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研发客服业内消息，近日美国存储芯片大厂计划首先采用日本的纳米压印（NIL），旨在通过佳能的纳米压印光刻机设备来进一步降低生产DRAM存储器的成本。
由于光学系统特性，DRAM层图案很难用光学曝光图案，纳米压印可实现更精细的图案，且成本是浸润式光刻的20%，成为较佳的解决方案。但纳米压印并不能在存储器生产所有阶段取代传统光刻，两者并非纯粹竞争关系，但至少可以降低部分技术操作成本。
此前美光科技举办讲会，介绍纳米压印技术用于DRAM生产的细节。阐述了DRAM制程和浸润式曝光解析度的问题，通过Chop层数不断增加，必须增加更多曝光步骤，以取出密集存储阵列周围的虚置结构。
佳能于2023年10月推出新型FPA-1200NZ2C纳米压印，可将电路图案直接印在晶圆上，佳能强调了该设备的低成本和低功耗，号称通过纳米压印光刻（NIL）技术实现了目前最先进的半导体工艺，使该设备的前景成为行业争论的话题。
佳能半导体设备业务部长Iwamoto Kazunori在解释纳米压印技术时表示，纳米压印技术就是把刻有半导体电路图的掩模压印到晶圆上。在晶圆上只压印一次，就可以在合适的位置形成复杂的2D或3D电路。如果改进掩模，甚至可以生产电路线宽达到2nm节点的产品。目前，的纳米压印技术使图案的最小线宽对应5nm节点逻辑半导体。
文章来源于:21IC 原文链接
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