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数据中心级服务器工作负载进行了优化。 全新的数据中心级硬盘基于铠侠第5代BiCS FLASH™ 3D闪存TLC(三层存储单元)技术,并可根据客户需求定制铠侠专有的主控与固件。与此同时,铠侠CD8P系列固态硬盘设计符合PCIe 5.0和......
BG5、XG8系列则可以为消费端产品提供轻薄的外形和强大的性能。 如何降低存储成本同样是铠侠关注的重点,通过铠侠研发团队的不断努力,下一代QLC SSD的顺序读取性能将与TLC SSD相当,并且......
选项;而BG5、XG8系列则可以为消费端产品提供轻薄的外形和强大的性能。如何降低存储成本同样是铠侠关注的重点,通过铠侠研发团队的不断努力,下一代QLC SSD的顺序读取性能将与TLC SSD相当,并且......
是主流的TLC NAND)。业界预测QLC NAND出货量比例将继续增长,2024年上半年占NAND整体出货量的比重将达到19~20%。目前,这类存储芯片的主要应用领域是PC OEM和消......
公司的工程师正在寻求实现8平面的3D NAND,以及超过300层的3D NAND。 而铠侠在即将发表的C2-1论文种介绍了一种8平面的1Tb 3D TLC NAND,拥有210层的堆叠数和3.2GT/s的I/O......
铠侠量产业界首款QLC UFS 4.0; 【导读】铠侠宣布量产业界首款QLC UFS 4.0闪存。QLC(四层单元)UFS提供比传统TLC(三层单元)UFS 拥有更高的bit密度,适合......
发布的中国智能手机的低功耗移动 DRAM 组件和芯片细节。图片来源:Techinsight NAND使用情况 NAND的商业产品有三星、铠侠、西部数据、SK海力士、美光、英特尔和长江存储的112L、128L、144L......
层单元(MLC)和三层单元(TLC)设备相比,QLC NAND每个单元可以存储更多数据,显著提升存储性能。因此,无论是三星还是铠侠,针对QLC NAND皆有布局。 此前QLC NAND主要应用于PC OEM......
铠侠推出工业级BiCS FLASH 3D闪存 预计将于2022年Q4末量产;近日,铠侠宣布推出新的工业级闪存设备,该产品采用最新一代铠侠BiCS FLASH 3D闪存和3-bit-per-cell......
SK海力士展示新型PLC,采用双2.5bit单元; 【导读】在FMS 2023闪存峰会上,SK海力士展示了其新型PLC(5-Bit MLC)技术的研究成果。这一技术原理上类似铠侠2019......
与西数成功推出了目前具有业界最高位密度的第八代BiCS闪存,现已开始为部分客户提供样品。 此次西部数据联合铠侠推出的218层3D NAND闪存产品利用具有四个平面的1Tb三级单元 (TLC) 和四级单元 (QLC),采用......
IOPS 可达 400000 CD8P SSD 使用铠侠的专有 SSD 平台,包括其自家的 NVM 2.0 兼容主控、固件和 112 层 BICS 5 3D TLC NAND 颗粒,支持第 7 代闪......
层,采用TLC闪存;美光232层NAND Flash已经量产出货;铠侠和西部数据近期宣布,推出218层3D NAND闪存。 此外,SK海力士238层NAND Flash计划于今年上半年量产,该公......
铠侠雄心壮志,目标 2027 年 3D NAND 闪存实现 1000 层堆叠;6 月 28 日消息,铠侠(Kioxia)结束为期 20 个月的 NAND 闪存减产计划,日本......
迄今为止所有制造商宣布的最高层数。然而,要达到这一里程碑,就必须从 TLC(每单元 3 位)过渡到 QLC(每单元 4 位),甚至可能过渡到 PLC(每单元 5 位)。其中涉及的技术挑战是巨大的,铠侠能否在 2027......
铠侠和西部数据推出218层3D闪存 已开始样本出货; 【导读】近日,铠侠和西部数据宣布推出218层3D NAND Flash(闪存),现已......
使其能够提供全系列先进的SSD解决方案,满足AI时代的需求。三星称,随着企业级SSD市场快速增长,对AI应用的需求不断加强,三星将通过QLC和TLC的第9代V-NAND存储器来巩固其领先地位。 铠侠第八代BiCS......
闪存,这是目前世界最高层数,该公司已向客户发送238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年投入量产。 三星方面,随着业界不断传出闪存技术的新动态,三星......
