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前开始量产162层NAND产品。西数还透露，2032年之前将陆续推出300层以上、400层以上与500层以上闪存技术。 至于SK海力士，最新的3D NAND层数是176层，但其前CEO李锡......
铠侠西数宣布推出218层3D NAND;近日，存储器大厂铠侠和西部数据共同宣布推出最新的218层3D NAND闪存。据铠侠首席技术官Masaki Momodomi介绍，公司与西数......
300层3D NAND，铠侠/西数将解读新技术;近日，据外媒报道，铠侠和西部数据计划在2023年6月举行的VLSI技术和电路研讨会上展示3D NAND技术创新。 报道称，两家......
有望出现大幅跳水。 西数表示，这种大容量TLC NAND存储芯片采用了此前256GB版本上所使用的BiCS 3技术，由于在3D NAND生产方面仍有一些困难，因此暂时不会大量生产，而这也是当前NAND芯片......
染事故将减少6.5 EB的3D NAND闪存的产量。 综合西数和铠侠的报告，两家工厂可能有多达16EB的闪存被浪费，该数字约占到本季度闪存市场10%以上的份额。另据Omdia 统计的2021年第......
西数曝光技术路线图；DRAM营收排名出炉；国内新增3D NAND项目;四大晶圆代工厂商传出涨价消息 进入5月，全球前十大晶圆代工厂商有台积电、三星、联电、中芯国际四家传出涨价消息。 近日......
在日本三重县和岩手县的两家合资工厂停工。在2月，西数预估该起事故将造成减少至少6.5EB（1EB=1024PB ，1PB=1024TB）闪存产能。铠侠也预计传统2D闪存的出货不会受影响，而3D NAND闪存......
缺货！涨价！存储厂商纷纷抢滩3D NAND闪存和SSD; 版权声明：本文由半导体行业观察整理自网络内容，如需转载，请与我们联系，谢谢。 今年的存储器市场异常火爆，特别......
铠侠和西数宣布推出第六代162层3D闪存;近日，铠侠（Kioxia）和西数（Western Digital）宣布，双方已经合作开发了第六代162层3D闪存技术。新闻稿指出，这是......
就一起来回顾下截至目前，2022年存储产业发生的那些大事件（排名不分先后）。 铠侠/西数合资工厂被污染 今年1月下旬，铠侠与西数合资的NAND Flash产线部分物料受到污染，并于2月底......
实现1000层NAND Flash，此举也将助力三星之后推出1PB SSD。 美光闪存技术路线（Source：美光） 西数、铠侠闪存技术路线（Source：西数） 3D......
后，计划推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品；铠侠与西数也在积极探索300层以上、400层以上与500层以上的3D NAND技术；三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层......
达到39.87亿美元，较第二季成长5.9%。 从产能分析，三星仍照原计划逐季缩减Line12的2D NAND产品，并在持续转进新制程的同时，维持相同的3D NAND投片规模。在新产能方面，西安......
13日发布的最新财报中表示，污染事件影响了部分3D NAND（BICS）的生产，目前污染问题已经解决，公司在2月底恢复了全部产能。 铠侠西数原料污染事件对闪存产业影响重大，全球......
分投资得到了日本政府的资金补贴。 今年年初，铠侠和西数宣布，双方位于四日市和北上市的合资制造工厂已获得政府补贴，金额高达1500亿日元，其中包括生产最新一代3D NAND的工......
位于四日市和北上市的合资制造工厂已获得政府补贴，金额高达1500亿日元，其中包括生产最新一代3D闪存的工厂，这也是铠侠与西部数据的合资制造工厂第二次获得日本政府的补贴。2022年，铠侠和西数......
NAND闪存，并计划于2025年上半期开始量产。 除此之外，美光计划232层之后推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品；铠侠与西数也在积极探索300层以上、400层以上与500层以上的3D NAND......
士表示将进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半期开始量产。 除此之外，美光计划232层之后推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品；铠侠与西数也在积极探索300......
每一颗的容量应该是32GB，来源于48层堆叠的BiCS 3D闪存，而之前的512GB SDXC卡用的还是16GB平面闪存。 西数没说这款产品何时发布，但还是会归入Extreme PRO SDXC系列......
4XX等更高层数。 西部数据与铠侠于去年合作开发出162层的BiCS6 FLASH™ 3D NAND，并计划2022年底前开始量产。未来，西数/铠侠将发力200+层（2XX层）闪存技术，2032......
原厂还瞄准500层以上NAND技术 NAND Flash 3D堆叠成为主流技术，层数跨越176层、迈进232层之后，未来原厂将发力200层、300层、400层、甚至500层以上NAND技术......
日在旧金山举行，是世界学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议。本文引用地址：根据会议公开内容：届时将展示其 内存以及 280 层 3D QLC NAND 闪存等技术，其中  IT之家......
也在发力200层以上NAND闪存。例如，有消息称三星或将在今年底或2023年上半年开始量产供应224层3D NAND，西数则在此前表示，将与合作伙伴铠侠在2032年之前陆续推出300层以上、400层以......
还参与了长江存储科技有限责任公司的投资，后者是总投资1600亿元、主力3D NAND的国家存储器项目。 因为外部技术封锁，紫光寄望于入股投资美光、西数、台湾封测厂等纷纷流产，紫光董事长赵伟国随后决定“半导体自强，‘不破......
512Gb提高了59%。SK海力士表示将进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半期开始量产。 除此之外，美光计划232层之后推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品；铠侠与西数......
位元出货量创下新纪录。NAND方面，服务器SSD需求随着主要服务器客户投资的增加而恢复，数据中心对高容量产品的需求强劲，基于新CPU采用刺激的高容量趋势。由于新机型的推出，移动市场需求一直稳固。 SK海力......
