绝缘栅双极晶体管（英语：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半导体器件的一种，主要用于新能源电动汽车、及电动车的交流电电动机的输出控制。

传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。

这种晶体管结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高电流单栅控制特性及双极性晶体管的低饱和电压的能力，在单一的IGBT器件里，会透过把一个隔离的场效应晶体管（FET）结合，作为其控制输入，并以双极性晶体管作开关。

IGBT原理

IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压 BVDSS 需要一个源漏沟道，而这个沟道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有 RDS(on) 数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。

虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了 RDS(on) 特性，但是在高耐压的器件上，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。

较低的压降，转换成一个低 VCE(sat) 的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。

内部构造

IGBT是一种由控制电路控制、是否导电的半导体。G是栅极，也就是控制极，C是集电极，E是发射极。

例如控制电路指示为通，我们给G电极高电平，那么 IGBT就会导通，IGBT就是导体，有电流通过；如果控制电路指示为断，我们给G电极低电平，那么 IGBT就会截止，则IGBT就是绝缘体，没有电流通过。