资讯
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
亚阈值区的漏电流。如图1.15（a）所示，进行沟道离子注入的MOS管结构图。
图1.15 Salicide和应变硅的MOS管结构图
随着MOS器件的特征尺寸不断缩小到90nm及以下时，短沟道效应......
碳化硅SIC将会发力电动汽车？(2024-03-07)
决方案几乎不需要对制造过程进行任何改变。虽然对具有薄电介质的 SiC 器件的研究很少，但硅器件使用薄至 5 nm 的氧化物，而不会产生过度的隧道效应。此外，如上所述，使用高k电介质可以提供更好的沟道控制，同时......
给SiC“挖坑”，国产有机会吗？(2024-06-17)
备抗浪涌电压自抑制能力和过压保护能力，需要在实际应用中设计复杂缓冲电路、浪涌电压抑制电路和过压保护电路，更多的外部电路导致过压保护延迟加大，同时实际开关过程依然容易被击穿，引起器件可靠性问题；三是离子注入深度有限，导致很多针对性的沟......
22nm大战一触即发，新的甜蜜节点？(2017-04-28)
开发的Smart Cut工艺过程。该工艺过程从两个硅片（A和B）开始。第一个芯片（A）在顶部氧化，产生二氧化硅绝缘层。
图1：Smart Cut工艺 （来源：Soitec）
然后，使用离子注入机将氢离子注入......
SiC MOSFET的短沟道效应(2023-03-29)
SiC MOSFET的短沟道效应;Si IGBT和SiC沟槽之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness......
登上《Nature》，南大团队在二维半导体领域取得新突破！(2023-01-13)
的国际器件与系统路线图（IRDS）预测，在2nm技术节点以下，以MoS2为代表的二维半导体将取代硅成为延续摩尔定律的新沟道材料。
金属-半导体欧姆接触是实现高性能晶体管的关键，特别是在先进工艺节点下。传统硅基器件利用离子注入......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子注入......
万业企业获6.58亿元离子注入机大单(2022-02-08)
万业企业获6.58亿元离子注入机大单;2月7日，万业企业发布最新公告，公司控股孙公司北京凯世通半导体有限公司（以下简称“北京凯世通”）拟向重要客户出售多台12英寸集成电路设备（包含低能大束流离子注入......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
可在这两种状态之间瞬间切换。从定量角度来看，由于基于MOSFET的功率器件是单极性器件，因此与这一定义最为接近。功率MOSFET结构中的导通状态电流通过单极传输，这意味着N沟道器件中只有电子。由于没有少数载流子注入......
国家队加持，芯片制造关键技术首次突破(2024-09-02)
是可以增加元胞密度，没有JFET效应，沟道晶面可实现最佳的沟道迁移率，导通电阻比平面结构明显降低；缺点是由于要开沟槽，工艺更加复杂，且元胞的一致性较差，雪崩能量比较低。
“关键就在工艺上。”国家......
建设高端半导体装备，SRII赋能新一代集成电路制造(2024-03-25 11:14)
机以提升器件性能或产能。新兴应用推动了离子注入技术创新，以消费市场为例，智能手机对于相机像素的要求越来越高，图像传感器（CIS）需要制备更高深宽比的深层光电二极管。此时，离子注入的......
建设高端半导体装备，SRII赋能新一代集成电路制造(2024-03-25)
制备更高深宽比的深层光电二极管。此时，离子注入的能量将达到8MeV、最高甚至超过10MeV，高能离子注入机成为不可替代的选择。同时，先进制程的发展也进一步推动了低能大束流机的应用。思锐智能布局了“高能离子注入机 + 大束流离子注入......
建设高端半导体装备，SRII赋能新一代集成电路制造(2024-03-25)
制备更高深宽比的深层光电二极管。此时，离子注入的能量将达到8MeV、最高甚至超过10MeV，高能离子注入机成为不可替代的选择。同时，先进制程的发展也进一步推动了低能大束流机的应用。思锐智能布局了“高能离子注入机 + 大束流离子注入......
建设高端半导体装备，SRII赋能新一代集成电路制造(2024-03-25)
手机对于相机像素的要求越来越高，图像传感器（CIS）需要制备更高深宽比的深层光电二极管。此时，离子注入的能量将达到8MeV、最高甚至超过10MeV，高能离子注入机成为不可替代的选择。同时，先进......
