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研发客服日本经济新闻的报道，日本新创半导体制造商Rapidus的会长东哲郎，在本月11日于SEMICON Japan会议的开幕式上致词时表示，对该企业的2纳米节点制程的试产线充满信心。
东哲郎表示，Rapidus 的EUV 光刻设备将于本月交货给工厂， 还有200余台设备陆续交货。 所有设备2025年3月底前到位，启动生产2纳米芯片试产线。 客户试产期间可测试，确认芯片能否实用。
根据 Rapidus 规划，完成试产后目标 2027 年 4 月量产 2 纳米。 Rapidus 曾表示与 40 多家潜在客户洽谈中。
Rapidus合作伙伴IBM日前于IEEE IEDM 2024国际电子元件会议，展示合作的多阈值电压GAA晶体管成果，有望用于Rapidus 2纳米。 IBM表示，先进制程升级至2纳米后，晶体管结构由使用多年的FinFET鳍式场效应晶体管，转成GAAFET全环绕栅极场效应晶体管，对制程改朝换代带来新挑战。 如何达多阈值电压（Multi Vt），让芯片以较低电压执行复杂计算是个挑战。
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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