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研发客服【导读】近日，铠侠和西部数据宣布推出218层3D NAND Flash（闪存），现已开始样本出货。
近日，铠侠和西部数据宣布推出218层3D NAND Flash（闪存），现已开始样本出货。
据悉，两家公司通过引入几种独特的流程和架构降低了成本，实现了持续的横向扩展。这种垂直和横向缩放之间的平衡以优化的成本在更小的模具中以更少的层产生更大的容量。两家公司还开发了开创性的CBA（CMOS直接连接到阵列）技术，其中每个CMOS晶圆和电池阵列晶圆在优化条件下分别制造，然后结合在一起，以提供更高的比特密度和更快的NAND I/O速度。
这款产品利用1Tb三层单元（TLC）和四层单元（QLC），具有四个平面，并具有创新的横向收缩技术，可将比特密度提高50%以上。它的高速NAND I/O速度超过3.2Gb/s，比上一代提高了60%，加上20%的写性能和读延迟改进，将加速用户的整体性能和可用性。、
铠侠首席技术官Masaki Momodomi表示：“我很高兴铠侠已经开始为有限的客户提供样品。通过应用CBA技术和扩展创新，我们已经改进了我们的3D闪存技术组合，用于一系列以数据为中心的应用，包括智能手机、物联网设备和数据中心。”
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