资讯
SiC MOSFET的短沟道效应(2023-03-29)
SiC MOSFET的短沟道效应;Si IGBT和SiC沟槽之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。例如短沟道效应（Short Channel Effect – SCE），热载流子注入效应（Hot Carrier Inject......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
制了某些器件的VGS和VDS电流的增加，因为最终它们的驱动电流达到最大值。此外，随着电场的继续增加，这些载流子的迁移率降低，导致这些极高电压下的驱动电流减小。这种短沟道效应......
谈谈SiC MOSFET的短路能力(2024-02-02)
）有关，有兴趣了解的读者请戳这篇文章SiC MOSFET的短沟道效应
我们以下图为例，来说明SiC MOSFET的一类短路过程。这是两个45mΩ 1200V CoolSiC™MOSFET的短......
国产5nm碳纳米管研究新突破，摩尔定律有救了(2017-01-21)
子量级的管径保证了器件具有优异的栅极静电控制能力，更容易克服短沟道效应；超高的载流子迁移率则保证器件具有更高的性能和更低的功耗。
理论研究表明碳管器件相对于硅基器件来说具有5-10倍的速度和功耗优势，有望......
Intel制程和封装4大突破：封装吞吐量提升100倍(2024-12-09)
管
为了进一步缩小RibbonFET GAA晶体管，Intel代工展示了栅极长度为6纳米的硅基RibbonFET CMOS晶体管。
它在大幅缩短栅极长度、减少沟道厚度的同时，对短沟道效应......
北京大学研究团队在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展(2023-02-21)
下的输运机制，首次实现了弹道输运，效率高达68.4%。器件开态电流在国际上首次突破1mA/μm，跨导大于1000μS/μm，超过同类器件5倍以上。短沟道效应漏致势垒降低（DIBL）仅为......
台积电4nm升级版工艺，为当前市面上最高级别的旗舰芯片(2022-12-23)
航空航天大学兼职博导赵超认为，短沟道效应是造成4nm、5nm等先进工艺出现功耗问题的主要原因之一，也成为了先进制程发展过程中最大的阻碍。
半导体制造领域，集成电路的尺寸随着摩尔定律的发展而持续缩小，沟道长度也相应地缩短，这就导致了沟道......
集成电路学院任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破 首次实现亚1纳米栅长晶体管(2022-03-11)
几十年晶体管的栅极尺寸在摩尔定律的推动下不断微缩，然而近年来，随着晶体管的物理尺寸进入纳米尺度，造成电子迁移率降低、漏电流增大、静态功耗增大等短沟道效应越来越严重，这使......
三星7nm工艺揭秘，摩尔定律还能继续(2017-03-13)
是对应的最好答案。
在这里我们详细介绍一下GAA和三五族沟道材料：
（1）Gate-all-around (GAA)
GAA有时候被称作横向纳米线场效应管。这是一个周边环绕着 gate 的 FinFet 。GAA......
集成电路（IC）芯片内部电路结构详解(2025-01-09 22:09:25)
晶体管）
为应对短沟道效应，将晶体管的通道形状改为类似鳍片的形式，增强......
英特尔2024技术篇章：矢志探索，砥砺前行(2024-12-31)
厚度的同时，在对短沟道效应的抑制和性能上达到了业界领先水平；
•用于微缩的2D GAA晶体管的栅氧化层模块，进一步加速GAA技术创新。
在神经拟态计算、硅光......
cpu的nm级越来越小，为什么不通过增大面积来提高性能？(2017-06-20)
以后再按照以往的经验来缩减晶体管尺寸，将会失效。短沟道效应造成晶体管无法关断。目前业内通过Fin-FET， SOI等技术来解决这个问题。
今天是《半导体行业观察》为您分享的第1312期内......
关于半导体工艺节点演变，看这一篇就够了(2017-02-20)
管的电流模型也不再适用。
其次，即使用经典的模型，性能上也出了问题，这个叫做短沟道效应，其效果是损害晶体管的性能。
短沟道效应其实很好理解，通俗地讲，晶体管是一个三个端口的开关。前面已经说过，其工......
22nm大战一触即发，新的甜蜜节点？(2017-04-28)
芯片制造商在每个节点上对晶体管进行比例调节，沟道长度变短。结果，沟道可能会遇到所谓的短沟道效应。这又降低了器件中的亚阈值斜率或关断特性。
变异性是另一个问题。基本上，bulk CMOS晶体管可能与它在器件中的标称特性不同。这可......
碳化硅SIC将会发力电动汽车？(2024-03-07)
决方案几乎不需要对制造过程进行任何改变。虽然对具有薄电介质的 SiC 器件的研究很少，但硅器件使用薄至 5 nm 的氧化物，而不会产生过度的隧道效应。此外，如上所述，使用高k电介质可以提供更好的沟道控制，同时......
