半导体下行周期之际，AI大势下HBM发展风生水起，并为DRAM市场注入了活力。与之相比，NAND Flash市场需求持续萎缩。为应对需求“寒冬”，多家存储厂商今年表态将持续减产并缩减支出，NAND Flash成为被调整的重点领域。

近期，闪存大厂铠侠在最新财报中表示，将配合需求动向进行减产。

减产、推迟投产？铠侠也出手了

8月9日NAND Flash大厂铠侠公布上季（2023年4-6月）财报，由于智能手机等产品需求低迷，NAND Flash市况持续恶化，价格下跌，受此影响，该季铠侠营收2511亿日元（约17.5亿美元），同比减少32%。

铠侠指出，因市况复苏缓慢，将持续配合需求动向进行减产以及管控营销费用，且为了维持竞争力、将持续进行次世代产品研发以及降低成本等措施。

另据共同社报道，为应对需求恶化，铠侠在日本岩手县北上市的北上工厂新建的厂房将推迟到2024年以后投入使用。该厂原计划在2023年内投产，铠侠公关负责人称新建厂房的大部分施工将在2023年内结束，同时也表示：“投产时间未定。将在对需求动向进行详细调查后再做判断。”

稍早之前，SK海力士与三星也做出了减产NAND Flash的决定。SK海力士认为，与DRAM库存去化速度相比，NAND闪存的去库存速度相较缓慢，因此决定扩大NAND产品的减产规模。

三星电子存储事业部执行副总裁Jaejune Kim在财报电话会议上提到，三星将延长减产行动，并对包括NAND闪存芯片在内的某些产品进行额外的产量调整。

豪赌未来，存储大厂先进技术蓄势待发
 

关于市场动向及今后展望，铠侠指出，各家NAND Flash厂商扩大生产调整（减产）范围、供需平衡逐步改善，在客户去化库存以及PC、智能手机的存储搭载量增加背景下，预估NAND Flash需求将逐步复苏，价格下跌情况也将随着供需平衡改善而放缓。

铠侠表示，当前严峻情况虽持续，不过NAND Flash市场中长期呈现成长趋势的市场观点目前未发生太大变化。

尽管当前NAND Flash市况相对艰难，但大厂依旧看好NAND Flash市场前景，并持续布局闪存堆叠技术，以图未来。

目前NAND Flash已经突破200层堆叠大关，存储厂商正持续发力更高层数。8月9日SK海力士便在2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321层NAND闪存样品，效率比上一代238层512Gb提高了59%。SK海力士表示将进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半期开始量产。

除此之外，美光计划232层之后推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品；铠侠与西数也在积极探索300层以上、400层以上与500层以上的3D NAND技术；三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层），2030年前实现1000层NAND Flash。

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