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用于舰载超压传感器。 这不是俄罗斯首次对外公布有关光刻机的消息, 2022年10月,俄罗斯科学院下诺夫哥罗德应用物理研究所就宣布朝光刻机领域展开工作,该研究所希望能开发俄罗斯首台本土光刻机,用以生产7纳米......
是俄罗斯首次对外公布有关的消息, 2022年10月,俄罗斯科学院下诺夫哥罗德应用物理研究所就宣布朝领域展开工作,该研究所希望能开发俄罗斯首台本土光刻机,用以生产7纳米拓扑芯片。对此,业界认为,这需要数年时间才能实现。......
俄罗斯:2024年将制造350nm光刻机;根据俄罗斯媒体报道指出,俄罗斯本身正在研发生产芯片的光刻机。其工业和贸易部副部长Vasily Shpak在接受媒体访问时指出,2024年将开始生产350纳米光刻机......
成本几十万,俄罗斯也要自研“光刻机”?;据俄罗斯cnews报道,圣彼得堡创建了一个国内光刻综合体,在其中包括了一个在基板上进行无掩模图像采集和硅等离子化学蚀刻的设备。开发人员声称,第一台用于无掩模纳米光刻......
再努力出货,供应客户是长江存储(复购)、合肥长鑫、燕东微及青島芯恩,每台约9000万人民币。上海微SWEE目前每年的出货能力是6-7台。 现阶段90纳米光刻机的另部件国产化率已达70-80%,基本......
再努力出货,供应客户是长江存储(复购)、合肥长鑫、燕东微及青島芯恩,每台约9000万人民币。上海微SWEE目前每年的出货能力是6-7台。 现阶段90纳米光刻机的另部件国产化率已达70-80%,基本......
3.5 版本,甚至在许多情况下提供了优于 ChatGPT 4.0 的回答。 据俄罗斯cnews报道,圣彼得堡创建了一个光刻综合体,该综合体包括用于无掩模纳米光刻......
专家组都说了:‘该光刻机在365纳米光源波长下,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。项目在原理上突破分辨力衍射极限,建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线,绕过国外相关知识产权壁垒。’这里......
佳能交付首台新型纳米压印光刻机;近日,佳能宣布成功交付首台新型纳米压印(NIL)光刻机,设备将被送往美国得克萨斯电子研究所(TIE)。 资料显示,TIE设立于2021年、是由......
佳能产日本首台半导体光刻机PPC-1发售50周年;佳能于1970年发售了日本首台半导体光刻机PPC-1,今年是佳能正式投入半导体光刻机领域50周年。半导......
技术装备推广应用指导目录(2024 年版)》(以下简称“《目录》”)。 该《目录》列表中提到和氟化氪光刻机氟化氩(ArF)光刻机。其中氟化氪光刻机光源248纳米,分辨率≤110nm,套刻≤25nm......
国产光刻机工厂落地雄安?中国电子院澄清;近期,一则“7纳米光刻机实现国产化”消息在业界刷屏,消息指出清华大学EUV项目实现了光刻机国产化,并表示该项目已在雄安新区落地。 对此,9月18日中......
俄罗斯绕过制裁 为35年前的光刻机续命; 9月9日消息,据国外媒体报道称,俄罗斯近日绕过了制裁,为本国存在了35年的续命。 报道中提到,尽管......
足对人工智能相关的高带宽内存(HBM)和第五代双倍数据速率随机存取存储器(DDR5)的需求。 佳能交付首台新型纳米压印光刻机光刻机市场竞争中,佳能的策略是专注于KrF和i-line,而不涉及EUV......
出了全球首个采用全栅极(GAA)技术的3纳米半导体芯片制程技术后,三星一直在努力确保能采购更多EUV光刻机,目标是使该公司能在2024年上半年进入第二代3纳米制程技术,2025年进入2纳米制程技术,并在2027年进入1.4......
线宽,双线间距低至约50纳米的超分辨光刻。未来将这一技术工程化应用到光刻机上,能够突破光学衍射极限对投射电路尺寸的限制从而实现超分辨光刻,有望使国产集成电路光刻机......
350nm,俄罗斯光刻机制造完成;5月25日消息,据外媒报道称,俄罗斯首台光刻机已经制造完成并正在进行测试。俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里-什帕克指出,该设备可确保生产350nm(0.35μm......
