【导读】据MoneyDJ报道，铠侠产线稼动率已在6月回升至100%水准、且将在7月内量产最先进存储芯片(NAND Flash)产品，借此开拓因生成式AI普及而急增的数据存储需求。据悉，铠侠将开始量产的NAND Flash产品堆叠218层数据存储元件，和现行产品相比，存储容量提高约50%，写入数据时所需的电力缩减约30%。

据MoneyDJ报道，铠侠产线稼动率已在6月回升至100%水准、且将在7月内量产最先进存储芯片(NAND Flash)产品，借此开拓因生成式AI普及而急增的数据存储需求。据悉，铠侠将开始量产的NAND Flash产品堆叠218层数据存储元件，和现行产品相比，存储容量提高约50%，写入数据时所需的电力缩减约30%。

不久前，铠侠披露了其 3D NAND 路线图计划，其目标在 2027 年达到 1000 层的水平。而三星则计划 2030 年之前推出超过 1000 层的先进 NAND 闪存芯片，其中铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）将成为这项成就的关键。可见，在 3D NAND 闪存的层数挑战上，铠侠似乎比三星更有野心。

首先是政策和资本扶持，铠侠受益于内存行业的复苏，最近获得了日本政府的补贴和银行财团的额外融资，此外该公司还计划今年年底 IPO 上市，让铠侠有充足的资金，追求技术进步和成本优化。其二是技术演进和积累，铠侠预测到 2027 年 NAND 芯片密度将达到 100 Gbit / mm2，实现 1000 层。

铠侠雄心勃勃地计划到 2027 年实现 1000 层技术，这是迄今为止所有制造商宣布的最高层数。然而，要达到这一里程碑，就必须从 TLC（每单元 3 位）过渡到 QLC（每单元 4 位），甚至可能过渡到 PLC（每单元 5 位）。其中涉及的技术挑战是巨大的，铠侠能否在 2027 年之前实现这一市场里程碑还有待观察。

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