近日，据韩媒《BusinessKorea》报道，三星电子在全球DRAM和NAND闪存市场分别连续30年和20年保持第一的位置。

同时，各大厂商多年来孜孜不倦地追求闪存更高层数和内存更先进制程。业界担心，三星主导地位未来将被动摇。在这之下，未来存储器市场格局是否将发生改变？

01层数之争火势更旺

美光、SK海力士、三星等厂商一直不断地追逐NAND闪存更高层数，在跨越100层后便开始向200+层迈进，以达到性能的提高。

从去年的技术成绩来看，美光方面，2022年7月，美光全球首款232层NAND闪存在新加坡工厂正式量产，而当时的三星正在苦研176层NAND闪存。同年12月，美光成功向PC OEM客户出货232层NAND客户端SSD，该产品适用于主流笔记本电脑和台式机。

SK海力士方面，2022年8月，SK海力士成功开发出238层NAND闪存，这是目前世界最高层数，该公司已向客户发送238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年投入量产。

三星方面，随着业界不断传出闪存技术的新动态，三星也不免跟着着急，面对各种杂音，三星曾表示将在2022年内发布236层NAND闪存产品。为进一步加大研发力度，三星还计划开设一个新的研发中心，该中心将负责开发更先进的NAND闪存产品。

终于在2022年11月，三星宣布量产236层3D NAND闪存芯片，这是三星产品中具有最高存储密度的1Tb（128GB）三比特单元（TLC）的第8代V-NAND。而三星的第九代V-NAND目前尚在开发中，并计划从2024年开始量产第9代NAND闪存。

三星曾预计，到2030年公司将打造出堆叠层数超1000层的V-NAND。并且为了实现这一目标，三星正在从当前的TLC架构过渡到四级单元（QLC）架构，以提高密度和启用更多层数。

而西数/铠侠方面，西数于去年5月表示，未来将与铠侠推出200层以上（BiCS+）的闪存产品，2032年之前还将陆续推出300层以上、400层以上与500层以上的闪存技术。不过目前西数和铠侠暂无最新的消息。

从市场份额上看，据TrendForce集邦咨询2022年11月23日研究显示，截止2022年第三季度，在NAND闪存市场，三星的市场份额为31.4%，排行第一；其次是铠侠、20.6%；后面是SK海力士、18.5%，西部数据、12.6%，美光、12.3%。

虽然看起来市场份额仍然差距较大，但在竞争对手的猛烈追赶下，三星三星难免感受到压力。

值得注意的是，西部数据近日宣布，将获得由Apollo全球管理公司牵头的9亿美元投资。对于此次投资，有消息人士表示，这是西部数据与日本Kioxia（铠侠）合并的前兆。

倘若铠侠和西数合资计划最终确定，这或将对市场造成巨大的影响。

02先进制程竞赛持续

DRAM是半导体存储器的大宗产品之一，经过几十年的大浪淘沙，英特尔、东芝、松下、德州仪器、IBM、Motorola等曾经的强者退出DRAM江湖，如今DRAM市场形成了三足鼎立的格局，主要由三星、SK海力士、美光三大巨头所领导。

据TrendForce集邦咨询2022年11月16日研究显示，截止2022年第三季度，在DRAM市场中，三星份额为40.7%，仍占据全球第一，SK海力士为28.8%，排位第二，美光为26.4%，居第三。

在DRAM先进制程竞赛道上，存储大厂为抢占技术先机，也是一刻也不停缓。

美光方面，2022年11月初，美光已经将1β DRAM（第五代10nm级别DRAM）产品送往了客户的产品验证流水线，这也意味着10纳米级别的芯片工艺已经来到了第五代。相较于1α（alpha），1β（beta）在16G bit的容量下，能效提高约15%、内存密度提升35%以上。

同年11月中旬，美光尖端存储器1β DRAM在日本广岛量产。美光日本广岛工厂一直致力于尖端技术产品DRAM的生产，目前，该厂投产制程主要为1Z纳米（占比50%以上）和1Y纳米（占比约35%）。

美光DRAM制程已经实现了1Xnm、1Ynm、1Znm、1α四个节点，并率先进入了1β节点。据悉，美光正在对下一代1γ（gamma）工艺进行初步的研发设计。

三星方面，2022年10月，三星在Samsung Foundry Forum 2022活动上公布DRAM技术路线图。根据路线图，三星预计，2023年进入1b nm工艺阶段，即第五代10nm级别DRAM产品，芯片容量将达到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbp之间。

同年12月，三星开发出首款采用12nm级工艺技术打造的16Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。

自此来看，业界表示，10纳米级别的DRAM制程经过了依次为1X（16nm-19nm）、1Y（（14nm-16nm））、1Z（12nm-14nm）、1α（约13nm），目前来到1β（10-12nm）、1γ（约10nm，1β的增强版）的节点。

对DRAM芯片来说，随着晶体管尺寸越来越小，芯片上集中的晶体管就越多，也就是说一片芯片能实现更高的内存容量。

而从产品价格上看，去年以来，DRAM价格持续下跌。据TrendForce集邦咨询1月9日研究指出，由于消费需求疲弱，存储器卖方库存压力持续，仅三星（Samsung）在竞价策略下库存略降。为避免DRAM产品再大幅跌价，诸如美光（Micron）等多家供应商已开始积极减产，预估2023年第一季DRAM价格跌幅可因此收敛至13~18%，但仍不见下行周期的终点。

DRAM产品可广泛应用于手机、服务器、PC等下游领域，近年来，消费终端需求不振，DRAM市场持续萧条。面对未来，内存厂商唯有持续研发推出1β、1γ...或更先进制程的DRAM产品，拥有高新技术，才能在逆境中站稳每一步脚跟。

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