深圳诚为通电子有限公司是LED驱动IC、MOS，LED驱动电源等产品专业生产加工的,专业从事管理IC和低压MOSFET的供应商。产品适用LED手电筒，LED射灯，LED日光灯，航模飞机，电池保护板、mp3,mp4,手机、数码相框、数码相机、GPS、LED矿灯、便携式DVD、各种电源等。
公司奉行“以诚为本、客户至上”的经营宗旨，力争做到最好，愿为广大客户提供最优质的服务。
主要原厂一级代理产品型号及适用领域
一, 杭州士兰LED恒流IC:
1）SD42522主要用在 射灯MR16上，输入电压为6~36V，电流1A,恒流精度1％以内，效率96％以上。
2） SD42525主要用在 射灯MR16上，输入电压为6-36W，电流1A，可替代SN3350，PT4115，恒流精度2％以内，效率高，性价比高。
3）SD42524，有PWM作用，可代替英国的ZXLD1350；
4） SD42560，升降压IC，电压5~36V，输入电流1A，PWM调光，恒流精度1％。
5）SD42528，6~48V，电流1A，PWM调光，IC自带散热片，恒流精度2％，
6）SA7527，85~265V，电流1A，带PFC功率因素教正，恒流精度高。
7）SD4840/4841/4842/4843/4844是用于开关电源的内置高压MOSFET电流模式PEM控制器系列产品。统一封装形式是DLP-8-300-2.54。
该电路待机功耗低，启动电流低，待机模式下电力进入打嗝模式，从而有效降低电路的待机功耗。
电路的开关频率为67KHZ，抖动的振荡频率，可以获得较低的EML。
内置15MS软启动电路，可以减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和。

二，韩国信安品牌MOSFET和士兰的高压MOSFET：
TSM1N60M/F/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251-3L和TO-220F-3L俩种封装，采信安微电子的平面VDMOS工艺制造，先进的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通电阻，优越的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
TSF2N60M/F/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251-3L和TO-220F-3L俩种封装，采用信安电子的平面VDMOS工艺制造，先进的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通电阻，优越的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。

TSF4N65T/F（SVD4N60D）是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251-3L和TO-220F-3L俩种封装，采用信安电子的平面VDMOS工艺制造，先进的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通电阻，优越的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。

TSF7N60T/F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-220-3L和TO-220F-3L俩种封装，采用信安电子的平面VDMOS工艺制造，先进的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通电阻，优越的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。

TSF12N65T/F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-220-3L和TO-220F-3L俩种封装，采用信安电子的平面VDMOS工艺制造，先进的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通电阻，优越的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。