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11月8日，铠侠于深圳参加了由TrendForce集邦咨询主办的2024存储产业趋势研讨会（Memory Trend Seminar 2024），在现场展示了包括数据中心级、企业级、客户端级在内的商用固态硬盘产品，以及UFS 4.0、e-MMC 5.1等先进存储器，并展望了即将到来的第8代BiCS FLASH™ 表现，与现场与会经销商、工程师进行了深度交流，共同探讨未来存储新趋势。
铠侠的前身是东芝存储器，作为全球屈指可数的闪存颗粒制造商之一，铠侠所打造的BiCS FLASH技术多次推动存储技术发展，在商用级和消费级存储市场中都扮演着重要角色，如在智能手机、PC、游戏机、汽车高阶辅助驾驶、数据中心等领域，都常常能看到铠侠的身影；在零售端更是涵盖存储卡、固态硬盘、移动存储等多种产品形态，影响力巨大。
第8代BiCS FLASH™ 引领新规范
在数据生成已经达到百万亿级别的当下，有效提高存储密度和存储效率自然而然成为了关注点。在诸多新品之中，即将发布的铠侠第8代BiCS FLASH™ 备受关注。
铠侠第8代BiCS FLASH™ 实现了218层的层堆叠实现垂直布局，以及全新的CBA(CMOS直接键合阵列)技术，新技术最终让其存储密度提升可达50%以上，NAND I/O速度提升可达60%以上，可实现3200MT/s的传输速率，并大幅改善的读取延迟，可允许开发人员使用更少的3D NAND实现更快的传输速度。
总体而言，铠侠第8代BiCS FLASH™ 将3D NAND演进的定义再度向上提升到了一个新层次。扩容方式也不简单局限于垂直增加层级堆叠，而同时关注垂直扩容与水平扩容两个维度，并在逻辑扩容和结构优化中进行改进。其中水平扩容是铠侠第8代BiCS FLASH™ 的强项之一，在相同层级下，第8代BiCS FLASH™ 每一层存储孔更为密集，进而提升每一层的存储密度。
另外，第8代BiCS FLASH™还提供TLC和QLC两个系列产品，解决了企业级和数据中心级用户对高性能、大容量等不同场景的需求。目前铠侠已经开始向部分客户送样，第8代BiCS FLASH™相关产品的正式量产计划也蓄势待发。
存储方案全覆盖
MTS2024上，铠侠固态硬盘（SSD）存储方案格外亮眼，现场展示了包括支持PCIe® 5.0和双端口的企业级存储固态硬盘CM7系列，兼顾性能与成本的数据中心级CD8P系列，深受银行、金融、医疗等行业喜爱的PM7系列，以及面向终端产品的BG6系列和XG8系列，和采用EDSFF E1.S规格的XD7P系列等产品。
其中，铠侠CM7系列作为高性能企业级固态硬盘，提供了2.5英寸和EDSFF E3.S外形规格尺寸，可以灵活应对不同应用的存储部署。同样，CM7系列可提供PCIe® 5.0和NVMe™ 2.0支持，具备128 GT/s的峰值速率，最大容量可达30TB。
铠侠CD8P系列针对PCIe®5.0设计，在成本、性能的平衡上有更多考量，提供符合企业和数据中心固态硬盘规范EDSFF E3.S，以及2.5英寸U.2两种标准外形规格，最高容量可达30.72TB，因此更适合用作企业级存储、通用服务器和云端环境加速，也能够轻松应对超大规模计算、云应用、大数据、IoT、在线交易和虚拟化等多种场景
铠侠PM7系列是具备2.5英寸规格和SAS双端口设计的多功能型固态硬盘，具备优秀的兼容性、可靠性等诸多特点。相对上一代产品，铠侠PM7系列在随机读取性能提升幅度明显，并可提供高达30.72TB的容量支持。不仅如此，铠侠PM7系列已经通过国内客户认证，能够与新平台配合发挥出优秀效能，为银行、医院、企业提供可靠的算力保障与信息存储。
除了固态硬盘，铠侠还是重要的存储器制造商，并且也是最早发布UFS 4.0产品线的制造商之一，早在2022年，基于铠侠UFS 4.0技术的智能手机已经开始向市场铺货。如今铠侠已经发布了第二代UFS 4.0产品，相比第一代提升了18%的顺序写入性能，提升了30%随机写入速度，以及13%的随机读取性能。同时，铠侠第二代UFS 4.0支持高速链路启动序列 (HS-LSS) 特性，将启动时间缩短70%。增强了安全性，利用高级 RPMB（重放保护内存块）可以更快地读写访问安全数据。
共创存储新未来
铠侠作为NAND FLASH发明者，从上个世纪开始就在持续关注前沿存储发展趋势。如今，铠侠四日市工厂已经成为全球最大的闪存工厂之一，闪存生产量占全球30%以上，并持续专注更高密度的3D闪存制造，为业界提供领先的存储方案。
同时，铠侠非常关注中国市场不断增长的存储需求，并为中国客户定制了许多优秀的存储方案，打造从云端到本地，从消费产品到车载终端等全方位的存储生态。
此次参展MTS2024，铠侠新品获得了业内合作伙伴们认可，从新产品落地，到前沿技术研发，铠侠将不遗余力与合作伙伴们一起，探讨更多的存储方案可行性，提升存储效率，在数据时代共同推进高效、可靠的数据存储新未来。
与此同时，铠侠第8代BiCS FLASH™ 还实现了218层的层堆叠实现垂直布局，以及全新的CBA(CMOS直接键合阵列)技术，新技术最终让其存储密度提升可达50%以上，NAND I/O速度提升可达60%以上，可实现3200MT/s的传输速率，并大幅改善的读取延迟，可允许开发人员使用更少的3D NAND实现更快的传输速度。
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