和大日本印刷等公司则规划在 2025 年将该技术实用化。[1] 在本文中,你将了解到:纳米压印光刻能绕开光刻机吗,纳米压印光刻对比光刻机有哪些优劣势,纳米压印光刻是国产的另一种出路吗。 付斌 | 作者 李拓......
成本几十万元,俄罗斯自研光刻机又突破了?;假期期间,俄媒CNews报道称,圣彼得堡已开发出两个用于生产微电子纳米结构的装置,可能解决俄罗斯在微电子领域方向的主权问题,包括两个设备,一个是在基板上进行无掩模的光刻......
于下半年开始试产,2025年二季度小量生产。 英特尔方面,去年年底ASML已将全球首台高数值孔径 High NA EUV EXE:5200交付给了英特尔,助力后者生产2nm芯片。随后英特尔开启了光刻机......
正式投入使用前的一项重要准备工作,代表光刻机的光源已经正常工作了。此后,英特尔又对外分享视频,展示了首台High-NA EUV 光刻机交付过程,相关组件通过空运从荷兰运到美国,相比......
大UBC大学等高校科研机构合作建设了光刻材料研发实验室,成功研发出世界最先进的193纳米光刻胶单体并实现规模化生产,成为中国唯一的高端光刻胶单体材料研发和规模化生产企业。 此外,为助......
俄罗斯首台光刻机,真的制造成功了;2022年,俄罗斯科学院下诺夫哥罗德应用物理研究所 (IPF RAS)  宣布,正在开发俄罗斯首套半导体光刻设备,并对外夸下海口:这套光刻机能够使用7nm生产......
光集团重点区域布局的一环,也是看好大湾区区位优势,投资具有战略性、引领性、前瞻性...详情请点击 5 又一台光刻机进入中国工厂 据重庆两江新区消息,12月27日,锐石创芯滤波器生产基地项目一期首台......
功率远比EUV光刻机低,一台EUV光刻机一年要用1000万度电,但这种NIL技术能耗减少90%,且制造成本比EUV光刻机低40%。 缺点是目前精度不够,远远达不到7nm、5nm的级别,大约还处于28......
技术装备推广应用指导目录(2024年版)》。在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》电子专用装备目录下,集成电路设备方面包括:氟化氩光刻机,光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻......
开消息显示,英特尔目前已获得ASML的先进光刻机,极紫外 (EUV) 光刻机。 据悉4月上旬,英特尔在位于爱尔兰Leixlip的Fab 34工厂,完成了首台极紫外(EUV)光刻机的安装,Fab 34......
联动”,先进工艺产能、核心芯片能级、关键设备和基础材料配套支撑能力不断提升,14纳米先进工艺规模实现量产,90纳米光刻机、5纳米刻蚀机、12英寸大硅片、国产CPU、5G芯片等实现突破。 吴金......
掩模版、晶圆代工全方位服务的综合性企业。 目前,晶合集成可提供28-150纳米的光刻掩模版服务,将于今年四季度正式量产,服务范围包括光刻掩模版设计、制造、测试及认证等,计划为晶合客户提供4万片......
称如果该项目继续推进,中芯国际、华虹等中国半导体企业可以继续使用荷兰的设备生产 28 纳米及更成熟工艺的芯片。 消息称该特别版 DUV 光刻机基于 Twinscan NXT: 1980Di 光刻系统改造,而......
ASML产品路线图曝光,EUV光刻机出货已超200台; 【导读】资深半导体行业分析师Scotten Jones日前综合SEMICON West等渠道信息,综述了ASML高端......
前不久英特尔宣布完成了ASML High-NA EUV光刻机设备组装。这是ASML生产的首台High NA EUV光刻机,价值高达3.5亿欧元,英特尔计划用该款设备生产1.8nm以下的先进制程芯片。据了解,ASML......
ASML首席技术官:明年交付首台High-NA EUV光刻机;据外媒Bits & Chips报道,ASML首席技术官Martin van den Brink日前受访时表示,目前......
三星被曝最快 2024 年底前开始安装首台 ASML High-NA EUV 光刻机;8 月 16 日消息,首尔经济日报昨日(8 月 15 日)报道,三星将于 2024 年第 4 季度至 2025......
