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研发客服近日，铠侠披露了日本工厂污染事件影响以及未来闪存市场展望等内容。
今年一月下旬，铠侠与西部数据位于日本的合资工厂发生原料污染事件，铠侠在5月13日发布的最新财报中表示，污染事件影响了部分3D NAND（BICS）的生产，目前污染问题已经解决，公司在2月底恢复了全部产能。
铠侠西数原料污染事件对闪存产业影响重大，全球市场研究机构TrendForce集邦咨询认为，该事件将使得闪存市场供应吃紧，第二季NAND Flash价格将上涨5~10%。
受污染事件影响，铠侠一季度营收环比略微下滑，但铠侠仍旧看好NAND未来前景。
该公司预计云计算和企业IT投资不断增加的环境下，数据中心/企业SSD的需求预计将保持稳定；虽然消费类市场低迷，但客户端SSD需求仍将强劲发展；智能手机市场随着5G推广以及存储容量提升，该领域存储需求也将长期增长。
由于长期看好NAND市场发展，铠侠也在持续推动NAND扩产。
铠侠表示已和西部数据敲定正式协议，共同投资四⽇市⼯⼚Fab7 (Y7)第一阶段，将生产3D NAND闪存，包括112层和162层以及未来一系列节点的产品。随着Y7一期建设的完成，2022 年秋季将开始投产。铠侠北上工厂 Fab2 (K2)则已经开工建设，计划于2023年完成，有助于扩大3D NAND（BICS）生产。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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