在近期举办的投资者日活动上，西部数据公布未来闪存技术路线图，西数表示将与合作伙伴铠侠推出162层闪存产品（BiCS6），之后两家公司还将发力200层以上（2XX层）闪存技术。

目前闪存市场上176层闪存产品已经批量出货，西数与铠侠162层闪存虽然层数不及176层，但西数表示将采用新材料以缩小存储单元尺寸，进而缩小芯片尺寸。

△Source：西数

西数与铠侠计划2022年底前开始量产162层NAND，未来两家公司还将推出200层以上（BiCS+）的闪存产品，与BiCS6相比，200层以上BiCS+每个晶圆的位元将增加55%，传输速度提高60%，写入速度提高15%。

BiCS+产品将率先应用于数据中心领域，未来西数还将推出应用于消费者领域的200层以上产品（BiCS-Y）。

△Source：西数

除此之外，西数还透露，2032年之前还将陆续推出300层以上、400层以上与500层以上闪存技术。

△Source：西数

延申阅读：美光公布内存、闪存技术路线图

无独有偶，另一大存储厂商美光也在投资者日活动上公布了最新内存、闪存技术路线图。

在DRAM领域将持续发力1β、1γ与1δ工艺，其中美光计划2022年底前推出1β DRAM产品，将可为图形、HBM3和汽车等领域提供良好的性能，美光还将在1γ DRAM工艺中引入EUV技术。

△Source：美光

NAND Flash方面，176层NAND闪存之后，美光工艺节点依次是232层、2YY、3XX与4XX。其中，美光将在2022年底开始推出232层NAND产品...

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