外媒报导，半导体制程一家独大的极紫外光曝光设备（EUV）厂商艾司摩尔（ASML），几乎成为各半导体制造商发展不可或缺的伙伴，尤其10纳米以下先进制程，没有EUV协助几乎不能做。ASML如何爬上龙头之位，有两个关键转折点。

20年前ASML只是名不见经传的小企业，和日本Nikon、Canon相较只能算小型公司。让ASML一举成为国际大公司，并甩开与竞争对手的差距，两个转折点至关重要，之一发生在2004年。

2004年全球半导体业界的曝光设备光源都是193纳米，且是乾刻法。要往新一代制程发展时，须提升光源到157纳米，才能提高精准度。但相对研发困难度也会增加。台积电表示，光源还可以继续用193纳米，但换个介质试试，不再以空气当介质。于是ASML尝试以水为介质，光源通过水会产生折射，使193纳米光源实际效果可能比157纳米好。

对台积电的建议，Nikon、Canon都觉得不实际，不如直接研究157纳米光源的曝光设备。小企业的ASML觉得自己规模没有竞争对手大，不如跟台积电一起尝试，成功当然很好，失败了也没太大损失。这次尝试让ASML真的开发出新产品，水介质的浸润式曝光设备也一举爆红。新设备除了成功把半导体生产精准度更提高，且成本低、研发速度快，ASML短短5年就拿下全球过半市场，Nikon、Canon想跟进时已来不及。

第二次ASML大幅成长的机会则是2015年，水介质浸润式曝光设备发展到极限，接下来研究方向以波长13.5纳米的极紫外光EUV光刻设备为主。这时英特尔领头，成立组织EUV LLC，以研究EUV光刻设备为目标。加入EUV LLC的ASML觉得，一旦研发出先进EUV光刻设备，可能会被美国提防，于是决定让出公司股份，让英特尔、台积电、三星等半导体制造大厂成为股东。

证实ASML决定不仅消除美国顾虑，还赢得盟友，还因合作得到许多技术支持，顺利推出EUV光刻设备，还不愁没有地方卖，每家半导体制造商都抢着要。这关键一脚使ASML EUV光刻设备一家独大，完全垄断市场。

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