2024年的存储市场风云变幻，整体上传出很多好声音，合约价格上涨、原厂营收明显增长、技术多点突破...在此之下，存储大厂的每一步布局都是在枕戈待旦，同时NAND闪存将迎来新的变局。

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NAND闪存技术，大厂通关到哪步？

今年来，三星、美光、SK海力士存储三大厂在NAND闪存方面均传来新的动态。

图表来源：全球半导体观察根据公开信息制表

从NAND单元技术上看，存储大厂三星率先开始业界首次量产QLC第9代V-NAND。9月12日，三星宣布，已开始大规模生产其1Tb四级单元(QLC)第9代垂直NAND(V-NAND)，并结合了多种突破性技术。

从技术创新上看，本次三星QLC第九代V-NAND包括采用其独有的通道孔蚀刻技术，以双层堆栈结构实现业界最高层数，并利用TLC第九代V-NAND的技术专长，优化单元面积和外围电路，位密度比上一代QLCV-NAND高出约86%；与以前的版本相比，三星QLC第九代V-NAND采用的设计模具可将数据保留性能提高约20%，从而提高产品可靠性；通过对预测程序技术的改进，写入性能提高了一倍，数据输入/输出速度提高了60%；使用低功耗的设计，使数据读取和写入功耗分别降低了约30％和50％。该方法通过仅感测必要的位线（BL）来降低驱动NAND单元的电压，并最大限度地降低功耗。

图片来源：三星

应用范围来看，三星表示计划扩大QLC第9代V-NAND的应用范围，从品牌消费产品开始，并扩展到移动通用闪存(UFS)、PC和服务器SSD，以满足包括云服务提供商在内的客户需求。

今年4月23日，三星宣布已开始量产其 1Tb三级单元 (TLC) 第9代垂直NAND (V-NAND)。其位密度比第八代V-NAND提高了约50%，并配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，支持将数据输入/输出速度提高33%，达到每秒3.2千兆位 (Gbps)。借助这一新接口，三星计划通过扩大对PCIe 5.0的支持来巩固其在高性能SSD市场的地位。

三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoiHur表示，随着企业级SSD市场快速增长，对AI应用的需求不断增加，我们将继续通过QLC和TLC第9代V-NAND巩固我们在高容量、高性能NAND闪存市场的领导地位。

目前，市场主流的还是TLC NAND闪存颗粒，从动态上看，SK海力士方面，该公司旗下Solidigm于8月6日宣布推出PCIe 5.0数据中心固态硬盘D7-PS1010/1030，两个固态硬盘系列均支持PCIe 5.0，基于SK海力士176层3D TLC NAND闪存。SK海力士9月11日宣布，公司开发出适用于数据中心的高性能固态硬盘SSD“PEB110 E1.S”，具备2TB、4TB和8TB三种容量版本。目前，该公司正在与全球数据中心客户共同进行PEB110验证，计划在获得验证后，于明年第二季度开始量产该产品，并向市场供应。

美光方面，7月底，美光宣布量产其采用第九代（G9）TLC NAND技术的SSD产品已开始出货，适用于个人设备、边缘服务器、企业和云数据中心。G9 NAND数据传输速率比当前SSD中的NAND技术要快50%。同时，与市场上现有的同类NAND解决方案相比，美光G9 NAND的每颗芯片写入带宽和读取带宽分别高出99%和88%。美光称，采用了G9 NAND技术的美光2650 NVMe SSD理论性能水平接近PCIe 4.0，突破了高性价比TLC客户端SSD的性能极限。连续读取速率高达7000 MB/s。

美光还宣布推出全新的数据中心SSD产品9550 NVMe SSD，采用232层3D TLC NAND，支持各种AI工作负载。性能方面，9550 SSD连续读取速度为14.0 GB/s，连续写入速度为10.0 GB/s，与同类竞争SSD 相比，性能提升高达 67%。其3,300K IOPS的随机读取速度比竞争产品高出 35%，400K IOPS的随机写入速度比竞争产品高出33% 。

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QLC SSD，未来可期

业界信息显示，NAND Flash即闪存颗粒，是数据存储的核心介质，也是数据存储的载体，目前SSD使用的闪存颗粒包括TLC（三层单元）、QLC（四层单元）等。

图片来源：拍信网

当前AI时代催生了大量的存储需求，SSD在其中扮演重要角色。从运行作用来看，全球市场研究机构TrendForce集邦咨询指出，在AI模型训练过程中，SSD不仅负责储存模型参数，包含不断更新的权重和偏差，而且可以创建检查点(check point)，以定期保存AI模型训练进度，即使训练中断也能从特定点恢复。上述功能都相当依赖高速传输以及写入耐用度，因此客户主要选择使用4TB/8TB TLC（三层单元闪存） SSD产品，以满足严苛的训练过程需求。

而QLC SSD凭借更高的存储密度，优化服务器和物理占用空间，并降低能源消耗等优势备受关注，在满足高性能存储需求的基础上，QLC SSD可以帮助大规模数据中心降低TCO总拥有成本。业界称，随着更多生成信息是以影片或相片显示，其数据存储量也相应增加，故TLC/QLC（四层单元闪存） 16TB以上等大容量SSD便成为AI推理主要采用的产品。

TrendForce集邦咨询预估，今年AI相关SSD采购容量将超过45EB，未来几年，AI服务器有望推动SSD需求年增率平均超过60%，而AI SSD需求在整个NAND Flash（闪存）的占比有机会自2024年的5%，上升至2025年的9%。

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NAND Flash，赛位新情况

据TrendForce集邦咨询9月9日最新研究显示，在2024年第二季度全球NAND Flash市场中，三星以36.9%的市占率占据全球第一的位置，较上一季度的36.7%上升了0.2%；SK集团则以22.1%居位全球第二，较上一季度22.2%下降了0.1%；后面依次是铠侠（13.8%）、美光（11.8%）、西部数据（10.5%）。

从营收上看，三星、SK集团、铠侠、美光、西部数据在第二季NAND Flash营收均出现环比增长。整体来看，2024年第二季度NAND Flash营收季增14%，其中AI SSD是重要推力。

TrendForce集邦咨询表示，由于Server（服务器）终端库存调整接近尾声，加上AI推动了大容量存储产品需求，2024年第二季NAND Flash（闪存）价格持续上涨，但因为PC和智能手机厂商库存偏高，导致第二季NAND Flash位元出货量季减1%，平均销售单价上涨了15%，总营收达167.96亿美元，较前一季增长了14.2%。

此外，展望第三季，TrendForce集邦咨询认为，第二季起所有NAND Flash供应商已恢复盈利状态，并计划在第三季扩大产能，以满足AI和服务器的强劲需求，但由于PC和智能手机今年上半年市场表现不佳，难以推升NAND Flash出货量。预估第三季NAND Flash全产品平均销售单价将季增5%至10%，位元出货量因旺季不旺而至少季减5%，至于产业营收将大致与前一季持平。

封面图片来源：拍信网