，在第二季度财报电话会议上，三星电子和SK海力士均透露了进一步减产的计划，重点关注以NAND为中心的业务。 西数凯侠将合并，超越......
铠侠与西数218层3D NANDFlash出货 年内量产;为展示先进闪存技术的持续创新，铠侠株式会社与西部数据公司今日（3月31日）发布了他们最新的3D闪存技术的细节，该技术目前正在备产中。该3D......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！;闪存进入立体堆叠时代之后，在存储大厂推动下，闪存堆叠层数越来越高，目前已经突破200层大关。不过，大厂对于层数的追求永不止步，根据......
又一巨头闪存技术路线图曝光，未来将发力500层以上NAND技术！;在近期举办的投资者日活动上，西部数据公布未来闪存技术路线图，西数表示将与合作伙伴铠侠推出162层闪存产品（BiCS6），之后......
月，三星宣布量产236层3D NAND闪存芯片，这是三星产品中具有最高存储密度的1Tb（128GB）三比特单元（TLC）的第8代V-NAND。而三星的第九代V-NAND目前尚在开发中，并计划从2024......
旬日本三重县四日市工厂和岩手县北上工厂怀疑其制造过程中使用的物料受到污染，部分影响了这两个工厂的3D BiCS FLASH生产。随后铠侠表示，被污染的日本闪存工厂已经于2月下旬恢复运营。 受影响的工厂由铠侠与其合作伙伴西数共同经营，西部......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！; 【导读】闪存进入立体堆叠时代之后，在存储大厂推动下，闪存堆叠层数越来越高，目前已经突破200层大关。不过，大厂......
地扩展公司的闪存业务。 此前西数和铠侠合资工厂部分物料受到污染。铠侠于3月初宣布，已采取必要的措施解决了生产的问题，受影响的两间工厂已在2月底恢复正常运营。铠侠预计3D NAND闪存的出货量会受到影响，随着生产全面恢复，会继......
由于出货产品容量较高，因此尽管合约价上涨，但平均销售单价仅持平开出，整体营收达12.07亿美元，季增5.4%。 产能部分，因为缩减平面制程产能转做3D NAND，预计2020年年底的产能将较年初下滑。在架......
士表示将进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半期开始量产。 除此之外，美光计划232层之后推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品；铠侠与西数也在积极探索300层以上、400层以上与500......
。 图片来源：西部数据公告截图 铠侠官方消息则表示，随着制造厂逐步恢复全面生产，铠侠预计3D NAND（BICS）出货量将受到影响。公司......
高达1500亿日元，其中包括生产最新一代3D闪存的工厂，这也是铠侠与西部数据的合资制造工厂第二次获得日本政府的补贴。2022年，铠侠和西数位于四日市的合资制造工厂就已经获得了政府高达929亿日元的补贴。......
价格下降容量翻升                                  自三星成功推出3D V-NAND技术的固态硬盘后，超过500M/s的读写速度另全新的3D V-NAND技术成为吸引众多消费者的亮点。并且继三星后，SK Hynix、东芝/闪迪、Intel/美光......
笔电与智能手机需求优于预期，2021年第一季NAND Flash总营收季增5.1%｜TrendForce集邦咨询;TrendForce集邦咨询：笔电与智能手机需求优于预期，2021年第一季NAND......
量上也要革它的命。 2014年，三星率先开启3D-NAND时代，这种3D-NAND闪存可提供两倍于传统20nm平面NAND闪存的存储密度，轻松实现SSD的容量翻倍，以前4颗闪存才能实现256GB容量，现在2颗即可。随着......
3D NAND技术、OptiNAND™技术闪存增强型硬盘、以及RISC V研发情况。 今年2月份西部数据发布了第六代162层3D NAND技术，通过横向拓展cell单元存储密度，与BiCS5相比......
亿美元。 如果双方最后能够走在一起，将会成为数据存储行业的庞然大物，本质上这是三个不同品牌的合并：、西部数据和闪迪。毫无疑问，新公司会拥有大量的客户、众多的知识产权和专利、领先的3D NAND闪存......
SSD、机械硬盘暴降 厂商卖到哭：消息称两大巨头西数、铠侠重谈判要合并;对于厂商而言，存储芯片持续暴跌，这是入手的好时机，而相关厂商却异常难过，营收下滑严重，亏本清库存。 据外媒最新消息称，由于......
3.4%。 产能方面，2021年三星电子为最积极扩产的供应商，除了在西安二期持续扩产外，也将开始在平泽二厂布建3D NAND生产线。产品方面，目前仍以V5（92L）为主要供给，但今年会大幅拉升V6......
组织召开大基金二期项目投资对接会的预备通知》显示，大基金二期将在江苏开展集成电路投资对接会，并介绍2023年大基金二期的投资情况、形势和任务...详情请点击 2 铠侠/西数推出218层3D NAND 近日，存储......
寸晶圆厂。该工厂将于2024年3月准备量产3D NAND Flash闪存产品。市场人士指出，该晶圆厂将斥资2,800亿日圆（约18亿美元），其中日本政府补高达929亿日元（约6亿美元）。至于，位于岩手县北上的另一家铠侠和西数......
存储芯片技术主要由Samsung、SK 海力士、美光、东芝、Intel等国际大厂垄断。闪存方面，随着2D-NAND制程工艺来到摩尔定律的极限，各巨头厂商纷纷开始着手开发3D-NAND技术，三星32层与48层3D V-NAND产品......
西数与铠侠闪存业务合并 打造全球最大NAND制造商;西部数据目前就NAND闪存生产业务合并进行谈判，目前即将敲定最终计划。他们将打造全球最大的NAND闪存制造商。据悉，西数与铠侠将加强双方在NAND......
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