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俄罗斯：2024年将制造350nm光刻机;根据俄罗斯媒体报道指出，俄罗斯本身正在研发生产芯片的光刻机。其工业和贸易部副部长Vasily Shpak在接受媒体访问时指出，2024年将开始生产350纳米光刻机......
3.5 版本，甚至在许多情况下提供了优于 ChatGPT 4.0 的回答。 据俄罗斯cnews报道，圣彼得堡创建了一个光刻综合体，该综合体包括用于无掩模纳米光刻......
再努力出货，供应客户是长江存储（复购）、合肥长鑫、燕东微及青島芯恩，每台约9000万人民币。上海微SWEE目前每年的出货能力是6-7台。 现阶段90纳米光刻机的另部件国产化率已达70-80%，基本......
再努力出货，供应客户是长江存储（复购）、合肥长鑫、燕东微及青島芯恩，每台约9000万人民币。上海微SWEE目前每年的出货能力是6-7台。 现阶段90纳米光刻机的另部件国产化率已达70-80%，基本......
于蚀刻生产无掩模芯片，这将有助于俄罗斯在微电子领域技术领域获得主动权。 该设备综合体包括用于无掩模纳米光刻和等离子体化学蚀刻的设备，其中一种工具的成本为500万卢布（约36.7万元人民币），另一......
成本几十万，俄罗斯也要自研“光刻机”？;据俄罗斯cnews报道，圣彼得堡创建了一个国内光刻综合体，在其中包括了一个在基板上进行无掩模图像采集和硅等离子化学蚀刻的设备。开发人员声称，第一台用于无掩模纳米光刻......
有助于在微电子领域技术领域获得主动权。本文引用地址：该设备综合体包括用于无掩模纳米光刻和等离子体化学蚀刻的设备，其中一种工具的成本为500万卢布（约36.7万元人民币），另一种工具的成本未知。 开发人员介绍，传统光刻......
国产光刻机工厂落地雄安？中国电子院澄清;近期，一则“7纳米光刻机实现国产化”消息在业界刷屏，消息指出清华大学EUV项目实现了光刻机国产化，并表示该项目已在雄安新区落地。 对此，9月18日中......
联动”，先进工艺产能、核心芯片能级、关键设备和基础材料配套支撑能力不断提升，14纳米先进工艺规模实现量产，90纳米光刻机、5纳米刻蚀机、12英寸大硅片、国产CPU、5G芯片等实现突破。 吴金......
器、生物芯片、纳米光学器件、纳米级晶体管、存储器、微流控、抗反射涂层或薄膜、超疏水表面、超滤膜等 [14]，但这项技术还没有进入大规模生产阶段。 目前，日本的佳能（Canon）、奥地利的 EV......
芯片。 此前佳能一直专注于制造不太先进光刻机产品。直到2014年，佳能收购了Molecular Imprints股份有限公司，开始押注纳米压印技术。 近十年来，佳能一直在与日本光罩等半导体零组件制造商大日本......
线宽，双线间距低至约50纳米的超分辨光刻。未来将这一技术工程化应用到光刻机上，能够突破光学衍射极限对投射电路尺寸的限制从而实现超分辨光刻，有望使国产集成电路光刻机......
绕过EUV光刻机技术！佳能开始销售5nm芯片生产设备; 10月14日消息，光刻机大厂佳能(Canon)公司近日通过新闻稿宣布，其已经开始销售基于“纳米印刷”(Nanoprinted......
光刻机。 如果目标是阻止中国扩大其14纳米工艺技术大规模量产，那么必须阻止所有可以实现节点上最小金属间距64纳米的工具，理论上，连KrF光刻机......
提高精准度。但相对研发困难度也会增加。台积电表示，光源还可以继续用193纳米，但换个介质试试，不再以空气当介质。于是ASML尝试以水为介质，光源通过水会产生折射，使193纳米光源实际效果可能比157......
佳能产日本首台半导体光刻机PPC-1发售50周年;佳能于1970年发售了日本首台半导体光刻机PPC-1，今年是佳能正式投入半导体光刻机领域50周年。半导......
专家组都说了：‘该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。项目在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过国外相关知识产权壁垒。’这里......
