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“有所为，有所不为”的策略选择，尤其是要迅速的加大技术轮子的力度，加强研发的进程，对于中国半导体业的发展是格外的迫不及待。
-莫大康
2017年8月28日
导读
近日见到一文“7nm大战在即买不到EUV光刻机的大陆厂商怎么办？”。
受“瓦圣纳条约“的限止，今天中国即便有钱想买EUV光刻机也不可能，此话是事实，不是危言耸听。但是也不必担心，因为只有工艺制程达到7纳米及以下时才会使用EUV光刻机。
受“瓦圣纳条约“的限止，今天中国即便有钱想买EUV光刻机也不可能，此话是事实，不是危言耸听。但是也不必担心，因为只有工艺制程达到7纳米及以下时才会使用EUV光刻机。
对于这样的现状，首先心态要放正确。西方继续压制中国半导体业的进步，这个政策在相当长时间内还会持续下去。然而时代在改变，双方都有一定的依赖性，因此是一场力量的搏奕。如果自身缺乏足够强大的力量，那就会丧失争辩的余地。
芯片设计业走在前列
现阶段中国的IC 设计业肯定走在前列，如海思的Kirin 970，它将是华为第一款采用 10 纳米制程技术的手机芯片，而且将继续由晶园代工龙头台积电来进行代工，预计将可能在 2017 年底前问世。所以从中国的芯片设计业角度，一定需要去思考7纳米及以下的进程。
另外从IC研发角度，对于7纳米及以下的工艺制程，由于周期很长，现在启步也很有必要，但是研发与量产是两个不同的阶段，差异很大，也并非一定要用EUV光刻，用电子束光刻也同样可以。电子束光刻的问题不是精度不够，而是速度太慢，每小时才10片硅片左右。
但是现阶段中国芯片制造业的龙头企业中芯国际,它的量产制程能力是28纳米，几乎差了三代。因此假设有一天台积电不让海思代工，而海思也找不到其它的候补者，如三星，英特尔，或者格罗方德等，那么情况是严峻的，但也没有什么可怕，事情真逼到这一刻，或许会促进中芯国际等更加倍的努力。
研发与制造不一样
仅从IC研发角度，中国半导体业从理性上至少要提前量产水平的两代或者以上，决定于有经费的支持，及具备有相应的人材条件等。
然而对于建造芯片制造生产线，它由市场，技术及人材与竞争对手等条件来决定，需要作市场可行性的论证。
显然还有一个最关键的因素，建一条7纳米芯片生产线，月产能40，000片大约需要近80亿美元，如果考量它的投资回报率ROI，此等决定要非常的谨慎。
因此，未来中国半导体业的发展，从研发角度，10纳米，7纳米等都可以，提早布局也应该，然而对于兴建芯片生产线，至少在近时期內，可能14纳米工艺制程是一个务实的目标。
要争气，要迅速的自强，否则永远抬不起头
因此现阶段中国半导体业的发展要作好两手的准备：
一个方面是继续改革开放，引进先进制程技术与加强研发，力求共同发展与共享成果；
另一方面是要作好”万一”发生时的各种应对”预案”。
任何时候要树立足够的信心，回顾上世纪70-80年代，西方实行严格的禁运策略，更多的半导体设备都不允许进入中国，可那时的中国半导体业不仅没有趴下，反而取得不少的成绩。
现在的时代己经改变，”你中有我，我中有你”与”合则双赢，斗则双输”，这个道理其实是双方都心知肚明，关键是中国半导体业要争气，要迅速的自强，否则永远会抬不起头。
西方的策略也不再是铁板一块，如近期展讯的手机芯片在英特尔代工，采用先进的14纳米工艺平台，下一阶段在它的Zane Ball的工艺图谱上还包括10纳米、及7纳米制程。
总之，按照中国芯片制造业的现状，离7纳米制程量产可能尚有些远。而且EUV光刻的配套设备与材料也十分复杂，包括光源,光刻胶，掩膜(mask)，中间掩膜(reticle)，及缺陷检查仪等。因此可以说化1亿美元马上去购买1台EUV光刻机,可能并非完全有必要，而且它的耗电量也十分惊人。
事情总是“有所为,有所不为”，在许多情况下“什么事不为”往往是很难下决心。现阶段对于中国的芯片制造业最紧迫的任务是扩大28纳米的全球市占率，以及加速14纳米与以下制程的研发进程。
