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研发客服据外媒Bits & Chips报道，ASML首席技术官Martin van den Brink日前受访时表示，目前公司正有序推行其路线图，在EUV之后是High-NA EUV技术。ASML正在准备向客户交付首台High-NA EUV光刻机，大概会在明年某个时间点完成。
与现有的EUV光刻机相比，High-NA EUV光刻机将更为耗电，从1.5兆瓦增加到2兆瓦。主要原因是因为光源，High-NA使用了相同的光源需要额外0.5兆瓦，ASML还使用水冷铜线为其供电。
据Martin van den Brink介绍，开发High-NA EUV技术的最大挑战是为EUV光学器件构建计量工具，配备的反射镜尺寸为此前产品的两倍，同时需要将其平整度控制在20皮米内。
至于High-NA EUV技术之后的技术方案，Martin van den Brink表示，ASML正在研究降低波长，但其怀疑Hyper-NA将是最后一个NA，可能是接下来半导体光刻技术发展出现问题的地方，其制造和使用成本都高得惊人，且不一定能真正投入生产，当前半导体光刻技术之路或已走到尽头。
众所周知，ASML是全球最大的光刻机设备厂商，2021年，ASML曾2次提高生产目标，希望到2025年，其年出货量能达到约600台DUV（深紫外光）光刻机以及90台EUV（极紫外光）光刻机。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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