铠侠西数宣布推出218层3D NAND

2023-04-03  

近日,存储器大厂铠侠和西部数据共同宣布推出最新的218层3D NAND闪存。据铠侠首席技术官Masaki Momodomi介绍,公司与西数成功推出了目前具有业界最高位密度的第八代BiCS闪存,现已开始为部分客户提供样品。

此次西部数据联合铠侠推出的218层3D NAND闪存产品利用具有四个平面的1Tb三级单元 (TLC) 和四级单元 (QLC),采用横向收缩技术,可将位密度提高约50%。同时,其NAND I/O速度超过3.2Gb/s,比上一代产品提高了约60%,此外,其写入性能和读取延迟则改善了20%。

铠侠和西数表示,该产品采用先进的缩放和晶圆键合技术,可以满足广泛市场领域呈指数级增长的数据需求,包括智能手机、物联网设备和数据中心等。

封面图片来源:拍信网

文章来源于:全球半导体观察    原文链接
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