FinFET晶体管尺寸的量化一直是主要挑战，并迫使高密度6T(2022-12-22)
源图案上还设置有栅极结构。
由于这种多栅极晶体管利用三维沟道来实现，因此比较容易进行微缩。此外，即使不增加多栅极晶体管的栅极长度也可以提高电流控制能力，并可以有效地抑制沟道区的电势受漏极电压影响的短沟道效应(SCE......
IEDM2022：延续摩尔定律，英特尔底层创新不断(2022-12-09)
强说道。
3微米间距的混合键合技术
3个原子厚的超薄二维材料
材料同样是晶体管微缩的关键。宋继强表示，英特尔采用RibbonFET结构实现GAA时，随着源极和漏极之间的间距缩小，硅材料会带来明显的短沟道效应......
中国研发再突破，北大团队制备迄今速度最快能耗最低二维晶体管(2023-04-06)
中国研发再突破，北大团队制备迄今速度最快能耗最低二维晶体管;近期，北京大学电子学院彭练矛院士、邱晨光研究员课题组制备了10纳米超短沟道弹道二维硒化铟（InSe）晶体管，成为世界上迄今速度最快、能耗......
半导体工艺变局在即｜3nm以下工艺举步维艰，纳米片浮出水面(2023-01-11)
走到了尽头
有能力制造先进节点芯片的公司数量随着工艺几何结构的变化而不断减少，每增加一个新节点，成本也越来越高。台积电最先进的300毫米晶圆厂耗资达200亿美元。
在20nm节点，人们首次发现平面晶体管因沟道长度变短导致了所谓短沟道效应......
英特尔IEDM 2024技术突破：超快速芯片间封装、业界首创晶体管、减成法钌互连(2024-12-25)
厚度仅为1.7nm的硅基RibbonFET CMOS晶体管，在大幅缩短栅极长度和减少沟道厚度的同时，在对短沟道效应的抑制和性能上达到了业界领先水平。
英特......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究(2023-03-06)
二极管的电流为50A (125℃结温），那么此刻MOSFET源漏极压降Vsd=0.96V；（如下图所示）
当死区结束，给到驱动信号，打开MOSFET，假设电流完全流过沟道，那么此刻Vsd=50*0.024......
SOI与finFET工艺对比，谁更优？(2017-02-06)
极具竞争力。对于FDSOI晶体管，硅薄膜自然地限定了源漏结深，同时也限定了源漏结的耗尽区，从而可改善DIBL(Drain Induced Barrier Lowering，漏致势垒降低)等短沟道效应，改善......
2022年国内十大科技新闻：清华大学集成电路学院研究成果入选(2023-02-14)
的有效调控，预测了在同时缩短沟道长度条件下，晶体管的电学性能情况。这项工作推动了摩尔定律进一步发展到亚1纳米级别，同时为二维薄膜在未来集成电路的应用提供了参考依据。
△统计......
Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装(2020-05-08)
Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装;
奈梅亨，2020年5月7日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-17)
身不断研究，英特尔在GaN上，全球都有专利布局，其中在美国和中国台湾分别有17项和20项专利正在申请中，涉及用于SoC的III-N晶体管、RF开关、超短沟道长度、场板和III-N/ 硅单片集成电路。
去年......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-18 10:06)
身不断研究，英特尔在GaN上，全球都有专利布局，其中在美国和中国台湾分别有17项和20项专利正在申请中，涉及用于SoC的III-N晶体管、RF开关、超短沟道长度、场板和III-N/ 硅单......
复旦大学研发出晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，集成度翻倍并实现卓越性能(2022-12-12)
硅基二维互补叠层晶体管利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性实现 4 英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。
这种技术可以实现了晶圆级异质 CFET 技术。相比于硅材料，二维原子晶体的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道......
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET(2022-07-06)
了74%，这有助于提高效率，从而使可穿戴设备设计师能够实现更大的功率密度。
该新系列小型MOSFET包括：
PMX100UN 20 V，N沟道Trench MOSFET
PMX100UNE 20 V，N......
ABLIC推出面向智能手机、可穿戴设备的1节电池保护IC「S－821A/1B系列」(2024-10-31 10:02)
的艾普凌科有限公司（总裁：田中诚司，总部地址：东京都港区，下称“ABLIC”）今天推出使用N沟道MOSFET(※1)实现正端保护(※2)的1节电池保护IC「S-821A/1B系列」。今天......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？;MOSFET即金属氧化物半导体场效应管，是电路设计中常用的功率开关器件，为压控器件;其特点是用栅极电压来控制漏极电流，具备......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？(2024-06-14)
动车的交流电电动机的输出控制。
传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。
这种晶体管结合了金属氧化物半导体场效应......
