为展示先进闪存技术的持续创新，铠侠株式会社与西部数据公司今日（3月31日）发布了他们最新的3D闪存技术的细节，该技术目前正在备产中。该3D闪存采用先进的微缩和晶圆键合技术，不仅成本上极具吸引力，同时还提供卓越的容量、性能和可靠性，因而成为满足众多市场中指数级数据增长需求的理想选择。

“新的3D闪存展示了我们与铠侠强大的合作关系以及我们在3D NAND领域的联合创新领导地位。”西部数据技术与战略高级副总裁Alper Ilkbahar说，“通过共同的研发路线图与持续的研发投资，我们能够提前推动该基本技术的发展，以生产高性能、高资本效益的产品。”

通过引入各种独特的工艺与架构，实现持续的横向微缩，铠侠与西部数据降低了成本。这种垂直与横向微缩之间的平衡在更小的芯片中产生更大的容量，在优化成本的同时减少了层数。两家公司还开发了突破性的CBA(CMOS直接键合到阵列)技术，其中CMOS晶圆和存储单元阵列晶圆在优化状态下单独制造，然后键合在一起，以提供更高的千兆字节(GB)密度和快速NAND I/O速度。

“我们通过独特的工程合作关系，成功推出了业界最高位密度1的第八代BiCS FLASH™”，铠侠的首席技术官Masaki Momodomi说，“我很高兴看到，铠侠为部分客户提供的样品已开始发货。通过CBA技术与微缩创新，在一系列以数据为中心的应用中，我们进一步推动了3D闪存技术的产品组合，包括智能手机，物联网设备和数据中心。”

218层的3D闪存采用创新的横向微缩技术，为4平面(Plane)的1Tb三层存储单元(TLC)和四层存储单元(QLC)，带来超过50%的位密度提升。其高速NAND I/O速度超过3.2GB/s，比上一代产品提高了60%，同时在写入性能和读延迟方面的改善超过了20%，将加速用户的整体性能、可用性。