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研发客服据“工信微报”公众号消息，为促进首台（套）重大技术装备创新发展和推广应用，加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同，工信部印发了《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》（以下简称“《目录》”）。
该《目录》列表中提到和氟化氪光刻机氟化氩(ArF)光刻机。其中氟化氪光刻机光源248纳米，分辨率≤110nm，套刻≤25nm；氟化氩光刻机光源193纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。
目前来说，光刻机共经历了六代的发展，从最早的436nm波长，再到第二代光刻机开始使用波长365nm i-line，第三代则248nm的KrF激光，第四代193nm波长的ArF光刻机，属于干式DUV光刻机。第五代是ArFi，即浸没式DUV光刻机。第六代指的是极紫外EUV光刻机。
据悉，氟化氪（KrF）和氟化氩（ArF）两种气体均服务于深紫外（DUV）光刻机，适用于产生深紫外光的准分子激光器。综合行业各方消息，工信部此次推广的氟化氩光刻机等用瑞利判据（CD =k1*λ/NA）倒推出该光刻机物镜的NA值为0.75 , 这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片。
除了光刻机，其他集成电路生产设备还包括硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉、涂胶显影机、高能离子注入机、低能离子注入机、等离子干法刻蚀机、特征金属膜层刻蚀机、化学气相沉积设备、物理气相沉积装备、化学机械抛光机、激光退火装备、光学线宽量测装备等。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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