另一方面在供应商库存水位改善下,抑制了以低价对Wafer市场倒货的力道,进而带动合约价跌幅收敛,第三季产业营收季成长为10.2%,达到约119亿美元。
展望2019年第四季,在合约价反应铠侠(Kioxia)位于四日市厂区跳电事件冲击止跌反弹后,加上旺季市场需求回温,将有助于各供应商的获利表现有所改善。
三星电子(Samsung)
延续在服务器、移动设备等高容量产品的优势,随着Intel新平台以及下半年多款旗舰机陆续推出,三星第三季的位元出货较第二季成长逾10%,库存水位于第三季达到平稳,平均销售单价跌幅则收敛至5%以内,营收达到39.87亿美元,较第二季成长5.9%。
从产能分析,三星仍照原计划逐季缩减Line12的2D NAND产品,并在持续转进新制程的同时,维持相同的3D NAND投片规模。在新产能方面,西安二期仍依规划于2020年上半年投产,而平泽二厂预定明年下半年开始营运。
SK海力士(SK Hynix)
在第二季位元出货大幅成长40%后,SK Hynix第三季位元出货稍微放缓,季减1%,但受惠于价格逐渐稳定以及Wafer产品销售比重下降,平均销售单价较前一季上涨4%,使得整体NAND Flash营收达11.46亿美元,季成长3.5%。
以产能规划而言,受到2D NAND产能缩减影响,今年SK Hynix整体产能呈现逐季递减,而主流的3D NAND则小幅扩产,新增产能主要设于M15。
铠侠(Kioxia)*
尽管受到四日市厂区跳电事件影响,但受惠于旺季需求拉升以及苹果新机备货的需求的带动下,位元出货仍较前一季成长逾20%,但由于平均销售单价下跌约5%,使得整体营收来到22.27亿美元,季成长14.3%。
从产能方面观察,四日市厂区虽已恢复全线营运,但已影响其今年位元产出增长低于其他竞争者。在2020年规划方面,岩手县K1厂已于10月竣工,预计最快在2020年上半年提供产出,有助于位元产出的市场占比回到跳电前水平。
(*备注:自2019年10月1日起,Toshiba Memory正式更名为Kioxia,机构据此更新所有相关信息。)
西数(Western Digital)
在旺季需求推动下,西数第三季位元出货表现,季增约9%,而平均销售单价也因四日市厂区跳电事件以及需求增加而止跌,带动第三季营收达16.32亿美元,较上季成长8.4%。
从产能规划来看,四日市厂区跳电后,产线于七月中旬起逐渐恢复,关于产能损失的最新说法为4 Exabytes。而在新产线的部分,西数第三季在岩手县K1厂投资达6,400万美元,预计2020年起提供BiCS4或更先进制程的产出。
美光(Micron)
基于移动设备出货成长以及客户端备货需求涌现,美光第三季NAND Flash营收较上季成长4.7%,达15.3亿美元。在位元出货方面,由于7、8月有客户转单,本季成长逾10%,但平均销售单价季度跌幅仍逾5%。
在产能方面,美光于八月宣布新加坡新厂正式投入营运,将对转进新制程结构有助益,至于其他在新加坡以及Manassas的产能则未有太多变化。
英特尔(Intel)
英特尔第三季受惠于Enterprise SSD与Client SSD的出货显著增长,位元出货量季成长超过50%;另一方面,即便客户采用更多新制程以及高容量产品,平均销售单价仍有超过10%的下跌。总体而言,营收来到12.9亿美元,较上季大幅成长37.2%。
在产能方面,英特尔大连厂仍将维持原产能直至年底,目前亦未提及2020年有增产规划。
2019年第三季NAND Flash品牌厂营收排名(单位:百万美元)。 (资料来源:TrendForce)
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