成电路芯片制造中最复杂和关键的工艺步骤。光刻机的曝光分辨率与波长直接相关,半个多世纪以来,光刻机光源的波长不断缩小,芯片工业界公认的新一代主流光刻技术是采用波长为13.5纳米光源的EUV(极紫外光源)光刻......
上半年的高数值孔径EUV(High-NA EUV)设备订单由英特尔全部包揽。并在前不久英特尔宣布完成了ASML High-NA EUV光刻机设备组装。这是ASML生产的首台High NA EUV光刻机......
危言耸听。但是也不必担心,因为只有工艺制程达到7纳米及以下时才会使用EUV光刻机。   对于这样的现状,首先心态要放正确。西方继续压制中国半导体业的进步,这个政策在相当长时间内还会持续下去。然而......
上海微电子推出新一代先进封装光刻机首台将于年内交付;据上海微电子装备集团消息,9月18日,上微举行新产品发布会,宣布推出新一代大视场高分辨率先进封装光刻机。 图片来源:上海......
首台ASML光刻机搬入!中国再添一座12英寸车规级晶圆厂; 为了遏制中国科技发展,美方不仅施压荷兰光刻机制造商,还一直试图要求该公司禁止对华销售部分旧款光刻机,以及......
国内首台大芯片先进封装专用光刻机交付入厂;4月16日,由广东微技术工业研究院(简称“广东工研院”)组织的“曝光时刻--3D异构芯片封装技术研讨会”暨国内首台大芯片先进封装专用光刻机......
年的高数值孔径EUV(High-NA EUV)设备订单,此前英特尔已完成ASML首台High NA EUV光刻机设备组装,价值高达3.5亿欧元,英特尔计划用该款设备生产1.8nm以下......
提高精准度。但相对研发困难度也会增加。台积电表示,光源还可以继续用193纳米,但换个介质试试,不再以空气当介质。于是ASML尝试以水为介质,光源通过水会产生折射,使193纳米光源实际效果可能比157......
ASML持续布局中国,又一台光刻机进入中国工厂;据重庆两江新区消息,12月27日,锐石创芯滤波器生产基地项目一期首台ASML光刻机入厂。 锐石创芯是一家专注于高性能的4G/5G射频......
俄罗斯媒体:中国在微芯片竞争中逐渐赶上;俄罗斯《消息报》8月7日文章,原题:重大成就:中国在微芯片竞争中逐渐赶上 据中国媒体报道,上海微电子有望年底前推出28纳米浸没式光刻机。尽管中国的新光刻机......
胶已进入三星电子量产线的东进世美肯,也在准备为下一代的极紫外光刻机,也就是高数值孔径的极紫外光刻机(high-NA EUV)研发光刻胶。 相关媒体在报道中表示,东进世美肯研发高数值孔径极紫外光刻机投产后所需的光刻......
29亿元!Intel晒史上最贵开箱:全球首台高NA光刻机已装机;近日,Intel发布了一条特殊的开箱视频,堪称史上最贵:他们从ASML拿到的全球第一台高NA EUV光刻机,已经......
日,英特尔也宣布完成业界首台商用高数值孔径极紫外光刻机设备(High NA EUV)组装。由光刻技术大厂阿斯麦TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV光刻设备,开始多项校准,2027......
此前已经披露,将在 2024 年内交付台积电的首台 High NA EUV 光刻机,价值达 3.8 亿美元(IT之家备注:当前约 27.62 亿元人民币)。 台积电的先进代工竞争对手中,英特......
2026年量产,Intel 14A-E要到2027年。 而近日,英特尔也宣布完成业界首台商用高数值孔径极紫外光刻机设备(High NA EUV)组装。由光刻技术大厂阿斯麦TWINSCAN......
IC国家标准发布 俄罗斯首台光刻机完成 三星传出罢工 1 NAND Flash厂商营收排名 根据TrendForce集邦咨询研究,受惠于AI 服务器自二月起扩大采用Enterprise......

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;怡合瑞丰科技发展有限公司;;注册于香港,代理美国ABM公司的光刻机及其他半导体设备。可以为客户提供先进的凸点制造等封装工艺与设备
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中型体视显微镜、SX系列学生显微镜、NK系列连续变倍生物显微镜、光学元器件、塑料非球面镜片及各种激光镜头,产品均通过美国和欧洲的安全认证,远销美国、巴西、荷兰、德国和日本等二十多个国家和地区。2002年与上海交大联合开发各种系列纳米光
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