增强型氮化镓芯片，采用T0252封装，具备超高开关频率、无反向恢复电荷，低栅极电荷和低输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。

该产品可应用于交直流变换器，DC-DC转换器，图腾柱PFC，高功率密度和高效率的电源功率转换。

INN700TK190B

INN700TK190B是一颗耐压700V，导阻190mΩ的增强型氮化镓芯片，同样采用T0252封装，具备超高开关频率、无反向恢复电荷，低栅极电荷和低输出电荷，符合JEDEC工业应用标准，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。

可用于PFC开关电源，对称半桥/LLC/反激开关电源应用，DC-DC转换，LED照明，电池快充，笔记本电脑适配器，电脑以及电动工具电源等高能效高功率密度功率转换应用。

该系列 InnoGaN 还囊括了240mΩ/350mΩ/480mΩ/600mΩ等不同导阻，相同封装的产品，极大满足了不同应用终端的需求。

INN700TH240B

INN700TH240B 是一颗耐压700V，导阻240mΩ的增强型氮化镓芯片，采用TO220封装。基于氮化镓的特性，该产品支持超高开关频率，无反向恢复电荷，低输出电荷，同时符合JEDEC工业应用标准，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。

该产品可用于开关电源PFC图腾柱、AC-DC转换、DC-DC转换、电池快充等高能效、高功率密度的功率转换应用场景。

采用TO220封装的InnoGaN 同样集齐了140mΩ/190mΩ/240mΩ/350mΩ等不同导阻，为多场景应用提供高效支持。

TO 封装优势

从材料特性上看，相较于相同规格TO封装的Si MOS，InnoGaN 具备更高的开关速度，更低导通阻抗，且无反向恢复电荷等特性，能够提高方案的整体效率。

从结构上看，GaN TO封装的散热PAD连接source端，Si MOS连接Drian，这就使得在系统设计上，InnoGaN的Cpe 可以减小 5/6，共模噪音减小5/6。

从系统上看，TO252封装使得GaN器件可用于红胶工艺。客户可通过使用单面板进行设计生产，进一步降低系统成本。TO220封装可与传统散热方案结合，令产品适用于更多场景的开关电源产品。

InnoGaN

Si MOS

基于8英寸硅基氮化镓的研发工艺和大规模量产能力，英诺赛科产品得到迅速迭代和商用。截至2023年上半年，高、中、低压 InnoGaN 的封装形式日渐丰富，已从早期的DFN拓展到 Toll，TO 252/220，FCQFN，LGA，WLCSP 等多种样式，同时也推出了 Solid GaN 合封系列，加速氮化镓市场的应用，为高效能源助力。

英诺赛科是全球领先的GaN IDM高新技术企业，汇集了半导体行业资深的研发与应用团队，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与制造。拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产能力，产品设计及性能处于国际先进水平，为客户提供从15V到700V的高、低压全功率氮化镓芯片。自2015年成立至今，英诺赛科已获专利700多项，累计出货量超2.5亿颗。产品可广泛应用于消费电子、服务器电源、汽车电子及新能源领域等前沿领域。

英诺赛科，用氮化镓打造绿色高效新世界！

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