慧荣科技为次世代高速闪存推出第三代PCIe Gen4 SSD主控

发布时间:2023-02-20  

【导读】慧荣科技2月17日宣布推出SM2268XT—最新的高性能PCIe Gen4 SSD主控芯片解决方案,该方案优化了更高的NAND传输速率,为业界首款支持3200 MT/s NAND IO Speed的主控芯片。SM2268XT的卓越性能和稳健的可靠性使客户能够在不影响吞吐量和延迟的情况下,利用次世代的TLC和QLC 3D NAND闪存加速开发下一代固态硬盘,并实现全面的数据完整性和纠正功能。


全球NAND闪存主控芯片领导厂商慧荣科技(NasdaqGS: SIMO),2月17日宣布推出SM2268XT—最新的高性能PCIe Gen4 SSD主控芯片解决方案,该方案优化了更高的NAND传输速率,为业界首款支持3200 MT/s NAND IO Speed的主控芯片。SM2268XT的卓越性能和稳健的可靠性使客户能够在不影响吞吐量和延迟的情况下,利用次世代的TLC和QLC 3D NAND闪存加速开发下一代固态硬盘,并实现全面的数据完整性和纠正功能。


慧荣科技为次世代高速闪存推出第三代PCIe Gen4 SSD主控


SM2268XT采用双核ARM R8 CPU,具有4个16Gb/s PCIe数据流的通道,支持4个NAND通道,每个通道最高可达3,200 MT/s,从而使设计人员能够利用下一代高速TLC和QLC 3D NAND闪存的较高吞吐量。其多核设计可自动平衡计算负载,以提供业界领先的7,400MB/s和6,500MB/s连续读写速度和1,200K IOPS随机读写速度。此外,其先进的架构可实现较低的功耗和严格的数据保护,在具成本效益的DRAM-less PCIe Gen4 NVMe SSD解决方案中提供高性能和高可靠性。


SM2268XT采用新型的系统总线架构、主机内存缓冲(HMB)功能,并搭载慧荣科技最先进的第8代NANDXtend® ECC技术,配备性能优化的4KB LDPC ECC和RAID,以最大限度地提高纠错能力。SM2268XT专为下一代、具成本效益的TLC和QLC 3D NAND闪存而设计,使高性价比SSD能够用于从高性能、市场主流到初阶各类广泛应用的笔记本电脑。


慧荣科技总经理苟嘉章表示:“我们对于为客户端SSD推出的SM2268XT感到骄傲”。“我们的SSD主控芯片在PC OEM的新案不断增加,证明了我们致力于开发客户想要与需要的产品,以支持更高速的次世代NAND闪存。”


铠侠公司存储部门高级总监Atsushi Inoue表示:“我们对于慧荣科技推出这款高性能PCIe Gen4 SSD主控芯片感到兴奋,相信SM2268XT结合我们领先的BiCS FLASH™技术,将把高性能SSD的标准提升到一个新的水平。”


Forward Insights总裁Greg Wong表示:“PCIe Gen4 SSD正在经历爆炸式的增长,2022年出货量几乎翻番,并将在未来几年继续成为PC的主流存储解决方案。”“慧荣科技最新的 SM2268XT DRAM-less主控芯片能够在PC中实现低成本、高性能的存储,并支持最先进的3D NAND技术。”


慧荣科技的SM2268XT已进入客户送样阶段。


关于慧荣科技:


慧荣科技(Silicon Motion Technology Corp., NasdaqGS:SIMO)是全球最大的NAND闪存主控芯片供货商,我们提供的 SSD主控芯片数量超过世界上任何其他公司,适用于服务器、个人计算机和其他客户端装置,同时也是eMMC/UFS 主控芯片Merchant市场的领导者,适用于搭载行动嵌入式存储装置的智能型手机、物联网和其他应用。我们同时提供客制化高效能超大规模数据中心和特殊工业用及车用 SSD 解决方案。客户包括多数的NAND 闪存大厂、存储装置模块厂及OEM领导厂商。


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