抢先宣布已开始在新加坡工厂量产全球首款232层NAND闪存,而SK海力士也在今日宣布已向客户发送了238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。 需要指出的是,三星、铠侠、以及......
全球两大存储厂新消息!;近日,三星、铠侠两大存储厂公布新消息:三星量产第9代V-NAND、铠侠新一代UFS 4.0闪存芯片出样。 三星开始量产第9代V-NAND 4月23日,三星......
铠侠与西数218层3D NANDFlash出货 年内量产;为展示先进闪存技术的持续创新,铠侠株式会社与西部数据公司今日(3月31日)发布了他们最新的3D闪存技术的细节,该技术目前正在备产中。该3D......
铠侠减产,NAND报价有望反转; 【导读】NAND Flash市场近期供需转差,产业界人士传出,铠侠将在本月进行减产,有助于报价止跌或反转,此外,服务器需求仍支撑NAND原厂......
。 其他厂商方面,美光计划232层之后推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品,铠侠和西部数据也正在研发300层以上的3D NAND产品......
合了多种突破性技术。 从技术创新上看,本次三星QLC第九代V-NAND包括采用其独有的通道孔蚀刻技术,以双层堆栈结构实现业界最高层数,并利用TLC第九代V-NAND的技术专长,优化单元面积和外围电路,位密......
具备接班傲腾的能力。作为傲腾停产后的替代者,大普微X2900P使用自研的DPU600主控搭配铠侠XL-FLASH,展示出普通TLC闪存企业级SSD无法企及的强悍实力,能够为数据缓存与加速、AI训练、大数......
开始蓄势待发… 三星第九代V-NAND闪存启动量产 三星近日宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,今年下半年三星将开始量产四层单元(QLC)第九代V-NAND。 图片来源:三星......
全球两大存储厂新消息!;近日,、两大厂公布新消息:量产第9代V-NAND、新一代UFS 4.0闪存芯片出样。本文引用地址:开始量产第9代V-NAND 4月23日,三星电子宣布,其1Tb TLC第9代......
调整资本支出。美光科技预计2023财年资本支出为80亿美元,同比下滑33%;铠侠日本的两座NAND闪存工厂从10月开始晶圆生产量将减少约30%;三星表示可能灵活调整2023年设备方面的资本支出;SK海力......
美光官宣,业界首款232层NAND量产;NAND Flash层数竞争愈演愈烈,继176层NAND之后,各大原厂瞄准200层以上NAND技术,其中美光科技率先突破,三星、铠侠等也在蓄势待发。 1......
网设备和数据中心等一系列以数据为中心的应用场景。”此次西部数据联合铠侠推出的218层3D闪存技术利用具有四个平面的1Tb TLC(三级单元)和QLC(四级单元),采用创新的横向收缩技术,将位密度提高了约50%。其NAND I/O速度......
更快的传输速度。 另外,第8代BiCS FLASH™还提供TLC和QLC两个系列产品,解决了企业级和数据中心级用户对高性能、大容量等不同场景的需求。目前铠侠已经开始向部分客户送样,第8代BiCS......
的生产效率和数据传输速度将提高30%。 美光176层3D NAND闪存自2020年11月批量出货以来,在数据中心、移动设备中得到了广泛采用。该公司计划在2022年末开始量产的232层NAND芯片采用3D TLC架构,原始......
体,共同于2023年推出以SK hynix 176层TLC的Enterprise SSD,但机构透露,目前合作计划有变,此将不利于双方新产品的量产时程,恐冲击后续出货成长表现。预估2023年SK集团......
引领存储新技术,铠侠NAND Flash产品为AI赋能; 大模型、端侧AI、高阶辅助驾驶开始融入到人们的日常生活,同时也对存储技术提出了更高的要求。铠侠作为NAND FLASH发明者,从上......
铠侠MTS2024回顾:共求高效、可靠的数据存储新未来; 11月8日,铠侠于深圳参加了由TrendForce集邦咨询主办的2024存储产业趋势研讨会(Memory Trend Seminar......
投入的同时,铠侠积极聚焦前沿存储技术研发,例如具有 218层的第 8 代 BiCS 3D NAND 存储设备。铠侠推出的第 8 代 BiCS 3D TLC NAND 设备具有 1Tb容量、可最......
投入的同时,铠侠积极聚焦前沿存储技术研发,例如具有 218层的第 8 代 BiCS 3D NAND 存储设备。铠侠推出的第 8 代 BiCS 3D TLC NAND 设备具有 1Tb容量、可最......