成本几十万元，俄罗斯自研光刻机又突破了？;假期期间，俄媒CNews报道称，圣彼得堡已开发出两个用于生产微电子纳米结构的装置，可能解决俄罗斯在微电子领域方向的主权问题，包括两个设备，一个是在基板上进行无掩模的光刻......
以低成本制成尖端微细电路的新一代设备。 目前，佳能公司与大日本印刷、铠侠正共同开发纳米压印设备，在学术界，日本研究者也已经演示了10纳米分辨率的纳米压印技术，据估计如使用纳米压印制造先进制程芯片，成本将比现有EUV光刻机......
日本佳能：我们能造2nm芯片！不需要ASML光刻机;日本光刻机大厂（Canon）在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的纳米压印（Nanoprinted lithography，NIL）设备......
大UBC大学等高校科研机构合作建设了光刻材料研发实验室，成功研发出世界最先进的193纳米光刻胶单体并实现规模化生产，成为中国唯一的高端光刻胶单体材料研发和规模化生产企业。 此外，为助......
系统FPA-1200NZ2C，佳能表示这款设备可以实现最小线宽为14纳米的电路图案，相当于当前生产先进逻辑半导体用到的5纳米节点。 另据佳能透露，经由改良、期待未来NIL光刻机......
丽国厂商把持的工艺设备。据方正证券的电子首席分析师陈杭表示，目前光刻机大致分为两类：一是DUV深紫外线光刻机，其可以制造0.13微米到7纳米的芯片；二是EUV极紫外线光刻机，适合7nm到3nm以下芯片。目前DUV光刻机......
各半导体厂家依然会继续“争抢”光刻机。据说，由于很难采购到光刻机，三星电子领导人在2020年秋季奔赴ASML谈判后，于2021年成功引进了15台。 近日，一家由日本开发银行、伊藤......
芯片能级、关键设备和基础材料配套支撑能力不断提升，14纳米先进工艺规模实现量产，90纳米光刻机、5纳米刻蚀机、12英寸大硅片、国产CPU、5G芯片等实现突破。 吴金城指出，上海......
佳能押注“纳米压印”技术，价格比 ASML EUV 光刻机“少一位数”;11 月 6 日消息，日本佳能一直在投资纳米压印（Nano-imprint Lithography，NIL）这种......
压印技术，完全有替代EUV光刻机的可能性，目前国内也在研究这个技术。 不过研究最好的还是日本的佳能，佳能在NIL技术上专利全球最多，且已经有了量产机器，目前在改进精度，希望国产加油，也能够赶紧推出NIL光刻机......
日本尼康宣布全新ArF浸没式光刻机：精度小于2.1纳米; 12月10日消息，宣布，将于2024年1月正式推出ArF 193纳米浸没式“NSR-S636E”，生产效率、套刻......
美国与荷兰日本达成“最强”对华限制协议？将倒逼中国自研半导体设备;据彭博社报道，、已经同意加入针对的半导体制裁。三国将组建反华技术封锁网络：或将全面禁止向出口DUV光刻机和配件、技术服务；将全......
成电路芯片制造中最复杂和关键的工艺步骤。光刻机的曝光分辨率与波长直接相关，半个多世纪以来，光刻机光源的波长不断缩小，芯片工业界公认的新一代主流光刻技术是采用波长为13.5纳米光源的EUV（极紫外光源）光刻......
舞台上看不到中国装备的身影。 吴汉明强调，自主可控固然重要，但也要认识到集成电路产业是全球性的产业。以EUV光刻机为例，涉及到十多万零部件，需要5000多供应商支撑，其中32%在荷兰和英国，27%供应商在美国，14......
实现最小线宽为10nm的电路图案，相当于2nm节点。   半导体制造领域，光刻机是昂贵且关键的设备，而纳米压印设备被多家日本半导体设备厂商视作替代光刻机的“下一代设备”，担负......
我们会投入资金进行相关工艺的探索和开发。” 极紫外光刻产业：不仅只有EUV 光刻机供应商除ASML之外，还有日本厂商尼康和佳能。随着EUV变得越来越重要，ASML的优势正变得越来越明显。佳能和尼康仅能在“深紫外线”（DUV）光刻......
头争霸的格局。值得注意的是2016年Q1的ASML销售额中，有35%销往中国，除了三星在西安的超大型3D 10纳米级NAND芯片厂扩产外 和intel在大连的芯片厂升级外，中国本土厂商也买到了ASML的光刻机......
