铠侠将新建Fab2工厂,提高3D NAND闪存产量

发布时间:2022-03-24  

3月23日,全球第二大闪存制造商铠侠(Kioxia)宣布,将开始对位于日本岩手县北上市的工厂进行扩建,兴建新的Fab2工厂,以提高3D NAND闪存的产量。该设施计划2022年4月开始动工,预计2023年竣工。

铠侠表示,将从其运营现金流中,为Fab2工厂的建设提供资本。此前据媒体报道称,铠侠计划斥资约2万亿日元(165亿美元)建设一个新的制造工厂,以满足对闪存芯片不断增长的需求。

据官网介绍,铠侠新的Fab2工厂将建在现有Fab1工厂的东侧,采用最先进的节能环保制造设备,并使用可再生能源,同时还会加强对建筑物的抗震结构设计。铠侠还将利用基于人工智能的尖端制造技术,以提升整个北上市工厂的产品质量,从而满足云服务、5G、物联网、人工智能、自动驾驶和元宇宙等不同领域中对闪存的需求增长,更好地扩展公司的闪存业务。

此前西数和铠侠合资工厂部分物料受到污染。铠侠于3月初宣布,已采取必要的措施解决了生产的问题,受影响的两间工厂已在2月底恢复正常运营。铠侠预计3D NAND闪存的出货量会受到影响,随着生产全面恢复,会继续努力,尽一切办法减少对客户的影响。​

同时,西部数据也发布声明称,由于生产过程中使用的某些材料受到污染,公司与铠侠在日本四日和北上的合资工厂的生产运营受到影响。西部数据闪存可用性将减少约7EB,这将主要发生在其第三和第四财季,因为设施恢复正常到满负荷生产需要时间。

TrendForce集邦咨询表示,受影响的3D NAND闪存产量占西部数据和铠侠第一季度生产量的13%,约占全年总产量的3%。

3月16日,日本福岛外海发生强震,据TrendForce集邦咨询调查,铠侠K1 Fab震度达5级,地震发生当时造成线上wafer部分受损,而先前K1 Fab在污染事件发生后,第一季产能已下修,约占铠侠今年产能8%。铠侠在接下来一周的产能利用率采取缓慢恢复步骤,故对于K1 Fab本季的投产将进一步下修。其余铠侠工厂则不受影响。

封面图片来源:拍信网

文章来源于:全球半导体观察    原文链接
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