体,共同于2023年推出以SK hynix 176层TLC的Enterprise SSD,但据TrendForce集邦咨询了解目前合作计划有变,此将不利于双方新产品的量产时程,恐冲击后续出货成长表现。预估......
分区存储助力QLC应用到嵌入式存储设备;目前应用在移动终端的(这里主要指UFS/eMMC等,以下统称“”)中主流介质还是TLC。但更高存储密度的也已经产品化,比如一些数据中心(读密集型应用)已经......
手机及笔记型电脑等终端需求将受到不小冲击,并对NAND Flash主流供应商获利能力造成影响,抑制未来持续扩产的幅度。相较之下,YMTC目前在各类应用的市占规模仍小,因此受疫情影响较低。当前目标将着重于与OEM进行64层TLC......
TLC 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产; 西数则于今年5月表示,未来将与合作伙伴铠侠推出200层以上(BiCS+)的闪存产品,2032年之前还将陆续推出300层以......
积极聚焦前沿存储技术研发,例如具有 218层的第 8 代 BiCS 3D NAND 存储设备。铠侠推出的第 8 代 BiCS 3D TLC NAND 设备具有 1Tb容量、可最大化内部并行性和性能的四平面架构以及 3200 MT......
该产品需求将持续上扬。 此外,SK集团已逐步完成全系列Enterprise SSD开发及定位,凭借TLC、QLC、PLC价格弹性及齐全的产品,Enterprise SSD市占率有望因此扩增。 西部......
计划以Solidigm为主要开发SSD的主体,共同于2023年推出以SK hynix 176层TLC的Enterprise SSD,但据TrendForce集邦咨询了解目前合作计划有变,此将......
案优化了更高的NAND传输速率,为业界首款支持3200 MT/s NAND IO Speed的主控芯片。SM2268XT的卓越性能和稳健的可靠性使客户能够在不影响吞吐量和延迟的情况下,利用次世代的TLC和......
数据中心等应用对高端存储需求的持续增加,全球存储产业链复苏态势愈发强烈。 而近日,从SK海力士、铠侠、三星、美光等厂商释放的信号来看,存储产业迈入上行周期的确定性进一步提升。 SK海力士12层HBM3E即将量产,HBM工厂......
具有 218层的第 8 代 BiCS 3D NAND 存储设备。铠侠推出的第 8 代 BiCS 3D TLC NAND 设备具有 1Tb容量、可最大化内部并行性和性能的四平面架构以及 3200 MT......
层的第 8 代 BiCS 3D NAND 存储设备。铠侠推出的第 8 代 BiCS 3D TLC NAND 设备具有 1Tb容量、可最大化内部并行性和性能的四平面架构以及 3200 MT/s 的接......
越性能和稳健的可靠性使客户能够在不影响吞吐量和延迟的情况下,利用次世代的TLC和QLC 3D NAND闪存加速开发下一代固态硬盘,并实现全面的数据完整性和纠正功能。 SM2268XT采用双核ARM R8 CPU,具有4个16Gb......
越性能和稳健的可靠性使客户能够在不影响吞吐量和延迟的情况下,利用次世代的TLC和QLC 3D NAND闪存加速开发下一代固态硬盘,并实现全面的数据完整性和纠正功能。 SM2268XT采用双核ARM R8 CPU,具有4个16Gb......

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;bs home;;你知道B/S/H.那就不要我多讲了
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TLC 各种容量。
;深圳市泽沃电子有限公司;;本公司代理销售贴片TLC自恢复保险丝0805、1206 、1210、1812、2920全系列型号!电流有50MA、100MA、120MA、140MA、200MA
;深圳市伟创电子科技有限公司;;本公司专业经营各种品牌IC,特价DALLAS产品. MAXIM NS TI (TLC系列.)AD IMP ON VISHAY PHI ST SST ISSI以上
;深圳市凯信佳电子有限公司(原杰立电子);;本公司专营TI德州品牌,主营TPS系列/LM系列/TLC系列/,长期原装现货供应,部分型号如下:TPS61040DBVR/TPS767D301PWPR
;深圳华之新电子有限公司;;深圳市华之新电子有限公司是国外多家著名品牌IC的特约经销商,主营:74、4000、CD、HEF、TL、TLC、TLP、TPS、JRC、AT、LF、LM全系列SMD贴片IC
;东莞市宇兴微电子有限公司;;本公司专营各种名牌IC集成电路,二三极管本公司专业经营各种品牌IC,特价DALLAS产品. MAXIM NS TI (TLC系列.)AD IMP ON VISHAY