DUV光刻机遭进一步限制,中国仍有破局之路

发布时间:2023-01-30  

【导读】针对近期荷兰、日本加入对华半导体设备出口管制的动向,知名行业分析师Dylan Patel认为,三方所达成的合作意向依然非常初步,本质上仍是口头协议,其中存在不少漏洞。


DUV光刻机遭进一步限制,中国仍有破局之路


针对近期荷兰、日本加入对华半导体设备出口管制的动向,知名行业分析师Dylan Patel认为,三方所达成的合作意向依然非常初步,本质上仍是口头协议,其中存在不少漏洞。


Patel指出,如果目标是阻止中国获得14nm、7nm或5nm工艺技术,那么禁令必须达到能够处理这些节点功能的不同级别的工具。例如台积电的16nm和12nm工艺技术,最小金属间距为64nm,台积电的7nm工艺技术最小金属间距为40nm。台积电的5nm工艺技术最小金属间距为28nm,出口禁令应基于这些参数制定适用标准。


Patel还认为,通过SAQP等工艺和浸没式DUV光刻机,中芯国际已经实现了7nm工艺技术,而且这并不是经济上可实现的极限,台积电N5工艺使用的28nm最小金属间距可以在没有EUV的情况下制造。使用ArFi光刻的SAQP理论上也可以实现。如果目标是阻止中国实现5nm制程技术,那么ArFi的出货就必须被阻止,ASML和Nikon可以制造该类机台。


如果目标是阻止中国实现7nm工艺技术的大批量生产,那么就必须阻止所有能够实现最小金属间距40nm的光刻工具,这就必须涉及到限制干式ArF光刻机。


如果目标是阻止中国扩大其14纳米工艺技术大规模量产,那么必须阻止所有可以实现节点上最小金属间距64纳米的工具,理论上,连KrF光刻机业需要纳入限制,SAQP搭配KrF 光刻机,尽管经济效益已经不是最优的,但足以应对紧急的国内需求,根据Patel推算,不考虑经济成本,仅凭现有的DUV工具,中芯国际理论上就可以实现每月超过100000片晶圆的7nm代工产能。这高于三星和英特尔先进节点(<=7nm)代工产能的总和。如果华虹、华力、长江存储、长鑫存储等本土企业的所有存量DUV设备都被中芯国际调用,那么他们所能建设的7nm产能将甚至远超台积电。


此外,Patel还认为光刻胶和光刻机关键零部件目前并无出口限制,这也是一个重大的漏洞,如果目标是遏制中国在前沿节点上的能力,也必须阻止这些工具的流通,关键供应商很容易被上海微电子等本土光刻机厂商所触及。


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