建设高端半导体装备，SRII赋能新一代集成电路制造(2024-03-25)
，离子注入的能量将达到8MeV、最高甚至超过10MeV，高能离子注入机成为不可替代的选择。同时，先进制程的发展也进一步推动了低能大束流机的应用。思锐智能布局了“高能离子注入机 + 大束流离子注入机”的系......
打破国外垄断，首台国产低能离子注入机顺利完成验证(2021-08-30)
流集成电路制造厂完成设备验证，并已确认销售收入。这也是首台完成国内主流客户验证并确认收入的国产低能大束流设备，是一次攻克卡脖子设备的初战告捷。
△凯世通低能大束流离子注入机
凯世通的离子注入......
国产离子注入机未来可期，半导体设备潜力股思锐智能落子布局！(2023-08-16)
不断微缩，离子注入的工序步骤也随之增加，据悉，28nm制程节点上离子注入步骤达到最高40次。
目前，离子注入机的市场集中度高，主要是因其技术壁垒在于角度控制、剂量控制、能量控制等。“离子注入......
万业企业旗下凯世通跻身“上海市集成电路设备业销售前十名”(2021-04-26)
海市集成电路设备业销售前十名）
上海凯世通为上海万业企业股份有限公司的控股子公司，目前营业收入主要来源于自产离子注入机、离子注入机耗材备件以及产品、服务定制与再制造业务。值得一提的是，2020年北......
中国科学家在半导体领域获突破(2024-06-11)
电路以实现三维集成技术的突破，已成为国际半导体领域积极探寻的新方向。
由于硅基晶体管的现代工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，难以实现在一层离子注入的单晶硅上方再次生长或转移单晶硅。虽然......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
和Brattain在1947年的一次场效应管发明尝试中，意外发明了电接触双极晶体管(BJT)。
两年后，同样来自贝尔实验室的Shockley用少子注入......
三星7nm工艺揭秘，摩尔定律还能继续(2017-03-13)
3所示的MRAM三明治结构。上下两层磁体夹着中间的绝缘膜，其厚度大约几纳米，如此薄的绝缘膜使得量子隧道效应能很自如的展现出来。
除了绝缘层外，MRAM中可变磁方向的层（利用自旋注入磁化反转效应......
三菱电机开始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片样品(2024-11-15)
半导体芯片过程中积累的先进小型化技术，与传统的平面栅SiC-MOSFET相比，导通电阻更低。
采用倾斜离子注入替代传统的垂直离子注入，降低了开关损耗。
与传统的平面栅SiC......
自主创新+产业整合，万业企业“双轮驱动”战略转型获市场高度认可(2020-12-04)
电子为代表的消费电子需求增长及供应链本土化趋势将推动产业链国产化进程。政策、资金、市场三大因素助力，国内市场迎来晶圆建厂潮，半导体设备迎来高景气度。
政策暖风下万业企业战略布局的各环节陆续取得阶段性突破。万业企业12月1日晚间发布公告，旗下凯世通集成电路离子注入......
国内科研团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展(2023-09-19)
以满足频繁的数据交互。随着计算机数据吞吐量的爆发式增长，突破传统浮栅晶体管擦写速度、耐久性等瓶颈，发展一种可兼顾高速、耐久特性的存储技术势在必行。
二维材料具有原子级厚度和无悬挂键表面，在器件集成时可有效避免窄沟道效应......
凯世通斩获三家12英寸晶圆厂离子注入机采购订单(2024-08-16)
凯世通斩获三家12英寸晶圆厂离子注入机采购订单;近日，上海凯世通半导体股份有限公司（以下简称“凯世通”）宣布成功斩获三家12英寸晶圆厂客户离子注入机采购订单，包括......
应用材料公司全新技术助力领先的碳化硅芯片制造商，加速向200毫米晶圆转型并提升芯片性能和电源效率(2021-09-11)
900 3D热离子注入系统可向200毫米和150毫米碳化硅晶圆注入和扩散离子，
产生的电阻率仅为室温下注入的四十分之一
应用材料公司的ICAPS（物联网、通信、汽车、功率和传感器）事业......
