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研发客服近日，铠侠（Kioxia）和西数（Western Digital）宣布，双方已经合作开发了第六代162层3D闪存技术。新闻稿指出，这是两家公司迄今为止最高密度和最先进的3D闪存技术。
图片来源：铠侠官网截图
官网消息显示，第六代3D闪存具有超越传统的先进架构，与第五代技术相比，横向单元阵列密度提高了10%。与112层堆叠技术相比，这种横向缩放的进步与162层堆叠的垂直存储器相结合，使芯片尺寸减小了40％，优化了成本。
同时，铠侠和西数团队还采用了阵列CMOS电路布局和四路同时操作，与上一代产品相比，这两种技术的应用使性能提高了近2.4倍，读取延迟提高了10％。I/O性能也提高了66％，从而使下一代接口能够满足对更快的传输速率不断增长的需求。
总体而言，与上一代产品相比，新的3D NAND降低了每单位的成本，并使每个晶圆的存储数量增加了70％。
封面图片来源：铠侠
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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