生产导入EUV（极紫外光）设备，其DRAM芯片产品皆采用DUV（深紫外光）光刻机制造。 近期，媒体报道美光计划于2024年开始在其10纳米级的1γ制程技术上进行EUV光刻技术的试生产，预计......
10%，连耗电量也是传统EUV的10%。美光对外宣布将首先采用日本佳能的纳米压印NIL光刻机，进一步降低DRAM生产成本。一旦存储巨头美光获得成功，佳能的NIL光刻机将会迅速推广，届时ASML的EUV......
于下半年开始试产，2025年二季度小量生产。 英特尔方面，去年年底ASML已将全球首台高数值孔径 High NA EUV EXE:5200交付给了英特尔，助力后者生产2nm芯片。随后英特尔开启了光刻机......
后者生产2nm芯片。随后英特尔开启了光刻机调试工作，并且进展顺利。 今年2月英特尔和ASML技术支持团队联合宣布已打开EXE:5000光刻机的光源，并使光线到达抗蚀剂。业界表示，这是光刻机......
美国芯片大厂或将采用纳米压印光刻机！; 业内消息，近日美国存储芯片大厂计划首先采用日本的纳米压印（NIL），旨在通过佳能的纳米压印光刻机设备来进一步降低生产DRAM存储......
光刻机巨头ASML三季度净销售额近40亿欧元，毛利率45.7%;荷兰埃因霍温时间2020年10月14日，荷兰半导体设备巨头ASML在官网发布2020年第三季度财报。财报显示，该公......
纳米及更先进制程，必须借助光刻设备转印半导体电路图案。追逐先进制程的芯片制造厂商中，台积电和三星均已引入光刻机。目前，台积电和三星已进入5nm工艺的量产阶段，台积电代工的产品包括苹果A14、M1、华为......
危言耸听。但是也不必担心，因为只有工艺制程达到7纳米及以下时才会使用EUV光刻机。   对于这样的现状，首先心态要放正确。西方继续压制中国半导体业的进步，这个政策在相当长时间内还会持续下去。然而......
装置基础上进行了优化，进而达到匀光的目的。 EUV光刻机的中文名字就叫极紫外光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术，可使曝光波长一下子降到14纳米以下的特征尺寸。 但问题是EUV光刻机......
俄罗斯媒体：中国在微芯片竞争中逐渐赶上;俄罗斯《消息报》8月7日文章，原题：重大成就：中国在微芯片竞争中逐渐赶上 据中国媒体报道，上海微电子有望年底前推出28纳米浸没式光刻机。尽管中国的新光刻机......
华虹宏力中紫外步进式光刻机项目中标结果公示;7月18日，中国招标投标公共服务平台官网公示，上海华虹宏力半导体制造有限公司（以下简称“华虹宏力”）中紫外步进式光刻机项目中标结果。标的物为中紫外步进式光刻机......
足对人工智能相关的高带宽内存(HBM)和第五代双倍数据速率随机存取存储器(DDR5)的需求。 佳能交付首台新型纳米压印光刻机 在光刻机市场竞争中，佳能的策略是专注于KrF和i-line，而不涉及EUV......
近500亿元！EUV光刻机巨头挣翻了;7月17日，全球最大的光刻设备厂商阿斯麦（ASML）公布2024年第二季度业绩。根据数据，ASML Q2总净销售额 62.43亿欧元（约491亿元人民币），净利......
所将带来的经济效益，小池淳义表示，从开始量产的2027年至2036年期间，预估累计将达18万亿日元。 据悉，Rapidus将在2纳米晶圆厂中引入10台极紫外 （EUV） 光刻机。此前，媒体......
Rapidus本月接收EUV光刻机，对2nm量产有信心;日本经济新闻的报道，日本新创半导体制造商Rapidus的会长东哲郎，在本月11日于SEMICON Japan会议的开幕式上致词时表示，对该......
，压在晶圆上面就是多少纳米”；同时，“纳米压印的图案每一层都一次压印成形，不像传统光刻会用到SADP/SAQP（多重曝光）等复杂工艺”。 其特点在于制造成本更低，而且耗电量也远低于EUV光刻机......

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