随着台积电熊本晶圆厂将在2月24日开幕，2024年多座日本或外资半导体制造商在日本新建的晶圆厂将开始大规模生产。市场人士表示，这将刺激日本国内半导体供应链的成长和发展，提高日本的半导体制造能力。

台积电熊本晶圆厂2/24将开幕

在熊本县菊阳町，由台积电、SONY和日本电装（DENSO）投资的日本先进半导体制造（JASM）公司，目前正在兴建一座12寸晶圆厂，该工厂将采用12/16纳米以及22/28纳米制程技术，主要生产供应车用电子使用的芯片。该晶圆厂预计于2月24日开幕，预计将于2024年第四季开始大量生产。

市场人士表示，这一新晶圆厂的开发将使日本逻辑IC制程技术获得重大进步，从瑞萨电子的40纳米制程转向JASM的12纳米制程，这被视为日本半导体复兴政策的第一步。对此，日本政府也为JASM晶圆厂提供4,760亿日元（约合32亿美元）的资金补助，补助金额占该晶圆厂总支出86亿美元的近三分之一。

铠侠和西数合资兴建12寸晶圆厂

NAND Flash 快闪存储器大厂铠侠（Kioxia）和西数正合资在三重县四日市建设一座12寸晶圆厂。该工厂将于2024年3月准备量产3D NAND Flash闪存产品。市场人士指出，该晶圆厂将斥资2,800亿日圆（约18亿美元），其中日本政府补高达929亿日元（约6亿美元）。至于，位于岩手县北上的另一家铠侠和西数合资工厂，则将于2024年下半年开幕。而该计划原定于2023年完工，但由于市场状况不佳，因为整个计划遭到延后。

瑞萨电子扩产功率半导体产能

瑞萨电子预计将于2024年推出新的功率半导体生产线，不过，因为该公司位于山梨县的甲府工厂于2014年10月已经关闭。因此，为了应对电动汽车（EV）功率半导体不断成长的需求，该公司承诺斥资900亿日圆在现有工厂安装一条12寸晶圆生产线。未来，新生产线将使瑞萨电子能够增强其IGBT和MOSFET等功率半导体的产能，并计划于2024年达成量产目标。而对于瑞萨电子的扩产计划，预计也将获得日本经济产业省的补贴支持。

东芝和罗姆半导体合作整合产线发展功率半导体

东芝和罗姆半导体（ROHM）达成一项协议。根据协议，东芝功率半导体工厂将开始与罗姆在宫崎县国富市新开发的碳化硅（SiC）功率半导体工厂进行生产整合。罗姆位于国富市的新工厂将采用8寸SiC晶圆技术，预计于2024年底开始量产，并部分完成工厂建设。而此次合作预计将获得政府补贴，相当于该项目投资的三分之一。

2025年及以后日本新晶圆厂计划

2025 年之后，日本将出现更多晶圆厂，包括美光科技位于广岛县的新 1-gamma（1γ）DRAM 生产厂。JSMC 是晶圆代工厂力积电（PSMC）的晶圆制造子公司，其与日本金融集团SBI合作，计划在2027 年完成兴建后量产芯片。至于，日本半导体新创企业Raapidus也计划在2027年在北海道量产2纳米芯片。

另外，台积电目前也正评估兴建的日本第二座晶圆厂将落脚熊本县菊阳町。消息指出，台积电方面最快将在2月6日正式对外宣布第二晶圆厂地点。先前，台积电董事长刘德音谈到在日本的第二座晶圆厂时说，还在评估阶段，正在日本政府进行讨论。一旦决定兴建第二晶圆厂，预计将生产7纳米到16纳米制程技术的产品。

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