近日，据外媒报道，铠侠和西部数据计划在2023年6月举行的VLSI技术和电路研讨会上展示3D NAND技术创新。

报道称，两家公司的工程师正在寻求实现8平面的3D NAND，以及超过300层的3D NAND。

而铠侠在即将发表的C2-1论文种介绍了一种8平面的1Tb 3D TLC NAND，拥有210层的堆叠数和3.2GT/s的I/O传速。

这与铠侠/西数推出的218层1Tb 3D TLC NAND非常相似，具备17Gb/mm2密度和3.2GT/s I/O总线，但它是8平面而不是4平面，并且据说可提供205MB/s的吞吐量以及40μs的读取延迟。

除了研究8平面的3D NAND结构外，研究人员还将提交关于300层3D NAND的论文（T7-1），文中表示，为实现这一目标，两家公司计划采用金属诱导横向结晶(MILC)技术。

通过MILC技术，在超过300层的垂直存储孔中，形成14微米长的类通心粉硅通道。据报道，这种实验性3D NAND还利用尖端的吸镍方法消除硅材料中的杂质和缺陷，从而提高单元阵列性能。

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