再获近7亿采购订单，国产厂商出售多台12英寸集成电路设备(2022-02-08)
公告，万业企业控股孙公司北京凯世通半导体有限公司（以下简称“北京凯世通”）于2022年1月30日和重要客户签订《采购订单》，北京凯世通向其出售多台12英寸集成电路设备（包含低能大束流离子注入机、低能大束流超低温离子注入......
大基金二期投资这家SiC设备厂！(2022-12-07)
%。
据了解，烁科中科信成立于2019年6月，由中电48所和北京中科信离子注入机业务战略整合而成，是国内集成电路高端工艺装备的领先企业，主营业务包括半导体器件专用设备的制造。公司......
大基金二期投资后，这家SiC设备厂获2亿大订单！(2023-01-11)
于碳化硅具有硬度高等特性，需要一些特殊的生产设备，如高温离子注入机、碳膜溅射仪、量产型高温退火炉等，其中是否具备高温离子注入机是衡量碳化硅生产线的一个重要标准。
离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
制了某些器件的VGS和VDS电流的增加，因为最终它们的驱动电流达到最大值。此外，随着电场的继续增加，这些载流子的迁移率降低，导致这些极高电压下的驱动电流减小。这种短沟道效应......
中国电科旗下电科装备已实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖(2023-07-11)
中国电科旗下电科装备已实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖; 7月3日，指出，中国电科连续突破光路、控制、软件等关键模块的核心技术，实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖重大科技成果，有力......
中国高能离子注入机核心技术难关得到突破！(2022-08-29)
中国高能离子注入机核心技术难关得到突破！;据“中国电科”报道，国内高能离子注入机核心技术难关得到突破！由中国电科所属北京烁科中科信设备研发团队自主研制的国内首台高能离子注入......
北京烁科中科信大束流离子注入机交付(2023-02-16)
北京烁科中科信大束流离子注入机交付;2月15日，北京烁科中科信宣布本年度首台大束流离子注入机在国内某知名集成电路产线move in。
离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备。北京......
北京烁科中科信碳化硅离子注入机交付！一季度新签合同总额突破3.5亿元(2023-04-06)
北京烁科中科信碳化硅离子注入机交付！一季度新签合同总额突破3.5亿元;据“北京烁科中科信”消息，北京烁科中科信电子装备有限公司（以下简称“北京烁科中科信”）碳化硅离子注入机顺利交付。
资料......
万业企业：2020年的“势”与“实”(2021-02-11)
中国领先的设备洗净服务商安徽富乐德公司
2020.08
凯世通的“大束流离子注入机装备及工艺研发”项目荣获北京市科技进步一等奖
2020.09
凯世通的“集成电路设备射频电源系统研发与验证”项目......
北京经开区：要确立在全国集成电路全产业链的领导地位(2021-07-09)
关键设备核心竞争力，实现刻蚀、薄膜、离子注入等关键装备全布局，形成区域集中、协同发展的集群效应。联合攻关金属部件、硅基及陶瓷等非金属部件、电子部件的供应安全问题，重点关注光刻机核心部件，支持光学镜头、激光光源、工件......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
-Semiconductor Field-Effect Transistor)。MOSFET的简化结构如下图所示：硅片表面生长一层薄薄的氧化层，其上覆盖多晶硅形成门极，门极两侧分别是N型注入的......
仅次于光刻！我国突破氢离子注入核心技术 100％国产(2024-09-11)
仅次于光刻！我国突破氢离子注入核心技术 100％国产;
9月11日消息，据国家电力投资集团官方消息，近日，集团所属国电投核力创芯(无锡)科技有限公司核力创芯暨国家原子能机构核技术(功率......
我国突破氢离子注入核心技术 100％国产(2024-09-13)
我国突破氢离子注入核心技术 100％国产;据国家电力投资集团官方消息，近日，集团所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司核力创芯暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心，完成了首批氢离子注入......
芯片制造关键设备再突破！离子注入机实现全谱系产品国产化(2021-03-17)
芯片制造关键设备再突破！离子注入机实现全谱系产品国产化;中国电子科技集团有限公司17日对外公布，该集团旗下装备子集团攻克系列“卡脖子”技术，已成功实现离子注入机全谱系产品国产化，包括中束流、大束......
