【导读】在FMS 2023闪存峰会上，SK海力士展示了其新型PLC（5-Bit MLC）技术的研究成果。这一技术原理上类似铠侠2019年开发的Twin BiCS FLASH技术，简单来说就是用两个2.5 bit单元，这样双线程同时写入的话一定会比5 bit存储快得多。
在FMS 2023闪存峰会上，SK海力士展示了其新型PLC（5-Bit MLC）技术的研究成果。
这一技术原理上类似铠侠2019年开发的Twin BiCS FLASH技术，简单来说就是用两个2.5 bit单元，这样双线程同时写入的话一定会比5 bit存储快得多。
在5 bit单元中，一个存储单元中可以包含32个不同的阈值电压，而常规方式下用PLC写入并验证32个不同的阈值电压所需时间是TLC的近20倍，这显然是用户无法接受的。
因此，SK海力士设计了一种新型PLC，将一个5bit单元分为两个2.5 bit点位，每个点也存储2.5 bit。然后综合各个点的数据获得5 bit数据，这样就可以使PLC写入时间与TLC（3bit单元）大致相同。
实际上，Solidigm一年前已经展示过首款采用PLC-NAND的SSD，它沿用了当前QLC-NAND一样的192层闪存，但由于每个单元由5 bit（而非4bit）点组成，其密度增加至23.3Gbit/mm²，创下了最高记录；而凭借321层的第9代新型TLC-NAND，预计SK海力士有望达到20Gbit/mm² 以上的密度。当然，更多的层数也意味着更多的工作步骤和更高的成本，预计早期产品依然还会很贵。
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