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研发客服8月3日，长江存储正式发布了基于晶栈®（Xtacking）3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070。
据官方介绍，X3-9070兼具出色的性能、更佳的耐用性以及高质量可靠性。相比长江存储上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度，更快的I/O速度，并采用6-plane设计，性能提升的同时功耗更低，进一步释放系统级产品潜能。
△图片来源：长江存储
性能方面，X3-9070实现高达2400MT/s的I/O传输速率，符合ONFI5.0规范，较上一代产品实现了50%的性能提升；密度方面，X3-9070是长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品，能够在更小的单颗芯片中实现1Tb的存储容量。
此外，得益于6-plane设计，X3-9070相比传统4-plane，功耗降低25%，能效比显著提升。
长江存储晶栈®技术于2018年问世，目前已成为长江存储助推闪存行业发展的关键动力之一。随着长江存储晶栈®3.0的推出，新一代X3系列闪存产品将为大数据、5G、智能物联（AloT）及其他领域的多样化应用带来新的机遇。
长江存储执行副总裁陈轶表示，面对蓬勃发展的5G、云计算、物联网、自动驾驶、人工智能等新技术带来的全新需求和挑战，长江存储将以晶栈®为基点，不断开发更多高品质闪存产品，协同上下游存储合作伙伴，为存储产业赋能。
有媒体报道称，根据供应链消息，此次长江存储发布的新品堆叠层数已达到232层，达到业界领先水平。
无独有偶，就在几天前，美光抢先宣布已开始在新加坡工厂量产全球首款232层NAND闪存，而SK海力士也在今日宣布已向客户发送了238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。
需要指出的是，三星、铠侠、以及西数也在发力200层以上NAND闪存。例如，有消息称三星或将在今年底或2023年上半年开始量产供应224层3D NAND，西数则在此前表示，将与合作伙伴铠侠在2032年之前陆续推出300层以上、400层以上与500层以上闪存技术。
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