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研发客服近日，佳能宣布成功交付首台新型纳米压印（NIL）光刻机，设备将被送往美国得克萨斯电子研究所（TIE）。
资料显示，TIE设立于2021年、是由德州大学奥斯汀分校支持成立的半导体联盟，由德州当地政府、半导体企业、国立研究所等所组成，而TIE将使用NIL光刻机进行研发与试产先进半导体。
传统的光刻机通过将电路图案投影到涂有光刻胶的晶圆上来转移电路图案，佳能的设备则是通过将“印有电路图案的掩模像印章一样压入晶圆上的光刻胶中”来生产芯片。由于电路图案的转移不需要通过光学机制，掩模上的精细电路图案可以在晶圆上再现。
早在去年十月，佳能便发布了全球首台商业化纳米压印光刻系统FPA-1200NZ2C，佳能表示这款设备可以实现最小线宽为14纳米的电路图案，相当于当前生产先进逻辑半导体用到的5纳米节点。
另据佳能透露，经由改良、期待未来NIL光刻机可进一步用来生产2纳米产品。此外，日媒报道，佳能光学设备事业本部副本部长岩本和德近日对外表示，目标在3-5年内、每年卖出十几台光刻机。
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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