如果真到那个时刻，中国的IC设计芯片找不到地方可以代工，恐怕”坏事会变成好事”，会更加促进如中芯国际等公司的急起直追。
虽然“资本与技术两个轮子”推动着中国半导体业的进步，但是现阶段明显是技术轮子要小很多，而资本的轮子大，也表示孕育着更大的风险。
所以“有所为，有所不为”的策略选择，尤其是要迅速的加大技术轮子的力度，加强研发的进程，对于中国半导体业的发展是格外的迫不及待。
芯片设计业走在前列
现阶段中国的IC 设计业肯定走在前列，如海思的Kirin 970，它将是华为第一款采用 10 纳米制程技术的手机芯片，而且将继续由晶园代工龙头台积电来进行代工，预计将可能在 2017 年底前问世。所以从中国的芯片设计业角度，一定需要去思考7纳米及以下的进程。
另外从IC研发角度，对于7纳米及以下的工艺制程，由于周期很长，现在启步也很有必要，但是研发与量产是两个不同的阶段，差异很大，也并非一定要用EUV光刻，用电子束光刻也同样可以。电子束光刻的问题不是精度不够，而是速度太慢，每小时才10片硅片左右。
但是现阶段中国芯片制造业的龙头企业中芯国际,它的量产制程能力是28纳米，几乎差了三代。因此假设有一天台积电不让海思代工，而海思也找不到其它的候补者，如三星，英特尔，或者格罗方德等，那么情况是严峻的，但也没有什么可怕，事情真逼到这一刻，或许会促进中芯国际等更加倍的努力。
研发与制造不一样
仅从IC研发角度，中国半导体业从理性上至少要提前量产水平的两代或者以上，决定于有经费的支持，及具备有相应的人材条件等。
然而对于建造芯片制造生产线，它由市场，技术及人材与竞争对手等条件来决定，需要作市场可行性的论证。
显然还有一个最关键的因素，建一条7纳米芯片生产线，月产能40，000片大约需要近80亿美元，如果考量它的投资回报率ROI，此等决定要非常的谨慎。
因此，未来中国半导体业的发展，从研发角度，10纳米，7纳米等都可以，提早布局也应该，然而对于兴建芯片生产线，至少在近时期內，可能14纳米工艺制程是一个务实的目标。
要争气，要迅速的自强，否则永远抬不起头
因此现阶段中国半导体业的发展要作好两手的准备：
一个方面是继续改革开放，引进先进制程技术与加强研发，力求共同发展与共享成果；
另一方面是要作好”万一”发生时的各种应对”预案”。
任何时候要树立足够的信心，回顾上世纪70-80年代，西方实行严格的禁运策略，更多的半导体设备都不允许进入中国，可那时的中国半导体业不仅没有趴下，反而取得不少的成绩。
现在的时代己经改变，”你中有我，我中有你”与”合则双赢，斗则双输”，这个道理其实是双方都心知肚明，关键是中国半导体业要争气，要迅速的自强，否则永远会抬不起头。
西方的策略也不再是铁板一块，如近期展讯的手机芯片在英特尔代工，采用先进的14纳米工艺平台，下一阶段在它的Zane Ball的工艺图谱上还包括10纳米、及7纳米制程。
总之，按照中国芯片制造业的现状，离7纳米制程量产可能尚有些远。而且EUV光刻的配套设备与材料也十分复杂，包括光源,光刻胶，掩膜(mask)，中间掩膜(reticle)，及缺陷检查仪等。因此可以说化1亿美元马上去购买1台EUV光刻机,可能并非完全有必要，而且它的耗电量也十分惊人。
事情总是“有所为,有所不为”，在许多情况下“什么事不为”往往是很难下决心。现阶段对于中国的芯片制造业最紧迫的任务是扩大28纳米的全球市占率，以及加速14纳米与以下制程的研发进程。
如果真到那个时刻，中国的IC设计芯片找不到地方可以代工，恐怕”坏事会变成好事”，会更加促进如中芯国际等公司的急起直追。
虽然“资本与技术两个轮子”推动着中国半导体业的进步，但是现阶段明显是技术轮子要小很多，而资本的轮子大，也表示孕育着更大的风险。
所以“有所为，有所不为”的策略选择，尤其是要迅速的加大技术轮子的力度，加强研发的进程，对于中国半导体业的发展是格外的迫不及待。
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文章来源于:半导体行业观察 原文链接
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