凯世通发布面向CIS的大束流离子注入机(2024-03-25)
凯世通发布面向CIS的大束流离子注入机;近日，上海凯世通半导体股份有限公司（以下简称“凯世通”）发布了面向CIS的大束流离子注入机新产品。
据介绍，凯世通自主研发的适用于CIS器件的低能大束流离子注入......
中电科8英寸抛光设备进入中芯国际、华虹宏力等大线(2021-07-09)
中电科8英寸抛光设备进入中芯国际、华虹宏力等大线;7月8日，在北京亦庄创新发布会上，中电科电子装备集团有限公司发布了离子注入机、化学机械抛光设备、湿法设备等多项技术上的创新成果，为国......
万业企业四季度业绩暴涨：传统业务收入同比增长337%，集成电路战略转型显成效(2021-02-01)
于公司整体收入和利润提高，公司目前充裕的现金，为加快向集成电路战略转型奠定了良好的资金基础。
近年来万业企业围绕半导体设备加速国产化布局，一直持续加大对旗下离子注入机制造商凯世通在集成电路设备的支持强度。离子注入......
中国电科实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖(2023-06-30)
中国电科实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖;据新华社新媒体6月29日消息，中国电子科技集团有限公司旗下中电科电子装备集团有限公司（以下简称“电科装备”）已实现国产离子注入机28纳米......
TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨(2022-12-07)
极区域内的极不均匀分布，这表明它与SiC中的晶体缺陷分离（图5）。这些缺陷可能是离子注入工艺的结果，每个这样的簇中的Al原子的数量包含大约1000个Al原子。正如人们所预料的，这种设备通道内的局部和随机不均匀组合不可取，因为......
TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨(2022-12-07)
注意的是，APT重构揭示了Al在栅极区域内的极不均匀分布，这表明它与SiC中的晶体缺陷分离(图5)。这些缺陷可能是离子注入工艺的结果，每个这样的簇中的Al原子的数量包含大约1000个Al原子。正如......
Axcelis宣布：向碳化硅芯片制造商批量出货Purion Power系列离子注入机(2023-07-13)
Axcelis宣布：向碳化硅芯片制造商批量出货Purion Power系列离子注入机;7月11日，半导体离子注入解决方案供应商Axcelis Technologies，Inc.（以下......
大陆半导体设备公司发动“初”击，AIBT违约遭凯世通起诉(2021-01-07)
方此前签订的协议规定，原告KINGSTONE拥有超越7nm技术的集成电路芯片离子注入机的原创设计与开发的技术及产品。被告AIBT凭借购买原告KINGSTONE原创设计并生产的离子注入平台与其现有离子束系统（也是......
万业企业：2022年累计新增集成电路设备订单超6.80亿元(2022-04-11)
企业集成电路业务版块主要为三块，分别有凯世通的离子注入机设备项目、收购的CompartSystems公司、旗下的嘉芯半导体项目。
01今年年初凯世通取得6.58亿元采购订单
万业......
凯世通收获重点晶圆厂客户多台重复订单(2024-06-05)
凯世通收获重点晶圆厂客户多台重复订单;6月5日，上海凯世通半导体宣布，近日公司再次获得一家12吋主流晶圆厂客户的低能大束流离子注入机复购订单。该重点客户自去年一季度起已多次向凯世通采购设备，累计......
相关企业
整流组件、高压模块。 产品广泛应用于行医疗器械、静电除尘、喷涂喷塑、高频热合、 石油脱水、高压检测、 等离子注入、离子加速 、电子束焊接、 电子显微、空气净化、真空镀膜、超声清洗、高能点火、X光机
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;上海财盈电子有限公司;;上海财盈电子有限公司是一家专业的无原理图芯片级电路板维修、半导体设备维修、光刻、离子注入、蚀刻、镀膜、光电、LED晶片、传感器、触控、太阳
;北京永固运通表面合金科技有限公司;;渗碳化钨处理是荣获国家发明专利（ZL01113768.1）技术开发的碳化钨-钢梯度高级耐磨材料，是碳化钨经高能离子注渗进钢基体内，形成1.2-1.5
器等电子系列产品上。 MOS管系列包含： （CES2301,CES2312,CES2321,CEM9926,CEM9435,CEM4953 ,CEM8958,单N沟道，单P沟道，双N沟道，N+P沟道）等。
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