半导体未来三大支柱：先进封装、晶体管和互连(2024-12-23)
Swing，SS）和漏电流抑制性能（DIBL）。
左图是透射电子显微镜（TEM）图像，中间展示看这些晶体管的部分关键参数，右图是栅极长度与电子速度关系图
这一进展展示了在短沟道效应......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
必看！IGBT基础知识汇总！;
01 是什么？本文引用地址：
，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
美国这两天又搞EDA断供，到底断供了什么？(2022-08-13)
管结构随着半导体制造工艺的进步，也经过了多次迭代。20nm工艺以前，平面结构的Planar FET晶体管占据半导体制造技术的主流。但节点发展到20nm工艺之际，因为晶体管越来越小，短沟道效应开始凸显，也就......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
MOSFET开关损耗简介;本文将通过解释功耗的重要来源来帮助您优化开关模式调节器和驱动器电路。本文引用地址：的工作可以分为两种基本模式：线性和开关。在线性模式中，晶体管的栅极到源极电压足以使电流流过沟道......
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术(2024-09-03)
的特点是工艺简单，元胞一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被限制在靠近 P 体区域的狭窄 N 区中，流过时会产生 JFET 效应，增加通态电阻，且寄生电容较大。
平面型与沟槽型碳化硅 MOSFET 技术对比
沟槽......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
金属-氧化物-半导体场效应晶体管，简称场效晶体管。内部结构(以N-MOSFET为例)如下图所示。
MOSFET......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。
JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。
MOSFET......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
引用地址：
关于IGBT使用沟槽栅的原因及特点，可以参考下面两篇文章：
● 英飞凌芯片简史
● 平面型与沟槽型IGBT结构浅析
MOSFET全称金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide......
Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET(2022-07-27)
PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。
新型......
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
同的工艺节点下实现了器件集成密度翻倍，并获得了卓越的电学性能。
据介绍，复旦大学研究团队将新型二维原子晶体引入传统的硅基芯片制造流程，实现了晶圆级异质CFET技术。相比于硅材料，二维原子晶体的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道......
复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-13)
大学研究团队将新型二维原子晶体引入传统的硅基芯片制造流程，实现了晶圆级异质CFET技术。相比于硅材料，二维原子晶体的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道控制能力。
图：硅基二维叠层晶体管的概念、晶圆级制造与器件结构
研究......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305（P沟道），Q4~Q6为IRFR1205（N 沟道......
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
晶体管。在相同的工艺节点下实现了器件集成密度翻倍，并获得了卓越的电学性能。
据介绍，复旦大学研究团队将新型二维原子晶体引入传统的硅基芯片制造流程，实现了晶圆级异质CFET技术。相比于硅材料，二维原子晶体的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
器件的另一个显着区别，由于沟道中的缺陷密度较高，DMOS 器件通常表现出较弱的电阻对温度的依赖性。
图 6：MOSFET 导通电阻随温度变化的主要行为、Si 和 SiC 之间......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
就像用竹篮子装沙而不外漏一般地困难！
难题2 推动力不足
短通道效应和漏电流在某些层面是相关的，其中短通道效应主要是因为形成通道的条件太超过，造成夹止后可导电的面积变小，反而造成一种导通不良。原本......
国家队加持，芯片制造关键技术首次突破(2024-09-02)
区中，流过时会产生JFET效应，增加通态电阻，且寄生电容较大。
平面型与沟槽型碳化硅MOSFET技术对比
来源：头部大厂结构图
沟槽型结构是将栅极埋入基体中，形成垂直沟道，特点......
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
管控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305(P沟道)，Q4~Q6为IRFR1205(N沟道)。该场效应管内藏续流二极管，为场效应......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
可在这两种状态之间瞬间切换。从定量角度来看，由于基于MOSFET的功率器件是单极性器件，因此与这一定义最为接近。功率MOSFET结构中的导通状态电流通过单极传输，这意味着N沟道器件中只有电子。由于......
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软启动电路，可以减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和。 二，韩国信安品牌MOSFET和士兰的高压MOSFET： TSM1N60M/F/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251
;嵘威科技有限公司;;万代AOS的场效应管mosfet，IGBT，东芝Toshiba的场效应管mosfet，光耦TLP系列。
器等电子系列产品上。 MOS管系列包含： （CES2301,CES2312,CES2321,CEM9926,CEM9435,CEM4953 ,CEM8958,单N沟道，单P沟道，双N沟道，N+P沟道）等。
系列 精工 S－8261/8241系 列 富晶 DW-01 新德 CS213 2. MOSFET 华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N 沟道，P沟道MOS管
R5426N系列精工S－8261/8241系列富晶 DW-01新德CS2132.MOSFET华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N沟道，P沟道MOS管特
;深圳市凯泰电子有限公司;;深圳凯泰电子有限公司是一家专业提供电子元器件代理商 目前以有十年的历史了，现代理韩国“KEC”二、三极管,场效应管（MOSFET）,BYD 场效应管（MOSFET
;爱尔泰香港电子有限公司;;主要代理韩国“KEC”二、三极管,场效应管（MOSFET） PI OB
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;深圳市洲盛电子有限公司;;深圳市洲盛电子有限公司专业 IR（国际整流器公司）、ON（安森美）、Fairchild（仙童）系列：场效应管MOSFET，IGBT，电源驱动IC，快恢复二极管，肖特