近日，在年度技术论坛北美场发布埃米级先进制程，2026年量产，不仅较竞争对手英特尔Intel 14A，以及三星SF14都是2027年量产早，且强调还不需用到High-NA EUV，成本更具竞争力，市场乐观看待进入埃米时代第一战有丰硕战果。

台积电量产时间与成本或将领先竞争对手

根据台积电表示，A16先进制程将结合超级电轨（Super PowerRail）与纳米片晶体管，2026年量产。超级电轨将供电网络移到晶圆背面，晶圆正面释出更多讯号网络空间，提升逻辑密度和效能，适用复杂讯号布线及密集供电网络的高效能运算（HPC）产品。

相较台积电N2P制程，A16相同Vdd（工作电压）下，速度增加8%~10%，相同速度功耗降低15%~20%，芯片密度提升高达1.1倍，支援数据中心产品。

另外，因为AI芯片公司迫切希望最佳化设计，以发挥台积电制程全部性能，因此，台积电也认为不需用到阿斯麦（ASML）最新高数值孔径（High-NA）EUV来生产A16制程芯片。此外，台积电还展示2026年启用的超级电轨供电，从芯片背面供电，可以帮助AI芯片加速运行。

英特尔Intel 14A延续“四年五节点”布局

今年2月，英特尔公布“四年五节点”后Intel 14A制程，导入High-NA EUV生产后，Intel 14A会比Intel 18A能耗效率提升15%，晶体管密度会提升20%。强化版Intel 14A-E也会在Intel 14A基础上提升5%能耗。照计划，Intel 14A最快2026年量产，Intel 14A-E要到2027年。

而近日，英特尔也宣布完成业界首台商用高数值孔径极紫外光刻机设备（High NA EUV）组装。由光刻技术大厂阿斯麦TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV光刻设备，开始多项校准，2027年启用、生产Intel 14A制程。英特尔强调，当High-NA EUV光刻设备与自家服务的其他领先制程技术相结合时，打印尺寸比现有EUV机台缩小1.7倍，因2D尺寸缩小，密度提高2.9倍，协助英特尔推展制程蓝图。

三星SF1.4增加纳米片，改善性能与功耗

相对于台积电与英特尔，媒体报导，三星两年前在Samsung Foundry Forum 2022就层公布先进制程蓝图，埃米级SF1.4（1.4纳米）2027年量产。三星高层透露，正在开发SF1.4纳米片量从三个增至四个，有望改善性能和功耗。

三星2022年6月宣布量产SF3E（3纳米GAA）后，导入全新GAA（Gate-All-Around）架构，今年公布SF3（3纳米GAP）第二代3纳米制程，使用第二代多桥通道场效应晶体管（MBCFET），原有SF3E基础上性能最佳化，还有性能增强型SF3P（3GAP+），适合制造高性能芯片。到2025年，三星会大规模量产SF2（2纳米）制程，2027年量产SF1.4（1.4纳米）制程。

三星希望增加每个晶体管纳米片数量，强化驱动电流、提高性能，更多纳米片允许更高电流通过晶体管，增强开关能力和操作速度。更多纳米片也更能控制电流，有助减少漏电，降低功耗。改善电流控制，代表晶体管产生更少热量。